本文涉及顯示技術(shù)技術(shù)，尤指一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
1、有機發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode，簡稱oled)和量子點發(fā)光二極管(quantum-dot?light?emitting?diodes，簡稱qled)為主動發(fā)光顯示器件，具有自發(fā)光、廣視角、高對比度、低耗電、極高反應(yīng)速度、輕薄、可彎曲和成本低等優(yōu)點。隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，以oled或qled為發(fā)光器件、由薄膜晶體管(thin?film?transistor，簡稱tft)進(jìn)行信號控制的柔性顯示裝置(flexible?display)已成為目前顯示領(lǐng)域的主流產(chǎn)品。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請實施例提供了一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置，增加搭接電極的厚度。
2、第一方面，本公開實施例提供了一種顯示基板，包括設(shè)置在基底上的至少一個子像素，所述至少一個子像素包括沿著遠(yuǎn)離所述基底方向依次設(shè)置的第一電極、發(fā)光疊層、第二電極以及陰極選擇材料層，所述陰極選擇材料層覆蓋所述第二電極的一部分區(qū)域，暴露所述第二電極的另一部分區(qū)域；
3、所述顯示基板還包括輔助電極和搭接電極，所述搭接電極分別與所述輔助電極和暴露的所述第二電極連接；所述陰極選擇材料層被配置為阻止形成所述搭接電極的蒸鍍材料在所述陰極選擇材料層上附著，并將形成所述搭接電極的蒸鍍材料朝向暴露的所述第二電極方向反射。
4、在示例性實施方式中，所述搭接電極在所述基底上的正投影與所述陰極選擇材料層在所述基底上的正投影沒有交疊。
5、在示例性實施方式中，所述陰極選擇材料層暴露所述第二電極的邊緣區(qū)域，暴露的所述第二電極的邊緣區(qū)域呈環(huán)狀。
6、在示例性實施方式中，還包括像素定義層，所述像素定義層設(shè)置在所述第一電極遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)，所述像素定義層設(shè)置有像素開口和位于所述像素開口至少一側(cè)的輔助電極開孔，所述像素開口暴露所述第一電極表面的至少部分，所述輔助電極的至少部分設(shè)置在所述輔助電極開孔中，所述搭接電極的至少部分和暴露的所述第二電極的至少部分均設(shè)置在所述像素定義層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)表面，所述搭接電極分別與所述輔助電極和暴露的所述第二電極連接。
7、在示例性實施方式中，還包括遮光層，所述遮光層設(shè)置在所述輔助電極遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)，所述遮光層被配置為遮擋反射光線，所述遮光層設(shè)置有透光開口，所述透光開口在所述基底上的正投影與所述發(fā)光疊層在所述基底上的正投影的至少部分交疊，所述透光開口被配置為透射所述發(fā)光疊層出射的光線。
8、在示例性實施方式中，所述遮光層復(fù)用為蒸鍍遮擋層，所述蒸鍍遮擋層在所述基底上的正投影與所述搭接電極在所述基底上的正投影的至少部分交疊。
9、在示例性實施方式中，所述蒸鍍遮擋層在垂直于所述基底方向截面的形狀為倒梯形。
10、在示例性實施方式中，所述至少一個子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素和所述第二子像素的形狀均為圓形，所述第三子像素具有第一凹陷外輪廓和第二凹陷外輪廓，所述第一凹陷外輪廓和所述第二凹陷外輪廓均呈弧狀，所述第一凹陷外輪廓圍繞所述第一子像素的外輪廓的至少部分設(shè)置，所述第二凹陷外輪廓圍繞所述第二子像素的外輪廓的至少部分設(shè)置。
11、在示例性實施方式中，所述第一凹陷外輪廓的弧度與所述第一子像素的外輪廓的弧度大致相等，所述第二凹陷外輪廓的弧度與所述第二子像素的外輪廓的弧度大致相等。
12、在示例性實施方式中，相鄰所述子像素的發(fā)光疊層、第二電極以及陰極選擇材料層互相隔斷，相鄰所述子像素的第二電極通過所述輔助電極連接。
13、在示例性實施方式中，所述至少一個子像素還包括無機封裝層，所述無機封裝層覆蓋所述陰極選擇材料層和所述搭接電極，相鄰所述子像素的無機封裝層互相隔斷，所述無機封裝層包括邊緣封裝區(qū)，所述邊緣封裝區(qū)遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)表面與所述輔助電極遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)表面形成平面。
14、第二方面，本公開實施例還提供了一種顯示基板的制備方法，包括：
15、在基底上形成至少一個子像素；
16、其中，所述至少一個子像素包括沿著遠(yuǎn)離所述基底方向依次設(shè)置的第一電極、發(fā)光疊層、第二電極以及陰極選擇材料層，所述陰極選擇材料層覆蓋所述第二電極的一部分區(qū)域，暴露所述第二電極的另一部分區(qū)域；
17、所述顯示基板還包括輔助電極和搭接電極，所述搭接電極分別與所述輔助電極和暴露的所述第二電極連接；所述陰極選擇材料層被配置為阻止形成所述搭接電極的蒸鍍材料在所述陰極選擇材料層上附著，并將形成所述搭接電極的蒸鍍材料朝向暴露的所述第二電極方向反射。
18、在示例性實施方式中，所述在基底上形成至少一個子像素包括：
19、在所述基底上形成第一電極；
20、在所述第一電極遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)形成像素定義層，所述像素定義層中設(shè)置有像素開口和輔助電極開孔，所述像素開口暴露所述第一電極表面的至少部分，所述輔助電極開孔位于所述像素開口的至少一側(cè)；
21、在所述輔助電極開孔中形成輔助電極；
22、在所述輔助電極遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)形成蒸鍍遮擋層，所述蒸鍍遮擋層中設(shè)置有蒸鍍開口，所述蒸鍍開口在所述基底上的正投影與所述像素開口在所述基底上的正投影的至少部分交疊；
23、通過蒸鍍工藝，在所述蒸鍍開口暴露的區(qū)域依次形成發(fā)光疊層、第二電極和陰極選擇材料層，所述發(fā)光疊層覆蓋暴露的所述第一電極，所述陰極選擇材料層覆蓋所述第二電極的一部分區(qū)域，暴露所述第二電極的另一部分區(qū)域；所述陰極選擇材料層被配置為阻止形成所述搭接電極的蒸鍍材料在所述陰極選擇材料層上附著，并將形成所述搭接電極的蒸鍍材料朝向暴露的所述第二電極方向反射；
24、通過蒸鍍工藝，形成搭接電極，所述搭接電極分別與所述輔助電極和暴露的所述第二電極連接。
25、在示例性實施方式中，所述通過蒸鍍工藝，形成搭接電極之后，還包括：
26、刻蝕去除所述蒸鍍遮擋層；
27、在所述輔助電極遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)形成遮光層，所述遮光層被配置為遮擋反射光線，所述遮光層設(shè)置有透光開口，所述透光開口在所述基底上的正投影與所述發(fā)光疊層在所述基底上的正投影的至少部分交疊；
28、或者，所述蒸鍍遮擋層為遮光材料，所述蒸鍍遮擋層復(fù)用為遮光層，所述遮光層被配置為遮擋反射光線。
29、第三方面，本公開實施例還提供了一種顯示裝置，包括前述顯示基板。
30、本申請的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得明顯的，或者通過實施本申請而了解。本申請的其他優(yōu)點可通過在說明書以及附圖中所描述的方案來實現(xiàn)和獲得。
1.一種顯示基板，其特征在于，包括設(shè)置在基底上的至少一個子像素，所述至少一個子像素包括沿著遠(yuǎn)離所述基底方向依次設(shè)置的第一電極、發(fā)光疊層、第二電極以及陰極選擇材料層，所述陰極選擇材料層覆蓋所述第二電極的一部分區(qū)域，暴露所述第二電極的另一部分區(qū)域；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述顯示基板，其特征在于，所述搭接電極在所述基底上的正投影與所述陰極選擇材料層在所述基底上的正投影沒有交疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述顯示基板，其特征在于，所述陰極選擇材料層暴露所述第二電極的邊緣區(qū)域，暴露的所述第二電極的邊緣區(qū)域呈環(huán)狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述顯示基板，其特征在于，還包括像素定義層，所述像素定義層設(shè)置在所述第一電極遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)，所述像素定義層設(shè)置有像素開口和位于所述像素開口至少一側(cè)的輔助電極開孔，所述像素開口暴露所述第一電極表面的至少部分，所述輔助電極的至少部分設(shè)置在所述輔助電極開孔中，所述搭接電極的至少部分和暴露的所述第二電極的至少部分均設(shè)置在所述像素定義層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)表面，所述搭接電極分別與所述輔助電極和暴露的所述第二電極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述顯示基板，其特征在于，還包括遮光層，所述遮光層設(shè)置在所述輔助電極遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)，所述遮光層被配置為遮擋反射光線，所述遮光層設(shè)置有透光開口，所述透光開口在所述基底上的正投影與所述發(fā)光疊層在所述基底上的正投影的至少部分交疊，所述透光開口被配置為透射所述發(fā)光疊層出射的光線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述顯示基板，其特征在于，所述遮光層復(fù)用為蒸鍍遮擋層，所述蒸鍍遮擋層在所述基底上的正投影與所述搭接電極在所述基底上的正投影的至少部分交疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述顯示基板，其特征在于，所述蒸鍍遮擋層在垂直于所述基底方向截面的形狀為倒梯形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述顯示基板，其特征在于，所述至少一個子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素和所述第二子像素的形狀均為圓形，所述第三子像素具有第一凹陷外輪廓和第二凹陷外輪廓，所述第一凹陷外輪廓和所述第二凹陷外輪廓均呈弧狀，所述第一凹陷外輪廓圍繞所述第一子像素的外輪廓的至少部分設(shè)置，所述第二凹陷外輪廓圍繞所述第二子像素的外輪廓的至少部分設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述顯示基板，其特征在于，所述第一凹陷外輪廓的弧度與所述第一子像素的外輪廓的弧度大致相等，所述第二凹陷外輪廓的弧度與所述第二子像素的外輪廓的弧度大致相等。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述顯示基板，其特征在于，相鄰所述子像素的發(fā)光疊層、第二電極以及陰極選擇材料層互相隔斷，相鄰所述子像素的第二電極通過所述輔助電極連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述顯示基板，其特征在于，所述至少一個子像素還包括無機封裝層，所述無機封裝層覆蓋所述陰極選擇材料層和所述搭接電極，相鄰所述子像素的無機封裝層互相隔斷，所述無機封裝層包括邊緣封裝區(qū)，所述邊緣封裝區(qū)遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)表面與所述輔助電極遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)表面形成平面。
12.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述顯示基板的制備方法，其特征在于，所述在基底上形成至少一個子像素包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述顯示基板的制備方法，其特征在于，所述通過蒸鍍工藝，形成搭接電極之后，還包括：
15.一種顯示裝置，其特征在于，包括上述權(quán)利要求1至11任一所述顯示基板。