本技術涉及鍍膜設備，尤其涉及一種納米級分層沉積的ito膜鍍膜裝置。
背景技術：
1、ito薄膜作為一種優(yōu)秀的透明導電材料，全稱為氧化銦錫薄膜，它具有高透明度、低電阻、優(yōu)良的導電性能和化學穩(wěn)定性，在各個領域展現(xiàn)出了廣闊的應用前景。
2、存在以下問題：ito薄膜鍍膜，磁控濺射鍍膜技術是最主流技術，但是利用磁控濺射方法制備ito薄膜時，通常要求對基底進行200℃以上的高溫加熱，才能得到品質優(yōu)秀的結晶ito薄膜，理論上，ito結晶溫度很低，80℃便開始結晶，但是ito晶化是需要從外部獲得能量的過程，基底80℃溫度較低，獲得能量的速度慢，ito薄膜晶化速率很慢，晶化程度很低，當基底溫度上升到200℃以上時，ito晶化速率大幅度提升，晶化程度提高，達到相對理想的ito膜質，隨著電子產品的發(fā)展，基底材質的多樣化，諸多材質基板尤其是柔性塑料基板材料無法承受200℃溫度的高溫鍍膜，因此在低溫下制備優(yōu)質的高透過率的ito薄膜存在困難。
技術實現(xiàn)思路
1、本部分的目的在于概述本實用新型的實施例的一些方面以及簡要介紹一些較佳實施例。在本部分以及本申請的說明書摘要和實用新型名稱中可能會做些簡化或省略以避免使本部分、說明書摘要和實用新型名稱的目的模糊，而這種簡化或省略不能用于限制本實用新型的范圍。
2、為解決上述問題，本實用新型采用如下的技術方案。
3、一種納米級分層沉積的ito膜鍍膜裝置，包括臺體，所述臺體的頂部安裝有機械手，臺體的一側外壁安裝有進片室，臺體的另一側外壁安裝有出片室，進片室的前方安裝有裝卸站，出片室的前方安裝有回流架，裝卸站與回流架的頂端均安裝有能夠拆卸的基片架，基片架中均安裝有基片治具，臺體的后端安裝有鍍膜室，鍍膜室的頂部中心處轉動連接有旋轉圓鼓，鍍膜室的頂部兩端均固定連接有ito陰極，鍍膜室的后端固定連接有icp離子源，旋轉圓鼓的兩端和鍍膜室的另外兩側均安裝有分子泵。
4、作為上述技術方案的進一步描述：
5、所述進片室的一端安裝有第一攝像機，所述進片室的另一端安裝有第二攝像機，所述進片室的外壁一側安裝有第一平移站。
6、作為上述技術方案的進一步描述：
7、所述出片室的一端安裝有第三攝像機，所述出片室的另一端安裝有第四攝像機，所述出片室的外壁另一側安裝有第二平移站。
8、作為上述技術方案的進一步描述：
9、所述第一平移站的外壁一側安裝有粗抽泵組，所述第二平移站的外壁另一側安裝有電柜，所述第一平移站的另一側外壁前端與裝卸站的一側外壁活動連接。
10、作為上述技術方案的進一步描述：
11、所述裝卸站的前端固定連接有底座，所述底座的兩端貫穿有電動升降柱，所述電動升降柱的頂端固定連接有站立板，所述第二平移站的一側外壁前端與回流架的另一側外壁活動連接，所述裝卸站與回流架的相對面活動連接。
12、作為上述技術方案的進一步描述：
13、所述臺體的底部一端開設有凹槽，所述凹槽的兩端均開設有卡槽，所述鍍膜室的前端固定連接有墊板，所述墊板的前端兩側均固定連接有l(wèi)型卡塊，所述l型卡塊的外壁頂端均與卡槽的內壁卡接。
14、作為上述技術方案的進一步描述：
15、所述鍍膜室的底部固定連接底板，所述底板的底部固定連接有多組承重板，所述承重板的兩端均固定連接有螺紋桿，所述螺紋桿的外壁頂端套接有滾輪板，所述螺紋桿的外壁底端均螺紋連接有螺母，所述滾輪板的底部中心處均固定連接有萬向輪。
16、相比于現(xiàn)有技術，本實用新型的有益效果為：
17、（1）本鍍膜裝置利用納米級分層沉積分區(qū)晶化的工藝方法和工藝原理，制作出納米級分層沉積分區(qū)晶化的鍍膜設備，解決了各種塑料、pcb、顯示或半導體器件等基板在低溫下沉積ito晶化程度不足，透過率偏低，均勻性差等性能問題。
18、（2）通過設置萬向輪，可以讓整個鍍膜室的移動更加方便，有助于降低工作人員的工作負擔，通過設置螺紋桿、滾輪板和螺母之間簡易的連接方式，使得萬向輪的拆裝步驟更加方便快捷，同時也便于對損壞的萬向輪進行更換，工作人員可以站在站立板上，對裝卸站上的工作內容進行操作，通過設置電動升降柱，可以帶動站立板一起上下移動，從而方便對工作人員的站立高度進行調節(jié)，可以滿足不同身高工作人員的需求。
1.一種納米級分層沉積的ito膜鍍膜裝置，包括臺體（1），其特征在于：所述臺體（1）的頂部安裝有機械手（2），臺體（1）的一側外壁安裝有進片室（4），臺體（1）的另一側外壁安裝有出片室（8），進片室（4）的前方安裝有裝卸站（13），出片室（8）的前方安裝有回流架（17），裝卸站（13）與回流架（17）的頂端均安裝有能夠拆卸的基片架（18），基片架（18）中均安裝有基片治具（19），臺體（1）的后端安裝有鍍膜室（22），鍍膜室（22）的頂部中心處轉動連接有旋轉圓鼓（25），鍍膜室（22）的頂部兩端均固定連接有ito陰極（26），鍍膜室（22）的后端固定連接有icp離子源（27），旋轉圓鼓（25）的兩端和鍍膜室（22）的另外兩側均安裝有分子泵（28）。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種納米級分層沉積的ito膜鍍膜裝置，其特征在于：所述進片室（4）的一端安裝有第一攝像機（3），所述進片室（4）的另一端安裝有第二攝像機（5），所述進片室（4）的外壁一側安裝有第一平移站（6）。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種納米級分層沉積的ito膜鍍膜裝置，其特征在于：所述出片室（8）的一端安裝有第三攝像機（7），所述出片室（8）的另一端安裝有第四攝像機（9），所述出片室（8）的外壁另一側安裝有第二平移站（10）。
4.根據(jù)權利要求3所述的一種納米級分層沉積的ito膜鍍膜裝置，其特征在于：所述第一平移站（6）的外壁一側安裝有粗抽泵組（11），所述第二平移站（10）的外壁另一側安裝有電柜（12），所述第一平移站（6）的另一側外壁前端與裝卸站（13）的一側外壁活動連接。
5.根據(jù)權利要求3所述的一種納米級分層沉積的ito膜鍍膜裝置，其特征在于：所述裝卸站（13）的前端固定連接有底座（14），所述底座（14）的兩端貫穿有電動升降柱（15），所述電動升降柱（15）的頂端固定連接有站立板（16），所述第二平移站（10）的一側外壁前端與回流架（17）的另一側外壁活動連接，所述裝卸站（13）與回流架（17）的相對面活動連接。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種納米級分層沉積的ito膜鍍膜裝置，其特征在于：所述臺體（1）的底部一端開設有凹槽（20），所述凹槽（20）的兩端均開設有卡槽（21），所述鍍膜室（22）的前端固定連接有墊板（23），所述墊板（23）的前端兩側均固定連接有l(wèi)型卡塊（24），所述l型卡塊（24）的外壁頂端均與卡槽（21）的內壁卡接。
7.根據(jù)權利要求1所述的一種納米級分層沉積的ito膜鍍膜裝置，其特征在于：所述鍍膜室（22）的底部固定連接底板（29），所述底板（29）的底部固定連接有多組承重板（30），所述承重板（30）的兩端均固定連接有螺紋桿（31），所述螺紋桿（31）的外壁頂端套接有滾輪板（32），所述螺紋桿（31）的外壁底端均螺紋連接有螺母（33），所述滾輪板（32）的底部中心處均固定連接有萬向輪（34）。