本發(fā)明具體涉及芯片封裝工藝，具體是厚膜光刻膠曝光圖案失真優(yōu)化方法。
背景技術(shù)：
1、隨著芯片制造摩爾定律逼近極限，工程師把高性能產(chǎn)品的的制造制程優(yōu)化轉(zhuǎn)成封裝工藝的優(yōu)化，越來(lái)越多先進(jìn)封裝工藝得到廣泛應(yīng)用，但也給封裝工藝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的曝光、顯影技術(shù)在芯片制造領(lǐng)域，采用的是薄膜光刻膠，涂布后的光刻膠厚度一般都是納米級(jí)別，均小于光刻機(jī)曝光景深，曝光在晶圓上的圖案與掩模版上的圖案相差無(wú)幾。但是在先進(jìn)封裝領(lǐng)域中，采用的是厚膜光刻膠，涂布后光刻膠的厚度都大于曝光機(jī)的景深，不在景深內(nèi)的圖案有失真風(fēng)險(xiǎn)，產(chǎn)品線路易發(fā)生短路和開(kāi)路問(wèn)題。現(xiàn)發(fā)明一種適用于厚膜光刻膠的曝光工藝優(yōu)化方法，可以減少曝光時(shí)圖案失真風(fēng)險(xiǎn)；
2、在半導(dǎo)體封裝曝光工藝中，由于厚膜光刻膠厚度均大于曝光機(jī)景深，可將焦平面移至光刻膠中心，以此使景深涵蓋更多圖案，景深內(nèi)的圖案可實(shí)現(xiàn)掩模版的圖案精準(zhǔn)復(fù)刻，景深之外的圖案會(huì)有失真的風(fēng)險(xiǎn)。晶圓有一定的反射率，當(dāng)光照直接射在晶圓上時(shí)，光發(fā)生反射會(huì)照到鄰近不該曝光的光刻膠，導(dǎo)致光刻膠圖案失真。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于提供厚膜光刻膠曝光圖案失真優(yōu)化方法，本方法在光刻膠和晶圓界面處涂了一層barc(底部抗反射層)，光就會(huì)照在barc而不是晶圓，barc將光吸收使其不會(huì)發(fā)生反射，提高光刻膠圖案精確度；除此之外，還需要在進(jìn)行曝光顯影工藝時(shí)，曝光焦平面移至厚膜光刻膠中心點(diǎn)擴(kuò)大景深，避免發(fā)生失真，以解決上述背景技術(shù)的問(wèn)題，以解決上述背景技術(shù)的問(wèn)題。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
3、厚膜光刻膠曝光圖案失真優(yōu)化方法，具體包括以下步驟：
4、s1、物理氣相沉積，準(zhǔn)備晶圓后，電子在點(diǎn)成的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出ar正離子和新的電子，然后將反射涂層涂敷在晶圓表面上；
5、s2、烘烤固化，用高溫將底部抗反射層固化，烘干以去除水分和溶劑，使其形成均勻且穩(wěn)定的薄膜nreal，后續(xù)在表面上涂厚膜光刻膠；
6、s3、曝光烘烤，使用曝光機(jī)對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，將掩模版的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上去，最后進(jìn)行烘干處理，去除光刻膠中的溶劑；
7、s4、顯影，在正性光刻膠的曝光區(qū)和負(fù)性光刻膠的非曝光區(qū)的光刻膠在顯影液中溶解，光刻膠形成掩模版對(duì)應(yīng)圖案；
8、s5、蝕刻，采用物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程，并使用異丙酮去除顆粒污染物；
9、s6、分解清洗，通過(guò)利用等離子體中的活性粒子與材料表面的污染物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，將其分解為揮發(fā)性物質(zhì)，達(dá)到清洗的目的，同時(shí)顯微鏡觀察晶圓是否還殘留污染物；
10、s7、精準(zhǔn)檢驗(yàn)，工業(yè)顯微鏡對(duì)光刻膠圖案精準(zhǔn)檢驗(yàn)，確保圖案正確，尺寸偏差在規(guī)格內(nèi)；
11、作為本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案，所述的步驟s2中光刻膠厚度大于等于10um；
12、作為本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案，所述的步驟s2中，抗反射涂層厚度是光的波長(zhǎng)的四分之一；
13、作為本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案，所述的步驟s1中：新電子飛向基片，ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射；在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜；
14、作為本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案，所述濺射粒子采用磁控濺射技術(shù)，在pvd腔體內(nèi)增加磁力，由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力，它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng)，其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng)，增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大：
15、作為本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案，所述磁控濺射技術(shù)提高了入射到襯底表面的原子的能量，沉積tiw阻擋層和cu種子層撞的次數(shù)，使等離子體密度增大；
16、作為本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案，所述的步驟s3中；光刻膠在接觸到光線后，其性質(zhì)會(huì)發(fā)生改變，光罩上的圖形就被精確地復(fù)印到薄片上，賦予了薄片電子線路圖的功能。
17、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：
18、1.本發(fā)明，將焦平面定在厚膜光刻膠中心，擴(kuò)大曝光工藝景深區(qū)域，景深內(nèi)的圖案不會(huì)有失真風(fēng)險(xiǎn)；
19、2.本發(fā)明，曝光前在晶圓上涂一層有機(jī)抗反射層，光打在抗發(fā)射層被吸收不會(huì)發(fā)生反射；
20、3、本發(fā)明，涂抗反射層工藝流程，涂抗反射層→烘烤固化→光刻膠涂布→曝光→后烘→蝕刻→異丙酮清洗→等離子清洗。
1.厚膜光刻膠曝光圖案失真優(yōu)化方法，其特征在于：具體包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚膜光刻膠曝光圖案失真優(yōu)化方法，其特征在于：所述的步驟s2中光刻膠厚度大于等于10um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚膜光刻膠曝光圖案失真優(yōu)化方法，其特征在于：所述的步驟s2中，抗反射涂層厚度是光的波長(zhǎng)的四分之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的厚膜光刻膠曝光圖案失真優(yōu)化方法，其特征在于：所述的步驟s1中：新電子飛向基片，ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射；在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的厚膜光刻膠曝光圖案失真優(yōu)化方法，其特征在于：所述濺射粒子采用磁控濺射技術(shù)，在pvd腔體內(nèi)增加磁力，由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力，它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng)，其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng)，增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的厚膜光刻膠曝光圖案失真優(yōu)化方法，其特征在于：所述磁控濺射技術(shù)提高了入射到襯底表面的原子的能量，沉積tiw阻擋層和cu種子層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚膜光刻膠曝光圖案失真優(yōu)化方法，其特征在于：所述的步驟s3中；光刻膠在接觸到光線后，其性質(zhì)會(huì)發(fā)生改變，光罩上的圖形就被精確地復(fù)印到薄片上，賦予了薄片電子線路圖的功能。