本技術(shù)屬于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種等離子體濺射裝置。
背景技術(shù)：
1、在化學(xué)氣相沉積(cvd)氮化鈦制造工藝中，處于靜電平衡狀態(tài)下的基座表面邊緣處較中心區(qū)域會聚集大量電荷，如圖2所示。在電場的影響下，轟擊粒子在晶圓邊緣(waferedge)處呈現(xiàn)傾斜方向的轟擊且有較大的蝕刻速率(etch?rate)，易造成均勻度偏差，如圖1所示。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本實用新型提供一種等離子體濺射裝置，基座上表面與側(cè)壁連接處設(shè)計為圓倒角(減少電荷聚集)，下表面與側(cè)壁之間的截面形成銳角(增加電荷聚集)，使得增加電荷聚集的位置遠離晶圓邊緣(wafer?edge)處，進而改變氬離子的轟擊方向，避免均勻度偏差，進一步提高產(chǎn)品良率。
2、為了達到以上目的，本實用新型所采用的技術(shù)方案是：
3、一種等離子體濺射裝置，包括：
4、基座，所述基座側(cè)壁連接有環(huán)狀組件，所述基座以及環(huán)狀組件用于放置晶圓；
5、所述基座上表面與側(cè)壁連接處設(shè)置有過渡倒角，所述基座下表面與所述側(cè)壁之間夾角為小于45°的銳角。
6、所述環(huán)狀組件環(huán)繞所述基座，且所述環(huán)狀組件上端高于所述晶圓上表面。
7、所述基座為下表面半徑大于上表面半徑的圓臺。
8、所述基座上表面與側(cè)壁連接處為圓倒角過渡。
9、所述基座側(cè)面嵌入所述環(huán)狀組件，所述基座圓倒角過渡區(qū)域不嵌入所述環(huán)狀組件。
10、所述基座下底部嵌入至所述環(huán)狀組件的下部。
11、所述環(huán)狀組件靠近所述基座一面設(shè)置有斜坡面，所述斜坡面與所述環(huán)狀組件外壁之間夾角為小于45°的銳角。
12、所述斜坡面的起點位置低于所述基座的圓倒角過渡區(qū)域。
13、所述基座為金屬基座，所述基座與所述環(huán)狀組件中心同軸。
14、本實用新型的有益效果是：
15、本實用新型提供一種等離子體濺射裝置，基座上表面與側(cè)壁連接處設(shè)計為圓倒角(減少電荷聚集)，下表面與側(cè)壁之間的截面形成銳角(增加電荷聚集)，使得增加電荷聚集的位置遠離晶圓邊緣(wafer?edge)處，進而改變氬離子的轟擊方向，避免均勻度偏差，進一步提高產(chǎn)品良率。
16、為讓本實用新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。
1.一種等離子體濺射裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體濺射裝置，其特征在于，所述環(huán)狀組件環(huán)繞所述基座，且所述環(huán)狀組件上端高于所述晶圓上表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體濺射裝置，其特征在于，所述基座為下表面半徑大于上表面半徑的圓臺。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種等離子體濺射裝置，其特征在于，所述基座上表面與側(cè)壁連接處為圓倒角過渡。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種等離子體濺射裝置，其特征在于，所述基座側(cè)面嵌入所述環(huán)狀組件，所述基座圓倒角過渡區(qū)域不嵌入所述環(huán)狀組件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種等離子體濺射裝置，其特征在于，所述基座下底部嵌入至所述環(huán)狀組件的下部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種等離子體濺射裝置，其特征在于，所述環(huán)狀組件靠近所述基座一面設(shè)置有斜坡面，所述斜坡面與所述環(huán)狀組件外壁之間夾角為小于45°的銳角。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種等離子體濺射裝置，其特征在于，所述斜坡面的起點位置低于所述基座的圓倒角過渡區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體濺射裝置，其特征在于，所述基座為金屬基座，所述基座與所述環(huán)狀組件中心同軸。