本發(fā)明涉及一種電子電路，尤其涉及一種欠電壓鎖定(undervoltage-lockout，uvlo)電路。
背景技術：
1、圖1是現(xiàn)行用于一電子電路的欠電壓鎖定(undervoltage-lockout，uvlo)電路的電路示意圖。欠電壓鎖定電路10能夠依據(jù)系統(tǒng)高電壓vdd的電壓值來決定是否停止電子電路的運行。欠電壓鎖定電路10包括電阻器r1、r2、r3、晶體管mp、比較器cp以及反相器ivt。欠電壓鎖定電路10利用電阻器r1、r2、r3以及晶體管mp來對系統(tǒng)高電壓vdd進行分壓來產(chǎn)生一輸入電壓vb。比較器cp比較輸入電壓vb以及參考電壓vref。當輸入電壓vb的電壓值高于參考電壓vref的電壓值時，比較器cp提供具有低電壓電平的信號。因此，反相器ivt提供具有高電壓電平的欠電壓鎖定信號vout。具有高電壓電平的欠電壓鎖定信號vout能夠使電子電路繼續(xù)運行。此時，晶體管mp被導通。因此，電阻器r1被旁路(bypassed)。輸入電壓vb的電壓值被上升。
2、當輸入電壓vb的電壓值低于參考電壓vref的電壓值時，比較器cp提供具有高電壓電平的信號。因此，反相器ivt提供具有低電壓電平的欠電壓鎖定信號vout。具有低電壓電平的欠電壓鎖定信號vout能夠使電子電路停止運行。此時，晶體管mp被斷開。因此，電阻器r1不被旁路。輸入電壓vb的電壓值被下降。晶體管mp提供了遲滯(hysteresis)功能。
3、然而，欠電壓鎖定電路10利用電阻器r1、r2、r3來對系統(tǒng)高電壓vdd進行分壓。因此，欠電壓鎖定電路10具有較大的消耗功率。若要降低欠電壓鎖定電路10的消耗功率，電阻器r1、r2、r3的電阻值則要被提高。因此，電阻器r1、r2、r3的布局面積被大幅增加。因此，如何提供一種具有低消耗功率以及低布局面積的欠電壓鎖定電路，是本領域技術人員的研究重點之一。
技術實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明提供一種具有低消耗功率以及低布局面積的欠電壓鎖定電路。
2、本發(fā)明的欠電壓鎖定電路包括電流鏡電路、電流源、第一參考晶體管、第二參考晶體管以及比較電路。電流鏡電路耦接于系統(tǒng)高電壓。電流鏡電路包括第一連接端以及第二連接端。電流源耦接于第一連接端。第一參考晶體管的第一端耦接于第二連接端。第一參考晶體管的第二端提供參考電壓。第二參考晶體管的第一端耦接于第一參考晶體管的第二端。第二參考晶體管的第二端耦接于系統(tǒng)低電壓。比較電路耦接于第一參考晶體管的第二端以及第一連接端。比較電路接收位于第一連接端的輸入電壓以及參考電壓。比較電路依據(jù)輸入電壓以及參考電壓來產(chǎn)生欠電壓鎖定信號。
3、基于上述，欠電壓鎖定電路依據(jù)位于第一連接端的輸入電壓以及位于第一參考晶體管的第二端的參考電壓來產(chǎn)生欠電壓鎖定信號。應注意的是，本發(fā)明是利用電流鏡電路以及電流源來提供對應于系統(tǒng)高電壓的輸入電壓。因此，欠電壓鎖定電路并不需要利用多個電阻器來對系統(tǒng)高電壓進行分壓來產(chǎn)生輸入電壓。如此一來，欠電壓鎖定電路的布局面積以及消耗功率都能夠被大幅降低。
1.一種欠電壓鎖定電路，其特征在于，所述欠電壓鎖定電路包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的欠電壓鎖定電路，其特征在于：
3.根據(jù)權利要求1所述的欠電壓鎖定電路，其特征在于，所述參考電壓的電壓值基于所述第一參考晶體管的臨界電壓值以及所述第二參考晶體管的臨界電壓值來決定。
4.根據(jù)權利要求1所述的欠電壓鎖定電路，其特征在于，所述電流鏡電路還包括：
5.根據(jù)權利要求4所述的欠電壓鎖定電路，其特征在于，所述第一參考晶體管的控制端以及所述第二參考晶體管的控制端耦接于所述第二連接端。
6.根據(jù)權利要求1所述的欠電壓鎖定電路，其特征在于，所述電流鏡電路還包括：
7.根據(jù)權利要求6所述的欠電壓鎖定電路，其特征在于，所述第一參考晶體管的控制端以及所述第二參考晶體管的控制端耦接于所述第二連接端。
8.根據(jù)權利要求6所述的欠電壓鎖定電路，其特征在于，所述電流源包括：
9.根據(jù)權利要求8所述的欠電壓鎖定電路，其特征在于，所述第一參考晶體管的控制端以及所述第二參考晶體管的控制端耦接于所述第二電流鏡晶體管的第二端。
10.根據(jù)權利要求1所述的欠電壓鎖定電路，其特征在于，所述比較電路包括：