本發(fā)明涉及光伏，特別是一種太陽能電池片和太陽能電池片的制備方法。
背景技術(shù)：
1、目前太陽能電池設(shè)置鈍化接觸能夠有效提升鈍化效果及太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。鈍化接觸結(jié)構(gòu)通常包括鈍化層和摻雜層。然而，鈍化接觸結(jié)構(gòu)中的摻雜層存在嚴(yán)重的寄生吸收，即存在對光的非理想吸收的問題，導(dǎo)致太陽能電池的光利用率降低，從而影響太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┝艘环N太陽能電池片和太陽能電池片的制備方法，用于解決太陽能電池內(nèi)存在寄生吸收的問題。
2、本申請第一方面提供了一種太陽能電池片，所述太陽能電池片至少包括：
3、襯底；
4、隧穿氧化層，沿所述襯底的厚度方向，所述隧穿氧化層設(shè)置于所述襯底的表面；
5、氧化錫層，沿所述襯底的厚度方向，所述氧化錫層設(shè)置于所述隧穿氧化層的表面；
6、摻雜多晶硅層，沿所述襯底的厚度方向，所述摻雜多晶硅層設(shè)置于所述氧化錫層的表面，以使所述氧化錫層位于所述隧穿氧化層和所述摻雜多晶硅層之間；
7、所述氧化錫層中氧原子與錫原子的數(shù)量之比f滿足：1.9≤f≤2.1。
8、該方案中，通過氧化錫層設(shè)置在隧穿氧化層和摻雜多晶硅層之間，由于氧化錫層的光學(xué)帶隙比摻雜多晶硅層的光學(xué)帶隙小，即氧化錫層對可見光的吸收性較弱，以使氧化錫層具有良好的透光性，通過適當(dāng)減薄摻雜多晶硅層，并在隧穿氧化層和摻雜多晶硅層之間沉積氧化錫層，有利于減少寄生吸收，降低對光的非理想吸收，以使更多的光能夠被襯底吸收，有利于提高太陽能電池片的短路電流密度，提高了太陽能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。同時，由于氧化錫層的折射率介于隧穿氧化層和摻雜多晶硅層的折射率之間，以使摻雜多晶硅層、氧化錫層和隧穿氧化層形成具有折射梯度的三層結(jié)構(gòu)，有利于減少在界面處的反射，有利于增加光的透射率，以使襯底能夠吸收更多光能。另外，氧化錫層具有良好的導(dǎo)電性，以使氧化錫層能夠作為電子傳輸層，進(jìn)而通過氧化錫層和隧穿氧化層結(jié)合，有助于改善載流子的傳輸效率，減少載流子的復(fù)合，提高太陽能電池片的鈍化性能，且有利于降低接觸電阻率，提升了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
9、當(dāng)滿足1.9≤f≤2.1時，接近化學(xué)計量比，有利于減少氧化錫層內(nèi)氧空位缺陷，有利于平衡氧化錫層的導(dǎo)電性和化學(xué)穩(wěn)定性，從而降低載流子產(chǎn)生復(fù)合的風(fēng)險，并提高鈍化性能，同時有利于降低氧化錫層中生成非活性氧化物的風(fēng)險，以提高電子傳輸效率，從而進(jìn)一步提高太陽能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。
10、本方案中，所述太陽能電池片的接觸電阻率之和ρc1滿足：5mωcm2≤ρc1≤10mωcm2。
11、本方案中，所述氧化錫層中氧空位濃度λ滿足：1×1015cm-3≤λ≤1×1018cm-3。
12、本方案中，沿所述襯底的厚度方向，所述隧穿氧化層的厚度d1滿足：1nm≤d1≤2nm，所述氧化錫層的厚度d2滿足：1nm≤d2≤100nm，所述摻雜多晶硅層的厚度d3滿足：1nm≤d3≤100nm。
13、本方案中，所述隧穿氧化層的磷摻雜濃度α滿足：1×1013cm-3≤α≤1×1016cm-3，所述氧化錫層的磷摻雜濃度β滿足：1×1015cm-3≤β≤1×1020cm-3，所述摻雜多晶硅層的磷摻雜濃度γ滿足：1×1019cm-3≤γ≤1×1021cm-3。
14、本方案中，所述氧化錫層中錫原子與氧原子之間的化學(xué)鍵距離l滿足：2??≤l≤2.1??。
15、本申請第二方面提供了一種太陽能電池片的制備方法，所述太陽能電池片的制備方法用于制備以上所述的太陽能電池片，所述太陽能電池片的制備方法至少包括以下步驟：
16、清洗所述襯底；
17、在所述襯底沿厚度方向的表面沉積所述隧穿氧化層；
18、在所述隧穿氧化層沿厚度方向的表面以錫源通入量與氧源通入量之比為s沉積所述氧化錫層，滿足：0.2≤s≤0.5；
19、在所述氧化錫層沿厚度方向的表面沉積非晶硅層；
20、高溫退火并在所述高溫退火條件下?lián)诫s，使所述非晶硅層轉(zhuǎn)化為所述摻雜多晶硅層。
21、本方案中，在沉積所述氧化錫層的步驟中，所述太陽能電池片的制備方法還包括循環(huán)沉積步驟，所述循環(huán)沉積步驟至少包括：
22、通入所述錫源和氮氣并持續(xù)時間t1，其中，所述錫源為二甲氨基錫，所述錫源的通入量m1滿足：0.1mmol/min≤m1≤1mmol/min，時間t1滿足：5s≤t1≤30s；
23、在完成通入錫源的步驟之后，通入所述氧源和氮氣并持續(xù)時間t2，其中，所述氧源為氧氣，所述氧源的通入量m2滿足：0.5mmol/min≤m2≤2mmol/min，時間t2滿足：5s≤t2≤30s。
24、本方案中，在通入所述錫源步驟和通入所述氧源步驟之間，以及完成通入所述氧源步驟之后，所述循環(huán)沉積步驟還包括：
25、通入氮氣并持續(xù)時間t3，所述氮氣的通入量m3滿足：5l/min≤m3≤10l/min，時間t3滿足：10s≤t3≤60s。
26、本方案中，在完成所述循環(huán)沉積步驟后，所述太陽能電池片的制備方法還包括：
27、對所述氧化錫層進(jìn)行熱處理并持續(xù)時間t4，熱處理的溫度w滿足：100℃≤w≤300℃，時間t4滿足：1min≤t4≤120min。
28、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本申請。
1.一種太陽能電池片，其特征在于，所述太陽能電池片至少包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池片，其特征在于，所述太陽能電池片的接觸電阻率ρc1滿足：5mωcm2≤ρc1≤10mωcm2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池片，其特征在于，所述氧化錫層（3）中氧空位濃度λ滿足：1×1015?cm-3≤λ≤1×1018?cm-3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池片，其特征在于，沿所述襯底（1）的厚度方向，所述隧穿氧化層（2）的厚度d1滿足：1nm≤d1≤2nm，所述氧化錫層（3）的厚度d2滿足：1nm≤d2≤100nm，所述摻雜多晶硅層（5）的厚度d3滿足：1nm≤d3≤100nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池片，其特征在于，所述隧穿氧化層（2）的磷摻雜濃度α滿足：1×1013?cm-3≤α≤1×1016?cm-3，所述氧化錫層（3）的磷摻雜濃度β滿足：1×1015?cm-3≤β≤1×1020cm-3，所述摻雜多晶硅層（5）的磷摻雜濃度γ滿足：1×1019?cm-3≤γ≤1×1021?cm-3。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池片，其特征在于，所述氧化錫層（3）中錫原子與氧原子之間的化學(xué)鍵距離l滿足：2.00??≤l≤2.10??。
7.一種太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述太陽能電池片的制備方法用于權(quán)利要求1-6中任一項所述的太陽能電池片，所述太陽能電池片的制備方法至少包括以下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，在沉積所述氧化錫層（3）的步驟中，所述太陽能電池片的制備方法還包括循環(huán)沉積步驟，所述循環(huán)沉積步驟至少包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，在通入所述錫源步驟和通入所述氧源步驟之間，以及完成通入所述氧源步驟之后，所述循環(huán)沉積步驟還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，在完成所述循環(huán)沉積步驟后，所述太陽能電池片的制備方法還包括：