本技術涉及半導體，尤其涉及一種半導體器件。
背景技術：
1、半導體晶體管(例如金屬氧化物半導體晶體管(mos晶體管))已被用于各種應用，例如電源、功率變換器、開關等應用。傳統(tǒng)的mos晶體管采用平面式結構，半導體集成電路的技術隨著時間不斷發(fā)展，mos晶體管采用了堆疊式結構，實現晶體管的微縮。在堆疊式結構的設計中，通常在襯底上形成若干源極線，然后在源極線上形成柵極結構，在柵極結構中形成若干通道結構，通道結構與源極線連接，在每個通道結構上形成對應的漏極結構，一個漏極結構通過一個通道結構連接至源極線，使得半導體器件的驅動能力有限，影響半導體器件的電性能。
技術實現思路
1、本實用新型的目的在于提供半導體器件，提高半導體器件的電性能。
2、為了達到上述目的，本實用新型提供了一種半導體器件，包括：
3、襯底；
4、若干源極線，位于所述襯底上，并沿第一方向延伸且沿第二方向彼此間隔排布；
5、若干源極焊盤，每個所述源極焊盤位于對應的所述源極線上且沿所述第二方向延伸位于相鄰所述源極線之間；
6、若干單元結構，沿所述第一方向和所述第二方向排布位于所述源極焊盤上并與所述源極焊盤連接，且在所述第一方向上彼此錯位的至少兩個所述單元結構位于同一個所述源極焊盤上；
7、柵極結構，沿所述第二方向延伸，并連接位于同一所述源極焊盤上的單元結構；
8、若干漏極結構，分別位于對應的所述源極焊盤的上方，且每個所述漏極結構與對應的所述源極焊盤連接的單元結構連接。
9、可選的，所述源極焊盤沿所述第一方向的兩端部位于所述源極線上，所述源極焊盤沿所述第二方向的兩端部均延伸位于相鄰所述源極線之間。
10、可選的，所述源極焊盤的形狀包括菱形或矩形。
11、可選的，若干所述源極焊盤陣列排布，且相鄰兩列所述源極焊盤沿所述第二方向交錯設置。
12、可選的，四個所述單元結構位于一個所述源極焊盤上，且分別位于所述源極焊盤的四個端部。
13、可選的，所述柵極結構包括環(huán)狀端部。
14、可選的，所述柵極結構包括位于所述單元結構沿所述第一方向兩側的第一部分和第二部分，所述第一部分與所述第二部分通過所述環(huán)狀端部連接。
15、可選的，所述柵極結構與所述單元結構之間具有柵極介質層和阻障層，若干所述柵極結構之間填充有第一隔離材料層。
16、在本實用新型提供的半導體器件中，包括：襯底、若干源極線、若干源極焊盤、若干單元結構、柵極結構和若干漏極結構，其中若干源極線位于襯底上，并沿第一方向延伸且沿第二方向彼此間隔排布；每個源極焊盤位于對應的源極線上且沿第二方向延伸位于相鄰源極線之間；若干單元結構沿第一方向和第二方向排布位于源極焊盤上并與源極焊盤連接，且在第一方向上彼此錯位的至少兩個單元結構位于同一個源極焊盤上；柵極結構沿第二方向延伸，并連接位于同一源極焊盤上的單元結構；若干漏極結構分別位于對應的源極焊盤的上方，且每個漏極結構與對應的源極焊盤連接的單元結構連接。本實用新型中通過在源極線上設置源極焊盤，源極焊盤沿第二方向延伸位于相鄰源極線之間，若干單元結構沿第一方向和第二方向排布位于源極焊盤上并與源極焊盤連接，且在第一方向上彼此錯位的至少兩個單元結構位于同一個源極焊盤上，柵極結構連接位于同一源極焊盤上的單元結構，每個漏極結構與對應的源極焊盤連接的單元結構連接，實現每個漏極結構通過多個單元結構與對應的源極焊盤連接，能夠提高半導體器件的驅動電流，從而提高半導體器件的電性能。
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述源極焊盤沿所述第一方向的兩端部位于所述源極線上，所述源極焊盤沿所述第二方向的兩端部均延伸位于相鄰所述源極線之間。
3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述源極焊盤的形狀包括菱形或矩形。
4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，若干所述源極焊盤陣列排布，且相鄰兩列所述源極焊盤沿所述第二方向交錯設置。
5.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，四個所述單元結構位于一個所述源極焊盤上，且分別位于所述源極焊盤的四個端部。
6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極結構包括環(huán)狀端部。
7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極結構包括位于所述單元結構沿所述第一方向兩側的第一部分和第二部分，所述第一部分與所述第二部分通過所述環(huán)狀端部連接。
8.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極結構與所述單元結構之間具有柵極介質層和阻障層，若干所述柵極結構之間填充有第一隔離材料層。