本發(fā)明涉及半導體設備，具體涉及一種爐管設備。
背景技術：
1、隨著半導體器件尺寸的減小，對在較大襯底區(qū)域上進行薄膜沉積的技術的要求逐漸增高，沉積出成分更均勻、厚度更均勻的半導體薄膜對制造高品質(zhì)的半導體器件非常重要。目前，采用爐管式化學氣相沉積(cvd)和爐管式原子層沉積(ald)的方式來制備半導體薄膜占有極大的市場份額。
2、目前的爐管設備均為單抽氣端口的設計，在雙層爐管設備中，爐管設備的內(nèi)管和外管連通，抽氣端口通常設置于外管上，在抽氣時，抽氣效率較低。
技術實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明要解決的技術問題是為了克服現(xiàn)有技術中爐管設備的抽氣效率低的缺陷，提供一種爐管設備。
2、本發(fā)明是通過下述技術方案來解決上述技術問題：
3、一種爐管設備，包括：
4、內(nèi)管，其內(nèi)部形成工藝空間；
5、外管，套設于所述內(nèi)管的外部，所述外管與所述內(nèi)管之間存在間隙區(qū)域，所述內(nèi)管上設置有排氣口，以使所述工藝空間與所述間隙區(qū)域連通；
6、第一抽氣端口，所述第一抽氣端口與所述工藝空間連通；
7、第二抽氣端口，所述第二抽氣端口與所述間隙區(qū)域連通。
8、本發(fā)明的積極進步效果在于：在本發(fā)明中，第一抽氣端口與工藝空間之間直接連通，第二抽氣端口與間隙區(qū)域直接連通，相比單抽氣端口的設計，抽氣效率更高。如僅在外管上設置抽氣端口，在抽氣時，雖然內(nèi)管上設置有排氣口，但仍會受到內(nèi)管管壁的阻礙，影響抽氣效率。通過第一抽氣端口可以直接抽取工藝空間中的氣體，通過第二抽氣端口可以直接抽取內(nèi)管和外管間隙區(qū)域內(nèi)的氣體，在工藝過程中，能夠更快的排出氣體，從而提高爐管設備的生產(chǎn)效率。
1.一種爐管設備，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的爐管設備，其特征在于，所述第一抽氣端口穿過所述外管和所述間隙區(qū)域設置于所述內(nèi)管上，所述第二抽氣端口設置于所述外管上。
3.如權利要求1所述的爐管設備，其特征在于，所述第一抽氣端口的材質(zhì)與所述內(nèi)管的材質(zhì)相同，和/或，所述第二抽氣端口的材質(zhì)與所述外管的材質(zhì)相同。
4.如權利要求1所述的爐管設備，其特征在于，還包括加熱組件，設置于所述外管的外部，所述第一抽氣端口和所述第二抽氣端口位于所述加熱組件的下部，且所述第一抽氣端口和所述第二抽氣端口位于同一高度。
5.如權利要求1所述的爐管設備，其特征在于，還包括歧管，與所述內(nèi)管和所述外管的底端連接，所述歧管與所述工藝空間連通，所述歧管與所述間隙區(qū)域不連通，所述第一抽氣端口設置于所述歧管上，所述第二抽氣端口設置于所述外管上。
6.如權利要求5所述的爐管設備，其特征在于，所述第一抽氣端口的材質(zhì)與所述歧管的材質(zhì)相同，和/或，所述第二抽氣端口的材質(zhì)與所述外管的材質(zhì)相同。
7.如權利要求1所述的爐管設備，其特征在于，還包括歧管，與所述內(nèi)管的底端和所述外管的底端連接，所述歧管包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域與所述工藝空間連通，所述第二區(qū)域與所述間隙區(qū)域連通，所述第一抽氣端口設置于所述歧管上，所述第一抽氣端口與所述第一區(qū)域連通，所述第二抽氣端口，設置于所述歧管上，所述第二抽氣端口與所述第二區(qū)域連通。
8.如權利要求7所述的爐管設備，其特征在于，所述歧管包括：
9.如權利要求7所述的爐管設備，其特征在于，所述第一抽氣端口和所述第二抽氣端口的材質(zhì)與所述歧管的材質(zhì)相同。
10.如權利要求1、5和7任意一項所述的爐管設備，其特征在于，還包括至少兩個抽氣泵，所述抽氣泵分別連接所述第一抽氣端口和所述第二抽氣端口。
11.如權利要求1、5和7任意一項所述的爐管設備，其特征在于，所述第一抽氣端口的孔徑大于所述第二抽氣端口的孔徑。