本發(fā)明涉及銅的蝕刻劑。
背景技術(shù)：
1、半導(dǎo)體或印刷配線基板的制造過程中，通過濕式蝕刻來進(jìn)行金屬的圖案化或凹部的形成。例如，半導(dǎo)體的制造步驟中，利用濕式蝕刻來形成溝或凹部(recess)。另外，印刷配線基板的制造步驟中，通過濕式蝕刻將由銅等所構(gòu)成的金屬層進(jìn)行圖案化而形成金屬配線。
2、以屬于配線形成方法的一種的半加成法(semi-additive?process)來形成銅配線的過程中，通過無電解鍍覆而在絕緣基板上形成稱為“種子層”的銅層，在種子層上形成鍍覆阻劑后，通過電解銅鍍覆而對于種子層上的阻劑開口部進(jìn)行圖案鍍覆。然后，去除鍍覆阻劑，通過濕式蝕刻而去除殘留于配線間的種子層，形成銅配線。在通過濕式蝕刻去除種子層的過程中，不僅是種子層，銅配線部分也會被蝕刻劑所蝕刻，因此，該蝕刻可能會影響配線形狀或特性。
3、關(guān)于這種用以去除種子層的蝕刻劑，例如有專利文獻(xiàn)1及2中所記載的。
4、專利文獻(xiàn)1記載一種蝕刻劑，其包含硫酸及過氧化氫，并且還包含苯并三唑化合物及胺化合物。專利文獻(xiàn)1記載了此蝕刻劑可抑制去除種子層時的銅配線的底切(undercut)。
5、專利文獻(xiàn)2記載一種蝕刻劑，其包含硫酸及過氧化氫，并且還包含胺基酸、唑類等含氮雜環(huán)式化合物、鹵素等。專利文獻(xiàn)2記載了此蝕刻劑即使在去除種子層后也可使銅配線等的表面形狀維持平滑。
6、然而，在專利文獻(xiàn)1及2記載的以所謂硫酸過氧化氫系的蝕刻劑所進(jìn)行的蝕刻中，蝕刻后的銅表面的平滑性不充分，特別是在連續(xù)進(jìn)行蝕刻處理的情況下，有難以穩(wěn)定地維持蝕刻后的平滑性的問題。
7、[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
8、[專利文獻(xiàn)]
9、[專利文獻(xiàn)1]日本特開2011-202242號公報
10、[專利文獻(xiàn)2]日本特開2021-195572號公報。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、[發(fā)明欲解決的課題]
2、本發(fā)明有鑒于前述現(xiàn)有技術(shù)的問題點而完成，其課題在于提供一種銅的蝕刻劑，其可穩(wěn)定地維持蝕刻后的銅表面的平滑性。
3、[解決課題的手段]
4、本發(fā)明包含過氧化氫、硫酸、芳香族化合物及氯離子，前述芳香族化合物包含在苯環(huán)鍵結(jié)有羥基和/或羧基的結(jié)構(gòu)。
5、也可包含0.000020質(zhì)量％以上0.02質(zhì)量％以下的前述氯離子。
6、前述芳香族化合物也可為選自由酚類、苯甲酸化合物、2-羥基苯甲酸、5-磺基水楊酸、水楊酸甲酯、水楊酸鈉、水楊酸異戊酯、乙?；畻钏峤M成的組中的一種以上。
7、也可還包含三唑類。
8、前述三唑類也可為選自1,2,4-三唑、1,2,3-三唑、3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑、3,5-二胺基-1,2,4-三唑、3,5-二甲基-1,2,4-三唑、3-巰基-1,2,4-三唑、4-胺基-1,2,4-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、4-胺基-3-巰基-4h-1,2,4-三唑、3-胺基-5-甲基硫基-1h-1,2,4-三唑組成的組中的一種以上。
9、[發(fā)明的效果]
10、根據(jù)本發(fā)明，可提供一種銅的蝕刻劑，其可穩(wěn)定地維持蝕刻后的銅表面的平滑性。
1.一種銅的蝕刻劑，其包含過氧化氫、硫酸、芳香族化合物及氯離子，其中，前述芳香族化合物包含在苯環(huán)鍵結(jié)有羥基和/或羧基的結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅的蝕刻劑，包含0.000020質(zhì)量％以上0.02質(zhì)量％以下的前述氯離子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅的蝕刻劑，其中，前述芳香族化合物為選自由酚類、苯甲酸化合物、2-羥基苯甲酸、5-磺基水楊酸、水楊酸甲酯、水楊酸鈉、水楊酸異戊酯、乙?；畻钏峤M成的組中的一種以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅的蝕刻劑，還包含三唑類。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的銅的蝕刻劑，其中，前述三唑類為選自由1,2,4-三唑、1,2,3-三唑、3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑、3,5-二胺基-1,2,4-三唑、3,5-二甲基-1,2,4-三唑、3-巰基-1,2,4-三唑、4-胺基-1,2,4-三唑、3-胺基-1,2,4三唑、4-胺基-3-巰基-4h-1,2,4-三唑、3-胺基-5-甲基硫基-1h-1,2,4-三唑組成的組中的一種以上。