本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
1、在傳統(tǒng)發(fā)光二極管顯示面板中，多種顏色的發(fā)光二極管設(shè)置在布滿電路(包括驅(qū)動(dòng)元件以及導(dǎo)線)的同一個(gè)平面上，以實(shí)現(xiàn)全彩顯示。然而，多種顏色的發(fā)光二極管之間隨著分辨率的提升而越靠越近，使得電路變得太擁擠，造成制作困難。此外，將多種顏色的發(fā)光二極管設(shè)置在同一個(gè)平面上會(huì)占用較大的面積，導(dǎo)致分辨率難以提升。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其有助于提升分辨率或節(jié)省制造工序。
2、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基板、第一型半導(dǎo)體層、發(fā)光疊層以及第二型半導(dǎo)體層。第一型半導(dǎo)體層設(shè)置在基板上。發(fā)光疊層包括堆疊在第一型半導(dǎo)體層上的多個(gè)發(fā)光層。多個(gè)發(fā)光層分別用以發(fā)出不同色光，且不同色光的波長(zhǎng)落在200nm至2000nm的范圍內(nèi)。第二型半導(dǎo)體層設(shè)置在發(fā)光疊層上。
3、為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個(gè)發(fā)光層的數(shù)量大于或等于三。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有出光區(qū)以及環(huán)繞所述出光區(qū)的周邊區(qū)，且所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣體的表面電阻是所述第一型半導(dǎo)體層、所述發(fā)光疊層以及所述第二型半導(dǎo)體層中的任一者的表面電阻的2倍以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣體是經(jīng)由離子注入、離子轟擊、氧化或擴(kuò)散形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二絕緣體的厚度小于所述第二型半導(dǎo)體層以及所述發(fā)光疊層的厚度總和。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二絕緣體的表面電阻是所述發(fā)光疊層以及所述第二型半導(dǎo)體層中的任一者的表面電阻的1.5倍以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二絕緣體是經(jīng)由離子注入、離子轟擊或氧化形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電流擴(kuò)散層是透光導(dǎo)電層，且所述電流擴(kuò)散層還設(shè)置在所述第二絕緣體上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電流擴(kuò)散層是遮光導(dǎo)電層，且所述電流擴(kuò)散層曝露出所述第二絕緣體。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有多個(gè)所述出光區(qū)，且多個(gè)所述出光區(qū)的一個(gè)中設(shè)置有所述第二絕緣體。
15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括多個(gè)所述第二絕緣體，且所述出光區(qū)設(shè)置有多個(gè)所述第二絕緣體。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個(gè)所述第二絕緣體具有不同的厚度。