本發(fā)明涉及氣相沉積，尤其涉及一種進(jìn)氣組件及應(yīng)用該進(jìn)氣組件的氣相沉積設(shè)備的。
背景技術(shù)：
1、在半導(dǎo)體相關(guān)的制造工藝中，需要在基片上沉積不同材料的膜層，所用的方法包括化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積，而隨著半導(dǎo)體工藝制程越來(lái)越先進(jìn)，對(duì)整片基片上不同區(qū)域的膜層之間的均勻性要求也逐漸提高。
2、膜層的均勻程度受多種條件的影響，例如在通過(guò)熱效應(yīng)生成膜層的工藝中，加熱器的熱量是否能在基片上均勻傳遞會(huì)是一個(gè)決定性因素。用于生成膜層的氣體在基片上方的分布是否均勻也深深的影響成膜的均勻性，而氣體的調(diào)控又對(duì)執(zhí)行工藝的腔室內(nèi)的部件結(jié)構(gòu)要求很高，不同的形狀和位置關(guān)系都會(huì)帶來(lái)不同的氣體分布。
3、用于向反應(yīng)腔中通入反應(yīng)氣體的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)通常由多個(gè)部件組裝而成，但是不同部件之間的縫隙或者用于連接部件的螺釘都會(huì)顯著的影響氣流的走向，進(jìn)而使從進(jìn)氣結(jié)構(gòu)中被影響的氣體流到基片上方后遺留不均勻的缺陷，造成基片上膜層生長(zhǎng)的不均勻。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了解決進(jìn)氣結(jié)構(gòu)上不同部件之間死區(qū)對(duì)氣流的負(fù)面影響問(wèn)題，本發(fā)明提供一種進(jìn)氣組件，用于向反應(yīng)腔中通入反應(yīng)氣體，包括：
2、氣體分配板，其內(nèi)部具有一進(jìn)氣通道；
3、氣體噴淋頭，其內(nèi)部設(shè)置有多個(gè)出氣通道；
4、所述氣體分配板與氣體噴淋頭之間具有一勻氣腔，所述勻氣腔連通所述進(jìn)氣通道與出氣通道；
5、所述進(jìn)氣通道的末端朝向所述勻氣腔，且所述進(jìn)氣通道的末端設(shè)置有多孔板；以及，所述多孔板與氣體分配板一體成型。
6、可選地，所述進(jìn)氣通道的末端延伸進(jìn)所述勻氣腔，且位于所述勻氣腔內(nèi)部的進(jìn)氣通道的側(cè)壁上開設(shè)有多個(gè)側(cè)孔。
7、可選地，所述側(cè)孔的上下高度為所述勻氣腔的最大高度的1/3-3/4之間。
8、可選地，所述多孔板的下表面距離所述氣體噴淋頭的上表面的距離為所述勻氣腔的最大高度的1/5-1之間。
9、可選地，所述多孔板與氣體噴淋頭為圓形，且所述多孔板的直徑為氣體噴淋頭直徑的1/5-1/2之間。
10、可選地，所述多孔板的中心區(qū)域分布多個(gè)小孔徑的出氣孔，圍繞所述中心區(qū)域的邊緣區(qū)域分布多個(gè)大孔徑的出氣孔。
11、可選地，所述大孔徑的出氣孔與所述小孔經(jīng)的出氣孔的孔徑比值為1.2-2之間。
12、可選地，所述勻氣腔的上表面從中心到邊緣具有和水平面1°-5°的傾斜。
13、可選地，所述進(jìn)氣通道中，且位于所述多孔板上方包括一擴(kuò)散腔。
14、可選地，所述擴(kuò)散腔的高度是所述氣體分配板高度的1/3-1/2之間。
15、可選地，所述擴(kuò)散腔的上壁與側(cè)壁分體式組裝。
16、可選地，所述出氣通道的上段孔徑大于下段孔徑。
17、可選地，所述勻氣腔的高度在1.5mm-5mm之間。
18、可選地，所述氣體噴淋頭的徑向?qū)挾仍?50mm-500mm之間。
19、可選地，相鄰兩個(gè)所述側(cè)孔之間的間隔柱的沿著平行所述多孔板的橫截面為一個(gè)角朝外的三角形。
20、可選地，相鄰兩個(gè)所述側(cè)孔之間的間隔柱的周向尺寸是所述側(cè)孔的1/20-1/5。
21、進(jìn)一步地，本發(fā)明還提供了一種氣相沉積設(shè)備，包括：
22、反應(yīng)腔；
23、位于所述反應(yīng)腔的上側(cè)的如權(quán)利要求1-16任一項(xiàng)所述的進(jìn)氣組件，所述進(jìn)氣通道與氣體源連接；
24、與所述進(jìn)氣組件相對(duì)設(shè)置于反應(yīng)腔的下側(cè)的基座，用于承載基片，所述基座下方設(shè)置有加熱器；
25、與反應(yīng)腔連通的抽氣泵。
26、可選地，所述氣體源包括反應(yīng)氣體源和吹掃氣體源。
27、上述技術(shù)方案中的至少一個(gè)技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：反應(yīng)氣體從氣體分配板經(jīng)過(guò)勻氣腔進(jìn)入氣體噴淋頭，而氣體分配板位于勻氣腔中的末端設(shè)置有多孔板，且多孔板和氣體分配板一體成型，不存在不同結(jié)構(gòu)固定在一起形成的縫隙或螺釘凸起，而這些縫隙和凸起是影響氣流的死區(qū)的根源，由此反應(yīng)氣體從氣體分配板上方的進(jìn)氣通道通入后經(jīng)過(guò)多孔板的一級(jí)均勻化后進(jìn)入勻氣腔中擴(kuò)散，在勻氣腔中，勻氣腔的內(nèi)壁因?yàn)橐惑w加工不存在斷層，所以反應(yīng)氣體從勻氣腔中向下經(jīng)過(guò)氣體噴淋頭的二級(jí)均勻化再到達(dá)基片的上方，可以實(shí)現(xiàn)強(qiáng)化的氣體均勻分布。在多孔板上方的進(jìn)氣通道的側(cè)壁還可以開有均勻的側(cè)孔，使反應(yīng)氣體在向下流動(dòng)過(guò)程中同時(shí)向側(cè)向流動(dòng)，更快的充滿勻氣腔的空間并向下流出。同時(shí)，為了彌補(bǔ)氣流通道與氣體噴淋頭之間尺寸差異造成的基片中心區(qū)域氣體密度大于邊緣區(qū)域氣體密度，在本發(fā)明的技術(shù)方案中，還可以將多孔板的出氣孔沿著中心區(qū)域向邊緣區(qū)域逐漸增大，來(lái)調(diào)整在徑向的氣體密度分布。同時(shí)，多孔板、氣體噴淋頭、勻氣腔以及氣流經(jīng)過(guò)的各個(gè)孔等結(jié)構(gòu)的尺寸都可以進(jìn)一步的調(diào)整優(yōu)化，最終獲得適合某一固定工藝的最優(yōu)氣流分布方案。
1.一種進(jìn)氣組件，用于向反應(yīng)腔中通入反應(yīng)氣體，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，所述進(jìn)氣通道的末端延伸進(jìn)所述勻氣腔，且位于所述勻氣腔內(nèi)部的進(jìn)氣通道的側(cè)壁上開設(shè)有多個(gè)側(cè)孔。
3.如權(quán)利要求2所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，所述側(cè)孔的上下高度為所述勻氣腔的最大高度的1/3-3/4之間。
4.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，所述多孔板的下表面距離所述氣體噴淋頭的上表面的距離為所述勻氣腔的最大高度的1/5-1之間。
5.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，所述多孔板與氣體噴淋頭為圓形，且所述多孔板的直徑為氣體噴淋頭直徑的1/5-1/2之間。
6.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，所述多孔板的中心區(qū)域分布多個(gè)小孔徑的出氣孔，圍繞所述中心區(qū)域的邊緣區(qū)域分布多個(gè)大孔徑的出氣孔。
7.如權(quán)利要求6所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，所述大孔徑的出氣孔與所述小孔經(jīng)的出氣孔的孔徑比值為1.2-2之間。
8.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，所述勻氣腔的上表面從中心到邊緣具有和水平面1°-5°的傾斜。
9.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，所述進(jìn)氣通道中，且位于所述多孔板上方包括一擴(kuò)散腔。
10.如權(quán)利要求9所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，所述擴(kuò)散腔的高度是所述氣體分配板高度的1/3-1/2之間。
11.如權(quán)利要求9所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，所述擴(kuò)散腔的上壁與側(cè)壁分體式組裝。
12.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，所述出氣通道的上段孔徑大于下段孔徑。
13.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，所述勻氣腔的高度在1.5mm-5mm之間。
14.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，所述氣體噴淋頭的徑向?qū)挾仍?50mm-500mm之間。
15.如權(quán)利要求2所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述側(cè)孔之間的間隔柱的沿著平行所述多孔板的橫截面為一個(gè)角朝外的三角形。
16.如權(quán)利要求2所述的進(jìn)氣組件，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述側(cè)孔之間的間隔柱的周向尺寸是所述側(cè)孔的1/20-1/5。
17.一種氣相沉積設(shè)備，其特征在于，包括：
18.如權(quán)利要求17所述的氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述氣體源包括反應(yīng)氣體源和吹掃氣體源。