本公開內(nèi)容涉及發(fā)光器件和包括其的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
1、有機(jī)發(fā)光器件是自發(fā)射器件，其具有寬的視角、高的對比度、短的響應(yīng)時(shí)間以及在亮度、驅(qū)動(dòng)電壓和響應(yīng)速度方面的優(yōu)異的特性，以提供全色圖像。有機(jī)發(fā)光器件包括陽極、陰極、以及布置在陽極與陰極之間的發(fā)射層?？昭▊鬏攨^(qū)域可設(shè)置在陽極和發(fā)射層之間，并且電子傳輸區(qū)域可設(shè)置在發(fā)射層和陰極之間。從陽極提供的空穴通過空穴傳輸區(qū)域朝向發(fā)射層移動(dòng)，并且從陰極提供的電子通過電子傳輸區(qū)域朝向發(fā)射層移動(dòng)?？昭ê碗娮釉诎l(fā)射層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。激子可從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)并且在所述過程中發(fā)射給定波長范圍的光。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、在低灰階區(qū)中具有改善的發(fā)光特性的發(fā)光器件可通過改善所述器件中的電容特性來實(shí)現(xiàn)，且由此提供高品質(zhì)電子設(shè)備例如顯示設(shè)備。
2、額外的方面將部分地在隨后的描述中闡明，并且部分地將由該描述明晰，或者可通過本公開內(nèi)容的所呈現(xiàn)的實(shí)施方式的實(shí)踐而獲悉。
3、根據(jù)一種或多種實(shí)施方式，發(fā)光器件包括：
4、第一電極；面對所述第一電極的第二電極；以及設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的中間層，其中所述中間層包括發(fā)射層和空穴傳輸區(qū)域，
5、其中所述空穴傳輸區(qū)域包括第一層，所述第一層包括第一材料并且設(shè)置在所述第一電極和所述發(fā)射層之間，
6、其中所述發(fā)射層包括主體和有機(jī)金屬化合物，所述有機(jī)金屬化合物包括過渡金屬，并且所述主體包括第一化合物，和
7、發(fā)光器件滿足條件1或條件2：
8、條件1
9、δhomo小于0?ev，并且所述第一材料的偶極矩小于3.0德拜；
10、條件2
11、δhomo大于0?ev，并且所述第一材料的偶極矩等于或大于3.0德拜，
12、其中δhomo為通過從所述第一材料的homo能級減去所述第一化合物的homo能級而獲得的值，其中所述第一化合物的homo能級、所述第一材料的homo能級、和所述第一材料的偶極矩各自是基于密度泛函理論(dft)計(jì)算的，和
13、第一化合物的homo能級和第一材料的homo能級為負(fù)值。
14、根據(jù)一種或多種實(shí)施方式，電子設(shè)備包括發(fā)光器件。
1.發(fā)光器件，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中
13.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的發(fā)光器件，其中
14.電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求1至13之一所述的發(fā)光器件。