本申請(qǐng)涉及dcb基板制備，具體涉及一種降低覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩的方法。
背景技術(shù)：
1、dcb技術(shù)是利用銅的含氧共晶液直接將銅敷接在陶瓷上，其基本原理就是敷接過程前或過程中在銅與陶瓷之間引入適量的氧元素，在一定的溫度范圍內(nèi)，銅與氧形成cu-o共晶液，浸潤銅箔實(shí)現(xiàn)陶瓷基板與銅板的結(jié)合。
2、目前覆銅陶瓷基板的生產(chǎn)基本是分兩次燒結(jié)，即燒結(jié)完一面再燒另一面，但存在以下問題：使用隧道爐燒結(jié)產(chǎn)品時(shí)爐膛內(nèi)的金屬灰塵會(huì)揚(yáng)起到產(chǎn)品上，經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)后會(huì)在產(chǎn)品表面形成凸起物疙瘩，從而造成dcb基板產(chǎn)品的銅層表面不平整，影響導(dǎo)電性能，使熱阻增加，同時(shí)疙瘩處可造成熱應(yīng)力機(jī)中，增加基板裂紋的風(fēng)險(xiǎn)，降低產(chǎn)品良率和增加生產(chǎn)成本。
3、鑒于此，提出本申請(qǐng)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于提供一種降低覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩的方法，主要在網(wǎng)帶的下方設(shè)置鼓泡清洗槽，同時(shí)網(wǎng)帶清潔完畢后，降低下批次dcb基板燒結(jié)時(shí)的溫度，減少覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩，提高產(chǎn)品的良率，解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。
2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用了以下方案：
3、一種降低覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩的方法，包括以下步驟：
4、步驟一：在隧道爐內(nèi)部網(wǎng)帶的下方增設(shè)清洗槽，使清洗槽上方的網(wǎng)帶位于清洗槽的內(nèi)部；
5、步驟二：若監(jiān)測(cè)到燒結(jié)完成的覆銅陶瓷基板表面存在疙瘩時(shí)，則驅(qū)動(dòng)清洗槽內(nèi)部加水進(jìn)行網(wǎng)帶清洗；
6、步驟三：清洗完成后，降低下批陶瓷基板和銅箔燒結(jié)時(shí)的溫度。
7、進(jìn)一步優(yōu)選地，所述清洗槽的內(nèi)部設(shè)置轉(zhuǎn)動(dòng)輥，位于清洗槽內(nèi)部的網(wǎng)帶位于轉(zhuǎn)動(dòng)輥的下方。
8、進(jìn)一步優(yōu)選地，所述清洗槽為鼓泡清洗槽。
9、鼓泡清洗槽內(nèi)設(shè)置進(jìn)水管、排水管和鼓泡管，鼓泡管將壓縮空氣輸送至液體內(nèi)，形成渦流，此渦流幫助氣體均勻分布在純水液體中，從而對(duì)鼓泡清洗槽內(nèi)部的網(wǎng)帶起到振蕩作用，進(jìn)行清洗，洗脫網(wǎng)帶上粘附的金屬灰塵，降低后續(xù)燒結(jié)完成的覆銅陶瓷基板表面的凸起物疙瘩，提高產(chǎn)品良率，降低生產(chǎn)成本。
10、進(jìn)一步優(yōu)選地，所述鼓泡清洗槽的尺寸為1m×50cm×30cm。
11、進(jìn)一步優(yōu)選地，采用純水進(jìn)行清洗。
12、進(jìn)一步優(yōu)選地，所述步驟二中的清洗時(shí)間為3～5h，鼓泡壓力為2～4mpa。
13、進(jìn)一步優(yōu)選地，所述步驟二和步驟三中，網(wǎng)帶的帶速為100～150mm/min。
14、進(jìn)一步優(yōu)選地，步驟三中，陶瓷基板與銅箔燒結(jié)時(shí)的溫度為1066～1073℃。
15、進(jìn)一步優(yōu)選地，所述陶瓷基板與銅箔進(jìn)行燒結(jié)時(shí)依次途徑四個(gè)升溫區(qū)、四個(gè)恒溫區(qū)及三個(gè)降溫區(qū)；
16、四個(gè)升溫區(qū)依次為溫度設(shè)置在600～700℃、700～850℃、850～960℃、850～1050℃之間；
17、升溫區(qū)的總長度為1000～1200mm；陶瓷基板與銅箔通過升溫區(qū)的時(shí)間為9～15min；
18、四個(gè)升溫區(qū)的通過時(shí)間依次為3～4.5min，3～4.5min，3～4.5min，3～4.5min；
19、四個(gè)恒溫區(qū)的溫度設(shè)置在1066～1073℃之間；恒溫區(qū)的總長度為1300～1500mm；陶瓷基板與銅箔通過恒溫區(qū)的時(shí)間為14～18min；
20、三個(gè)降溫區(qū)依次為溫度設(shè)置在1025～1035℃、970～980℃、920～930℃之間；
21、降溫區(qū)的總長度為1000～1100mm；陶瓷基板與銅箔通過降溫區(qū)的時(shí)間為9～13min。
22、進(jìn)一步優(yōu)選地，步驟三中的燒結(jié)溫度低于步驟二中的燒結(jié)溫度2～4℃。
23、本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明采用鼓泡清洗槽及燒結(jié)溫度處于1066～1073℃，鼓泡清洗槽內(nèi)的鼓泡管將壓縮空氣輸送至液體內(nèi)，形成渦流，此渦流幫助氣體均勻分布在純水液體中，從而對(duì)鼓泡清洗槽內(nèi)部的網(wǎng)帶起到振蕩作用，進(jìn)行清洗，洗脫網(wǎng)帶上粘附的金屬灰塵，同時(shí)降低下一批次的燒結(jié)溫度，使覆銅陶瓷基板表面凸起物疙瘩的顯著降低。
1.一種降低覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩的方法，其特征在于，所述清洗槽的內(nèi)部設(shè)置轉(zhuǎn)動(dòng)輥，位于清洗槽內(nèi)部的網(wǎng)帶位于轉(zhuǎn)動(dòng)輥的下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩的方法，其特征在于，所述清洗槽為鼓泡清洗槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種降低覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩的方法，其特征在于，所述鼓泡清洗槽的尺寸為1m×50cm×30cm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種降低覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩的方法，其特征在于，采用純水進(jìn)行清洗。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種降低覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩的方法，其特征在于，所述步驟二中的清洗時(shí)間為3～5h，鼓泡壓力為2～4mpa。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種降低覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩的方法，其特征在于，所述步驟二和步驟三中，網(wǎng)帶的帶速為100～150mm/min。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種降低覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩的方法，其特征在于，步驟三中，陶瓷基板與銅箔燒結(jié)時(shí)的溫度為1066～1073℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種降低覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩的方法，其特征在于，所述陶瓷基板與銅箔進(jìn)行燒結(jié)時(shí)依次途徑四個(gè)升溫區(qū)、四個(gè)恒溫區(qū)及三個(gè)降溫區(qū)；
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種降低覆銅陶瓷基板產(chǎn)品表面疙瘩的方法，其特征在于，步驟三中的燒結(jié)溫度低于步驟二中的燒結(jié)溫度2～4℃。