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信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
  • 光學(xué)媒體盤以及對(duì)于數(shù)據(jù)訪問進(jìn)行控制的方法和設(shè)備與流程
    光學(xué)媒體盤以及對(duì)于數(shù)據(jù)訪問進(jìn)行控制的方法和設(shè)備本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?00680017615.9(PCT國際申請(qǐng)?zhí)枮镻CT/US2006/008921)、國際申請(qǐng)日為2006年3月10日、發(fā)明名稱為“防止光學(xué)媒體的盜竊”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。本發(fā)明一般涉及光學(xué)媒體內(nèi)容,具體而言,涉及在媒體通...
  • 一種消除精細(xì)延遲與粗延遲誤差的LPDDR5 Read Training方法及系統(tǒng)與流程
    本發(fā)明涉及集成電路,具體涉及一種消除精細(xì)延遲與粗延遲誤差的lpddr?read?training方法及系統(tǒng)。、在lpddr中,顆粒返回的dq[:]需要通過返回的rdqs時(shí)鐘采樣,但是由于頻率很高,周期很小,所以必須針對(duì)每個(gè)dq對(duì)rdqs的delay進(jìn)行training,從而確保rdqs能夠...
  • 一種硬盤老化測試方法與流程
    本發(fā)明涉及硬件監(jiān)測領(lǐng)域,特別涉及一種硬盤老化測試方法。、現(xiàn)有硬盤老化測試技術(shù)中,傳統(tǒng)方法通常依賴單臺(tái)計(jì)算機(jī)直接連接單個(gè)硬盤進(jìn)行獨(dú)立測試,通過計(jì)算機(jī)電源為硬盤供電并傳輸數(shù)據(jù)。隨著硬盤批量生產(chǎn)檢測需求的提升,部分方案嘗試通過簡單并聯(lián)方式實(shí)現(xiàn)多硬盤接入,但仍存在顯著缺陷:其一,數(shù)據(jù)傳輸方面,多硬...
  • 一種用于閃存芯片的耐久性測試方法及裝置與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試,具體為一種用于閃存芯片的耐久性測試方法及裝置。、閃存芯片是一種非易失性存儲(chǔ)器,能夠在斷電的情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。它廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,比如智能手機(jī)、固態(tài)硬盤、usb閃存盤、存儲(chǔ)卡等,用于存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序、個(gè)人數(shù)據(jù)等信息,閃存芯片的耐久性測試是半導(dǎo)體測試中的一部分...
  • 存儲(chǔ)器系統(tǒng)以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制作方法
    實(shí)施方式涉及一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)、以及存儲(chǔ)器系統(tǒng)中包含的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。、作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,已知有包含nand型閃速存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。、[文獻(xiàn)]、[專利文獻(xiàn)]、專利文獻(xiàn):美國專利申請(qǐng)案公開第/號(hào)說明書技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、[發(fā)明要解決的問題]、提供一種能夠?qū)?dòng)作高速化的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。、[解決問...
  • 存儲(chǔ)器裝置的制作方法
    本發(fā)明是關(guān)于存儲(chǔ)器裝置。、半導(dǎo)體集成電路(ic)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)生產(chǎn)了各種數(shù)字裝置,以應(yīng)對(duì)多個(gè)不同領(lǐng)域的問題。其中一些數(shù)字裝置,如存儲(chǔ)器裝置,被配置用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。一個(gè)存儲(chǔ)器裝置包括一個(gè)與字元線耦接的存儲(chǔ)單元。進(jìn)行讀取操作以讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù),需要使用字元線信號(hào)驅(qū)動(dòng)字元線。隨著集成電路變得更...
  • 存儲(chǔ)器電路及其操作方法與流程
    本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及存儲(chǔ)器電路及其操作方法。、半導(dǎo)體工業(yè)由于各種電子部件(例如,晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度的不斷提高而經(jīng)歷了快速發(fā)展。在大多數(shù)情況下,集成度的這種改進(jìn)來自最小部件尺寸的不斷減小,這允許更多的組件集成到給定區(qū)域內(nèi)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一個(gè)方面,提供...
  • 記憶體電路及其操作方法與流程
    本揭示是關(guān)于一種記憶體電路及其操作方法。、半導(dǎo)體集成電路(integrated?circuit,ic)行業(yè)生產(chǎn)了廣泛多種數(shù)位裝置,以解決許多不同領(lǐng)域的問題。這些數(shù)位裝置中的一些,諸如記憶體巨集,組態(tài)用于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。隨著ic變得更小且更復(fù)雜,這些數(shù)位裝置內(nèi)的導(dǎo)線的電阻亦會(huì)發(fā)生變化,從而影響這些...
  • 一種存儲(chǔ)裝置的制作方法
    本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ),特別是涉及一種存儲(chǔ)裝置。、現(xiàn)有技術(shù)中,存儲(chǔ)塊通常具有兩個(gè)存儲(chǔ)面,一個(gè)存儲(chǔ)面上通常設(shè)置有兩個(gè)以上存儲(chǔ)區(qū)域,每個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域上通常設(shè)置有存儲(chǔ)陣列,單個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域上的存儲(chǔ)陣列包括普通存儲(chǔ)陣列和冗余存儲(chǔ)陣列,每個(gè)存儲(chǔ)陣列中的冗余存儲(chǔ)陣列的冗余位線通常用于映射替換普通存儲(chǔ)陣列中的損壞...
  • 時(shí)序計(jì)數(shù)器控制方法、電路、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)與流程
    本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)應(yīng)用,尤其涉及一種時(shí)序計(jì)數(shù)器控制方法、電路、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。、時(shí)序計(jì)數(shù)器是ddr內(nèi)存控制器的核心部分之一,主要用于實(shí)現(xiàn)對(duì)ddr內(nèi)存要求的各種讀寫時(shí)序進(jìn)行檢查。ddr內(nèi)存的讀寫時(shí)序種類比較多,現(xiàn)有ddr內(nèi)存時(shí)序器通常會(huì)為每個(gè)讀寫時(shí)序部署一個(gè)計(jì)數(shù)器,以滿足ddr內(nèi)存各種讀寫...
  • 存算一體芯片及其操作方法與流程
    本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體,尤其涉及一種存算一體芯片及其操作方法。、隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷演進(jìn),傳統(tǒng)馮·諾依曼架構(gòu)面臨著越來越嚴(yán)重的“存儲(chǔ)墻”和“功耗墻”問題。訪存帶寬難以跟上算力密度的發(fā)展,嚴(yán)重制約了系統(tǒng)性能的提升,此外數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)和計(jì)算之間的頻繁搬運(yùn)帶來了難以承受的功耗和散熱問題。為了解決訪存帶寬和能...
  • 具有虛設(shè)區(qū)域的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法
    本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體,并且具體地涉及具有虛設(shè)區(qū)域的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。、半導(dǎo)體集成電路(ic)行業(yè)已經(jīng)歷了指數(shù)級(jí)的增長。ic材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了幾代ic,其中每一代ic都具有比上一代更小且更復(fù)雜的電路。在ic發(fā)展的過程中,功能密度(即,單位芯片面積的互連器件的數(shù)量)通常增大,而幾何尺寸(即,...
  • 一種面向快速數(shù)論變換的內(nèi)存地址訪存控制系統(tǒng)
    本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī),特別涉及一種面向快速數(shù)論變換的內(nèi)存地址訪存控制系統(tǒng)。、量子計(jì)算機(jī)的快速發(fā)展對(duì)原有的公鑰加密算法(如rsa、ecc)產(chǎn)生了巨大的安全威脅,為解決該問題,各種可以抵御量子計(jì)算機(jī)攻擊的后量子密碼方案應(yīng)運(yùn)而生。其中有美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院(nist)標(biāo)準(zhǔn)化的基于格的crysta...
  • 非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和對(duì)應(yīng)控制方法與流程
    本發(fā)明的實(shí)施例涉及集成電路和方法,特別地涉及包括存儲(chǔ)器設(shè)備(諸如非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備)的集成電路和方法。、非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器“nvsram”是在存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)據(jù)的單個(gè)存儲(chǔ)器點(diǎn)中組合了靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器“sram”單元和非易失性存儲(chǔ)器(例如電可擦除可編程類型)的存儲(chǔ)器,諸如電...
  • 一種SOT-MRAM差分存儲(chǔ)單元及其工作方法
    本發(fā)明屬于非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域,具體涉及一種sot-mram差分存儲(chǔ)單元及其工作方法。、隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展,磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)因其非易失性、高速度及高耐久性等優(yōu)勢成為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的候選之一。其中,自旋軌道轉(zhuǎn)矩(spin-orbittorque,sot)驅(qū)動(dòng)的磁隧道結(jié)(m...
  • 存儲(chǔ)卡的參數(shù)標(biāo)定方法、裝置、電子設(shè)備以及介質(zhì)與流程
    本申請(qǐng)涉及數(shù)據(jù)處理,具體涉及一種存儲(chǔ)卡的參數(shù)標(biāo)定方法、裝置、電子設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)。、在現(xiàn)有技術(shù)中,存儲(chǔ)卡作為廣泛應(yīng)用的存儲(chǔ)設(shè)備,與電子設(shè)備的兼容性問題一直存在。不同品牌、規(guī)格的存儲(chǔ)卡,其電氣特性、工作電流、通信頻率需求存在差異,導(dǎo)致同一電子設(shè)備對(duì)部分存儲(chǔ)卡能夠正常識(shí)別使用,而對(duì)其他存儲(chǔ)卡則...
  • 閃存數(shù)據(jù)的自適應(yīng)重讀方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)與流程
    本發(fā)明涉及閃存重讀,尤其是涉及一種閃存數(shù)據(jù)的自適應(yīng)重讀方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。、隨著閃存技術(shù)的快速發(fā)展,存儲(chǔ)密度和容量顯著提升,但電荷存儲(chǔ)單元的微觀物理特性也面臨更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。在閃存單元中,電子偏移現(xiàn)象成為數(shù)據(jù)可靠性的核心威脅;由于溫度波動(dòng)、多次磨損操作及長期靜置等因素,存儲(chǔ)電荷的...
  • 一種基于IO任務(wù)穿插多維度操作的盤片測試方法及系統(tǒng)與流程
    本發(fā)明涉及盤片測試,尤其涉及一種基于io任務(wù)穿插多維度操作的盤片測試方法及系統(tǒng)。、當(dāng)前數(shù)據(jù)存儲(chǔ)高度依賴各類盤片,盤片性能與穩(wěn)定性直接關(guān)系到數(shù)據(jù)安全與高效處理。然而現(xiàn)有的盤片測試方法存在顯著不足,無法全面、準(zhǔn)確評(píng)估盤片質(zhì)量,具體如下:、)測試場景單一與實(shí)際脫節(jié):傳統(tǒng)盤片測試多聚焦于單一io性...
  • 一種基于信息安全的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的制作方法
    本技術(shù)屬于信息安全存儲(chǔ),具體涉及一種基于信息安全的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。、存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備,其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)器按用途存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器(內(nèi)存)和輔助存儲(chǔ)器(外存),也有分為外部存儲(chǔ)器和內(nèi)部存儲(chǔ)器的分類方法...
  • 一種組裝更方便的CD播放機(jī)的制作方法
    本技術(shù)涉及電子產(chǎn)品,尤其涉及一種cd播放機(jī)。、cd播放機(jī)曾經(jīng)是非常流行的便攜式視聽設(shè)備,隨著藍(lán)牙技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)的cd播放機(jī)又被注入了新的技術(shù)動(dòng)力。cd播放機(jī)都設(shè)置有cd門用來蓋住cd碟片,cd門通常設(shè)置有左右兩軸座與主機(jī)上的左右兩軸部相配,兩軸部分別往外側(cè)伸出有門軸和限位軸,兩軸座分別設(shè)...
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