本申請(qǐng)涉及光電，具體涉及一種光電器件的制備方法、光電器件以及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、光電器件是指一類利用半導(dǎo)體的光電效應(yīng)制成的器件，包括但不限于是發(fā)光器件、太陽能電池或光電探測器。以發(fā)光器件為例，發(fā)光器件包括但不限于是有機(jī)發(fā)光二極管10(organic?light-emitting?diode,oled)和量子點(diǎn)發(fā)光二極管(quantum?dot?lightemitting?diodes,qled)，oled/qled具有“三明治”結(jié)構(gòu)，即包括陽極、陰極以及發(fā)光層，其中，陽極與陰極相對(duì)設(shè)置，發(fā)光層設(shè)置于陽極與陰極之間，oled/qled的發(fā)光原理是：電子從器件的陰極注入至發(fā)光區(qū)，空穴從器件的陽極注入至發(fā)光區(qū)，電子和空穴在發(fā)光區(qū)復(fù)合形成激子，復(fù)合后的激子通過輻射躍遷的形式釋放光子，從而發(fā)光。

2、光電器件經(jīng)過多年的發(fā)展，性能指標(biāo)方面取得了巨大的進(jìn)步，也展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用發(fā)展?jié)摿Γ悄壳叭源嬖诓蛔阒?，光電器件的性能穩(wěn)定性有待進(jìn)一步地提升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光電器件的制備方法、光電器件以及電子設(shè)備。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光電器件的制備方法，包括如下步驟：

3、提供包括底電極和第一載流子功能層的第一預(yù)制器件，所述第一載流子功能層設(shè)置于所述底電極的一側(cè)，所述第一載流子功能層的材料包括第一金屬氧化物；

4、對(duì)所述第一預(yù)制器件進(jìn)行通電處理，獲得第二預(yù)制器件；以及

5、在所述第一載流子功能層遠(yuǎn)離所述底電極的一側(cè)形成頂電極，獲得光電器件。

6、第二方面，本申請(qǐng)還提供了一種光電器件，采用如第一方面中任意一種所述的制備方法制得。

7、第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括如第一方面中任意一種所述的制備方法制得的光電器件。

8、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光電器件的制備方法、光電器件以及電子設(shè)備，具有如下技術(shù)效果：

9、通過對(duì)第一預(yù)制器件進(jìn)行通電處理，使得第一載流子功能層提前達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)或接近穩(wěn)定狀態(tài)，能夠改善或避免完型器件在后續(xù)通電工作狀態(tài)下因第一載流子功能層的物化特性變化而出現(xiàn)“正老化效應(yīng)”的現(xiàn)象，進(jìn)而有利于提高光電器件的性能穩(wěn)定性和可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種光電器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述光電器件的制備方法還包括步驟：在所述通電處理的過程中，對(duì)所述第一載流子功能層的氧空位含量進(jìn)行檢測；和/或

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述通電處理中，向所述第一預(yù)制器件提供環(huán)境光，所述環(huán)境光為波長是490nm～780nm的單色光或平均波長為490nm～780nm的混合光；和/或

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述環(huán)境光為波長是550nm～570nm的單色光或平均波長為550nm～570nm的混合光；和/或

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述通電處理的時(shí)間為第一時(shí)間段，所述提供環(huán)境光的時(shí)間為第二時(shí)間段，所述第一時(shí)間段和所述第二時(shí)間段至少部分重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述通電處理的電流密度為10ma/cm2～900ma/cm2，和/或所述第一時(shí)間段為0.2h～80h；和/或

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)中所述的制備方法，其特征在于，所述第一載流子功能層為電子功能層，所述第一金屬氧化物選自摻雜或非摻雜的氧化鋅、摻雜或非摻雜的氧化鈦、摻雜或非摻雜的氧化錫、摻雜或非摻雜的氧化鋇、摻雜或非摻雜的氧化鉭、摻雜或非摻雜的氧化鋁以及摻雜或非摻雜的氧化鋯，其中，當(dāng)所述第一金屬氧化物為摻雜的金屬氧化物時(shí)，所述第一金屬氧化物的摻雜金屬元素選自鎂、鈣、鋯、鎢、鎵、鋰、鋁、鈦、釔、銦以及錫中的一種或多種。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第一預(yù)制器件還包括第二載流子功能層，所述第二載流子功能層設(shè)置于所述底電極與所述第一載流子功能層之間；或者，所述獲得第二預(yù)制器件的步驟之后且所述形成頂電極的步驟之前，所述光電器件的制備方法還包括步驟：在所述第一載流子功能層遠(yuǎn)離所述底電極的一側(cè)形成第二載流子功能層，所述頂電極形成于所述第二載流子功能層遠(yuǎn)離所述第一載流子功能層的一側(cè)；

9.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)中所述的制備方法，其特征在于，所述第一載流子功能層為空穴功能層，所述第一金屬氧化物選自摻雜或非摻雜的氧化鎳、摻雜或非摻雜的氧化鉬、摻雜或非摻雜的氧化鎢、摻雜或非摻雜的氧化釩、摻雜或非摻雜的氧化鉻以及摻雜或非摻雜的氧化銅中的一種或多種；當(dāng)所述第一金屬氧化物為摻雜的金屬氧化物時(shí)，所述第一金屬氧化物的摻雜元素選自鎳、鉬、鎢、釩、鉻、銅以及鉑族金屬元素中的一種或多種。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述獲得第二預(yù)制器件的步驟之后且所述形成頂電極的步驟之前，所述光電器件的制備方法還包括步驟：在所述第一載流子功能層遠(yuǎn)離所述底電極的一側(cè)形成第二載流子功能層，所述頂電極形成于所述第二載流子功能層遠(yuǎn)離所述第一載流子功能層的一側(cè)；或者，所述第一預(yù)制器件還包括第二載流子功能層，所述第二載流子功能層設(shè)置于所述底電極與所述第一載流子功能層之間；

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一預(yù)制器件還包括發(fā)光層，所述發(fā)光層設(shè)置于所述底電極與所述第一載流子功能層之間；或者，所述獲得第二預(yù)制器件的步驟之后且所述形成頂電極的步驟之前，所述光電器件的制備方法還包括步驟：在所述第一載流子功能層遠(yuǎn)離所述底電極的一側(cè)形成發(fā)光層，所述頂電極形成于所述發(fā)光層遠(yuǎn)離所述第一載流子功能層的一側(cè)；

12.一種光電器件，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)中所述的制備方法制得。

13.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)中所述的制備方法制得的光電器件。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開一種光電器件的制備方法、光電器件以及電子設(shè)備，所述光電器件的制備方法包括步驟：提供包括底電極和第一載流子功能層的第一預(yù)制器件，所述第一載流子功能層設(shè)置于所述底電極的一側(cè)，所述第一載流子功能層的材料包括第一金屬氧化物；對(duì)所述第一預(yù)制器件進(jìn)行通電處理，獲得第二預(yù)制器件；以及，在所述第二預(yù)制器件遠(yuǎn)離所述底電極的一側(cè)形成頂電極，獲得光電器件，有利于提高光電器件的性能穩(wěn)定性和可靠性；將所述光電器件的制備方法制得的光電器件應(yīng)用于電子設(shè)備中，有利于提高電子設(shè)備的顯示效果、使用壽命和性能穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：王勁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TCL科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/6/30