本發(fā)明涉及電子器件加工制造，尤其涉及一種基板、電子器件和模塊。
背景技術(shù)：
1、在一些彈性波濾波器，例如saw(surface?acoustic?wave，聲表面波濾波器)器件中，例如tc-saw(溫度補償型濾波器)中需要使用壓電層和支撐基板鍵合得到的復(fù)合基板。支撐基板的強度是saw器件生產(chǎn)過程中較為重要的參數(shù)之一，如果強度不足則在后續(xù)加工過程例如鍵合工序、在復(fù)合基板上制作電極等工序中都容易出現(xiàn)破片的情況，將影響生產(chǎn)效率和質(zhì)量，甚至導(dǎo)致生產(chǎn)成本增加。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于解決支撐基板因強度不足容易出現(xiàn)破片問題的情況，因此本發(fā)明提供了一種基板、電子器件和模塊，可實現(xiàn)較高強度，保證生產(chǎn)質(zhì)量和效率。
2、本發(fā)明的一個實施例提供一種基板，包括多晶材料層，所述多晶材料層中晶粒的密度大于或者等于1000顆/mm2，所述多晶材料層的厚度大于或者等于所述多晶材料層中最大晶粒粒徑的兩倍。
3、本發(fā)明的一個實施例提供一種電子器件，包括前述基板。
4、本發(fā)明的一個實施例提供一種模塊，包括布線基板、多個外部連接端子、集成電路部件、電感器和密封部，以及前述電子器件。
5、本發(fā)明上述實施例至少具有如下一個或多個有益效果：通過提供具有特殊的晶粒密度設(shè)置的多晶材料層，使得基板具有更好的抗彎強度，可以避免在后續(xù)鍵合工藝中破片問題的發(fā)生，保證生產(chǎn)質(zhì)量和效率。
1.一種基板，包括多晶材料層，其特征在于：所述多晶材料層中晶粒的密度大于或者等于1000顆/mm2，所述多晶材料層的厚度大于或者等于所述多晶材料層中最大晶粒粒徑的兩倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基板，其特征在于，所述多晶材料層的抗彎強度大于或者等于180mpa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基板，其特征在于，所述多晶材料層的楊氏模量大于或者等于250gpa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基板，其特征在于，所述多晶材料層在波長為240～780nm的波段下的透光率小于9％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基板，其特征在于，所述多晶材料層具有多個不同的晶體取向的晶粒，所述多個晶粒通過晶界相互連接，定義單位區(qū)域的晶界體積為單位區(qū)域的總體積與該單位區(qū)域內(nèi)的多個晶粒的總體積之差，晶界體積占比為在所述多晶材料層的單位區(qū)域內(nèi)的晶界體積占該單位區(qū)域總體積的比例，所述多晶材料層中的晶界體積占比為8％～40％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基板，其特征在于，所述多晶材料層背面的表面粗糙度sa大于或者等于0.2微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基板，其特征在于，所述多晶材料層背面的表面粗糙度sz大于或者等于3微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任意一項所述的一種基板，其特征在于：還包括設(shè)置于所述多晶材料層之上的壓電層。
9.一種電子器件，其特征在于，包括權(quán)利要求8中所述的基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子器件，其特征在于：還包括idt電極，所述idt電極位于所述壓電層背向所述多晶材料層的主面上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子器件，其特征在于：所述壓電層的厚度小于等于2λ，其中λ為以所述idt電極的電極周期所確定的彈性波的波長。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子器件，其特征在于：所述多晶材料層的厚度為250μm以下。
13.一種模塊，其特征在于，包括布線基板、多個外部連接端子、集成電路部件和密封部，以及如權(quán)利要求9～12任意一項所述的電子器件。