技術(shù)編號(hào):42101979
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及硅光器件,特別是涉及一種片上集成偏振分束器。背景技術(shù)、基于soi平臺(tái)的光子集成技術(shù)因其低損耗、緊湊結(jié)構(gòu)和與cmos工藝兼容等一系列優(yōu)勢(shì)而廣泛應(yīng)用于通信和傳感等領(lǐng)域。這些優(yōu)勢(shì)也使得利用電子設(shè)備來(lái)制造光子集成電路(pic)成為可能。研究人員已成功開發(fā)用于高折射率對(duì)比度的波導(dǎo),同時(shí)亞微米、納米soi平臺(tái)具有超高雙折射的優(yōu)勢(shì),這使得片上偏振控制器件具有非常緊湊的尺寸。而對(duì)于微米級(jí)別的硅光子平臺(tái),特別是微米硅光子平臺(tái)面臨著低極化依賴的挑戰(zhàn)。與表現(xiàn)出強(qiáng)偏振依賴性的亞微米波導(dǎo)不同的是,微...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。