本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種超結(jié)器件，還涉及一種超結(jié)器件的制造方法。
背景技術(shù)：
1、超級結(jié)結(jié)構(gòu)的使用縱向交替的pn結(jié)結(jié)構(gòu)代替?zhèn)鹘y(tǒng)功率器件中的均勻低摻雜高阻漂移層，能夠獲得更低的導(dǎo)通電阻。
2、然而在橫向器件中，尤其是在漏端高壓之下，由于襯底輔助耗盡效應(yīng)的影響，使得超結(jié)結(jié)構(gòu)的p/n區(qū)的電荷平衡被打破，使得耐壓急劇下降。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、基于此，有必要提供一種耐壓（擊穿電壓）較高的超結(jié)器件。
2、一種超結(jié)器件，包括：襯底；橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上，包括沿第一方向交替排列的n型區(qū)和p型區(qū)，所述n型區(qū)和p型區(qū)在水平面上的延伸方向垂直于所述第一方向；縱向超結(jié)結(jié)構(gòu)，位于所述橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)上，包括第二導(dǎo)電類型層和頂部第一導(dǎo)電類型層，所述頂部第一導(dǎo)電類型層位于所述縱向超結(jié)結(jié)構(gòu)的頂層，所述第二導(dǎo)電類型層位于所述頂部第一導(dǎo)電類型層下方；第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型為相反的導(dǎo)電類型；漏極區(qū)，至少部分位于所述頂部第一導(dǎo)電類型層中；阱區(qū)；至少部分所述橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)和至少部分所述縱向超結(jié)結(jié)構(gòu)位于所述阱區(qū)與所述漏極區(qū)之間，位于所述阱區(qū)與所述漏極區(qū)之間的n型區(qū)和p型區(qū)從所述阱區(qū)所在的一側(cè)向所述漏極區(qū)所在的一側(cè)延伸；源極區(qū)，位于所述阱區(qū)中，所述源極區(qū)的導(dǎo)電類型與所述阱區(qū)相反；柵極。
3、上述超結(jié)器件，通過位于橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)上的縱向超結(jié)結(jié)構(gòu)來抵消漏端顯著的襯底輔助耗盡效應(yīng)，使得橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)的n型區(qū)和p型區(qū)達(dá)到電荷平衡，提高了器件的擊穿電壓。并且頂部第一導(dǎo)電類型層在器件導(dǎo)通時(shí)能夠提供電流通路，進(jìn)一步降低了器件的比導(dǎo)通電阻。
4、在其中一個(gè)實(shí)施例中，至少部分所述柵極位于所述漏極區(qū)和源極區(qū)之間的區(qū)域上方。
5、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述超結(jié)器件還包括場板結(jié)構(gòu)，所述場板結(jié)構(gòu)位于所述柵極與所述漏極區(qū)之間，且靠近所述漏極區(qū)設(shè)置；所述場板結(jié)構(gòu)包括絕緣層和導(dǎo)電部，所述絕緣層設(shè)于凹陷結(jié)構(gòu)的內(nèi)表面，所述導(dǎo)電部位于所述凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)且四周及底面被所述絕緣層包圍，所述導(dǎo)電部底部伸入所述橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)中。
6、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述源極區(qū)和漏極區(qū)為沿所述第一方向延伸的條狀結(jié)構(gòu)。
7、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述場板結(jié)構(gòu)包括沿所述第一方向排成一列的多個(gè)。
8、在其中一個(gè)實(shí)施例中，沿所述第一方向排成一列的各所述場板結(jié)構(gòu)電性連接。
9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述場板結(jié)構(gòu)為浮空場板。
10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)電部的材質(zhì)為多晶硅。
11、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述器件是橫向器件。
12、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述器件是橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。
13、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二導(dǎo)電類型層從靠近所述源極區(qū)的一側(cè)延伸至所述漏極區(qū)與所述柵極之間的區(qū)域下方，從而使所述橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)的上表面在所述第二導(dǎo)電類型層遠(yuǎn)離所述極區(qū)的一側(cè)邊緣形成向上凸起的階梯結(jié)構(gòu)。
14、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述縱向超結(jié)結(jié)構(gòu)還包括底部第一導(dǎo)電類型層，所述底部第一導(dǎo)電類型層位于所述縱向超結(jié)結(jié)構(gòu)的底層，所述底部第一導(dǎo)電類型層包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述第二區(qū)的摻雜濃度大于所述第一區(qū)的摻雜濃度，所述第二區(qū)靠近所述漏極區(qū)設(shè)置，所述第一區(qū)靠近所述源極區(qū)設(shè)置。
15、還有必要提供一種超結(jié)器件的制造方法。
16、一種超結(jié)器件的制造方法，包括：獲取在襯底上形成有橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)的晶圓；所述橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)包括沿第一方向交替排列的n型區(qū)和p型區(qū)，所述n型區(qū)和p型區(qū)在水平面上的延伸方向垂直于所述第一方向；形成至少部分位于所述襯底上的阱區(qū)，并在所述橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)的頂部形成縱向超結(jié)結(jié)構(gòu)；所述縱向超結(jié)結(jié)構(gòu)包括第二導(dǎo)電類型層和頂部第一導(dǎo)電類型層，所述頂部第一導(dǎo)電類型層位于所述縱向超結(jié)結(jié)構(gòu)的頂層，所述第二導(dǎo)電類型層位于所述頂部第一導(dǎo)電類型層下方；第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型為相反的導(dǎo)電類型；形成柵極、漏極區(qū)及源極區(qū)；所述源極區(qū)位于所述阱區(qū)中，至少部分所述橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)和至少部分所述縱向超結(jié)結(jié)構(gòu)位于所述阱區(qū)與所述漏極區(qū)之間，位于所述阱區(qū)與所述漏極區(qū)之間的n型區(qū)和p型區(qū)從所述阱區(qū)所在的一側(cè)向所述漏極區(qū)所在的一側(cè)延伸，所述柵極位于所述漏極區(qū)和源極區(qū)之間的區(qū)域上方；所述源極區(qū)的導(dǎo)電類型與所述阱區(qū)相反。
17、上述超結(jié)器件的制造方法，通過位于橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)上的縱向超結(jié)結(jié)構(gòu)來抵消漏端顯著的襯底輔助耗盡效應(yīng)，使得橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)的n型區(qū)和p型區(qū)達(dá)到電荷平衡，提高了器件的擊穿電壓。并且頂部第一導(dǎo)電類型層在器件導(dǎo)通時(shí)能夠提供電流通路，進(jìn)一步降低了器件的比導(dǎo)通電阻。
1.一種超結(jié)器件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超結(jié)器件，其特征在于，至少部分所述柵極位于所述漏極區(qū)和源極區(qū)之間的區(qū)域上方；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超結(jié)器件，其特征在于，所述場板結(jié)構(gòu)包括沿所述第一方向排成一列的多個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超結(jié)器件，其特征在于，沿所述第一方向排成一列的各所述場板結(jié)構(gòu)電性連接；和/或
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超結(jié)器件，其特征在于，所述導(dǎo)電部的材質(zhì)為多晶硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超結(jié)器件，其特征在于，所述源極區(qū)和漏極區(qū)為沿所述第一方向延伸的條狀結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超結(jié)器件，其特征在于，所述器件是橫向器件，或所述器件是橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的超結(jié)器件，其特征在于，所述第二導(dǎo)電類型層從靠近所述源極區(qū)的一側(cè)延伸至所述漏極區(qū)與所述柵極之間的區(qū)域下方，從而使所述橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)的上表面在所述第二導(dǎo)電類型層遠(yuǎn)離所述極區(qū)的一側(cè)邊緣形成向上凸起的階梯結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的超結(jié)器件，其特征在于，所述縱向超結(jié)結(jié)構(gòu)還包括底部第一導(dǎo)電類型層，所述底部第一導(dǎo)電類型層位于所述縱向超結(jié)結(jié)構(gòu)的底層，所述底部第一導(dǎo)電類型層包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述第二區(qū)的摻雜濃度大于所述第一區(qū)的摻雜濃度，所述第二區(qū)靠近所述漏極區(qū)設(shè)置，所述第一區(qū)靠近所述源極區(qū)設(shè)置。
10.一種超結(jié)器件的制造方法，包括：