本發(fā)明屬于真空蒸餾，具體涉及一種真空蒸餾爐。

背景技術(shù)：

1、在相關(guān)技術(shù)中，在對金屬進行提純時，通常通過真空蒸餾爐對金屬材料進行蒸餾操作，以獲得高純度的金屬。

2、現(xiàn)有技術(shù)（中國發(fā)明專利，授權(quán)公告號：cn108570564b）公開了一種真空蒸餾爐，真空爐體內(nèi)設(shè)有自下至上向上延伸的回流筒體，回流筒體的入口和出口分別設(shè)置在第一腔體和第二腔體內(nèi)，回流筒體的筒壁設(shè)有用于對金屬蒸汽精餾的回流盤，第一腔體內(nèi)設(shè)有用于加熱金屬液體的加熱裝置，第二腔體內(nèi)設(shè)有用于對精餾后的金屬液體進行收集的冷凝裝置。應(yīng)用該裝置，第一腔體中的加熱裝置對金屬液體進行加熱，金屬蒸汽通過回流筒體的回流盤進行精餾，精餾后的金屬蒸汽通過設(shè)置在第二腔體中的冷凝裝置進行收集，真空抽吸裝置對真空爐體實現(xiàn)真空抽吸，該裝置通過對金屬液體加熱變成金屬蒸汽，通過回流筒體對金屬蒸汽蒸餾實現(xiàn)對金屬的精餾提純，且裝置無需設(shè)置尾氣處理裝置結(jié)構(gòu)簡單，便于實現(xiàn)。

3、在該現(xiàn)有技術(shù)中，通過該裝置對鈹金屬材料及磁性較低金屬材料進行提純時，無法將鈹金屬材料與鐵磁性雜質(zhì)分離，從而降低了蒸餾提純的效果。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的法將鈹金屬材料與鐵磁性雜質(zhì)分離，從而降低了蒸餾提純效果的問題，本發(fā)明提供一種真空蒸餾爐，采用在鈹金屬原料的蒸發(fā)通道周圍施加磁場，從而使高純度鈹材料能夠吸附在收集筒組件的側(cè)壁上，并使鐵磁性雜質(zhì)的運行軌跡發(fā)生偏移，并被收集板吸附，進而將鈹材料與鐵磁性雜質(zhì)分離，以提升對鈹金屬原料蒸餾提純的效果。其具體技術(shù)方案為：

2、一種真空蒸餾爐，真空蒸餾爐包括：工作臺、安裝底座、加熱爐、坩堝、電加熱組件、收集筒組件、水冷基座、導(dǎo)磁筒組件、下磁鐵、上磁鐵、收集板、下真空腔室、上真空腔室、水管組件和升降機構(gòu)；工作臺為中空腔體；安裝底座安裝在工作臺的頂部；加熱爐為頂部具有開口的中空腔體，加熱爐安裝在安裝底座上；坩堝為頂部具有開口的中空腔體，坩堝安裝在加熱爐內(nèi)，坩堝位于加熱爐的上部，且坩堝的開口與加熱爐的開口相連通；電加熱組件安裝在加熱爐內(nèi)，且電加熱組件繞設(shè)在坩堝的外側(cè)；收集筒組件為底部具有開口的中空腔體，收集筒組件位于在加熱爐的上方，且收集筒組件的開口與加熱爐的開口相連通；水冷基座為底部具有開口的中空腔體，水冷基座內(nèi)設(shè)置冷卻通道，收集筒組件嵌入水冷基座內(nèi)，且水冷基座與收集筒組件相連接；導(dǎo)磁筒組件為底部具有開口的中空腔體，導(dǎo)磁筒組件繞設(shè)在水冷基座的外側(cè)，且導(dǎo)磁筒組件與水冷基座相連接；下磁鐵呈環(huán)狀，下磁鐵繞設(shè)在水冷基座的外側(cè)，且下磁鐵嵌入導(dǎo)磁筒組件內(nèi)；上磁鐵呈圓錐形，上磁鐵位于導(dǎo)磁筒組件內(nèi)，上磁鐵安裝在導(dǎo)磁筒組件的頂部，且上磁鐵與水冷基座的頂部相貼合；收集板為鐵磁體，收集板位于收集筒組件內(nèi)，收集板安裝在收集筒組件的頂部，且收集板與上磁鐵相對；下真空腔室為上下兩端具有開口的中空腔體，下真空腔室安裝在工作臺上，下真空腔室繞設(shè)在安裝底座和加熱爐的外側(cè)，且至少部分導(dǎo)磁筒組件位于下真空腔室內(nèi)；上真空腔室為底部具有開口的中空腔體，上真空腔室放置在下真空腔室上，上真空腔室的開口與下真空腔室的開口相連通，導(dǎo)磁筒組件位于上真空腔室內(nèi)，且上真空腔室與導(dǎo)磁筒組件相連接；至少兩個水管組件穿過上真空腔室的頂部，且至少兩個水管組件同時與水冷基座的冷卻通道相連通；升降機構(gòu)安裝在工作臺上，且升降機構(gòu)與上真空腔室相連接。

3、另外，本發(fā)明提供的上述技術(shù)方案中的真空蒸餾爐還可以具有如下附加技術(shù)特征：

4、在上述技術(shù)方案中，電加熱組件包括：第一加熱帶、第二加熱帶、第一加熱電極、第二加熱電極、第一測溫?zé)崤己偷诙y溫?zé)崤?；第一加熱帶安裝在加熱爐內(nèi)，且第一加熱帶繞設(shè)在坩堝的外側(cè)；第二加熱帶安裝在加熱爐內(nèi)，且第二加熱帶位于坩堝的下方；第一加熱電極的一端與第一加熱帶電連接，第一加熱電極的另一端穿過加熱爐的底部，且第一加熱電極的另一端安裝在安裝底座內(nèi)；第二加熱電極的一端與第二加熱帶電連接，第二加熱電極的另一端穿過加熱爐的底部，且第二加熱電極的另一端安裝在安裝底座內(nèi)；第一測溫?zé)崤嫉囊欢伺c第一加熱帶電連接，第一測溫?zé)崤嫉牧硪欢舜┻^加熱爐的底部，且第一測溫?zé)崤嫉牧硪欢税惭b在安裝底座內(nèi)；第二測溫?zé)崤嫉囊欢伺c第二加熱帶電連接，第二測溫?zé)崤嫉牧硪欢舜┻^加熱爐的底部，且第二測溫?zé)崤嫉牧硪欢税惭b在安裝底座內(nèi)。

5、在上述技術(shù)方案中，電加熱組件還包括：側(cè)保溫屏蔽層和下保溫屏蔽層；側(cè)保溫屏蔽層安裝加熱爐內(nèi)，且側(cè)保溫屏蔽層繞設(shè)在第一加熱帶和第二加熱帶的外側(cè)；下保溫屏蔽層安裝在加熱爐內(nèi)，且下保溫屏蔽層位于第二加熱帶的下方。

6、在上述技術(shù)方案中，導(dǎo)磁筒組件包括：導(dǎo)磁底板、導(dǎo)磁筒體和導(dǎo)磁頂板；導(dǎo)磁底部呈環(huán)形，導(dǎo)磁底板繞設(shè)在水冷基座的外側(cè)，導(dǎo)磁底板與水冷基座相連接，且下磁鐵安裝在導(dǎo)磁底板上；導(dǎo)磁筒體為兩端具有開口的中空腔體，導(dǎo)磁筒體繞設(shè)在水冷基座的外側(cè)，導(dǎo)磁筒體的底部開口與導(dǎo)磁底板相連接，且導(dǎo)磁筒體嵌入下磁鐵內(nèi)；導(dǎo)磁頂板蓋設(shè)在導(dǎo)磁筒體的頂部開口處，導(dǎo)磁頂板與導(dǎo)磁筒體相連接，上磁鐵安裝在導(dǎo)磁頂板的底部，且導(dǎo)磁頂板與上真空腔室的頂部相連接；其中，導(dǎo)磁底板、導(dǎo)磁筒體和導(dǎo)磁筒體的外表面經(jīng)鍍鎳處理。

7、在上述技術(shù)方案中，水管組件包括：第一冷卻水管、波紋管和第二冷卻水管；第一冷卻水管的一端穿過上真空腔室的頂部，且第一冷卻水管安裝在上真空腔室的頂部；波紋管位于上真空腔室內(nèi)，且波紋管的一端與第一冷卻水管的一端相連通；第二冷卻水管的一端與波紋管的另一端相連通，第二冷卻水管的另一端從上真空腔室內(nèi)穿出，且第二冷卻水管的另一端與水冷基座的冷卻通道相連通。

8、在上述技術(shù)方案中，升降機構(gòu)包括：驅(qū)動裝置、絲杠、升降螺母、升降筒、連接架、第一頂絲、支撐卡箍、第二頂絲和導(dǎo)向筒；驅(qū)動裝置位于工作臺內(nèi)，且驅(qū)動裝置安裝在工作臺的底部；絲杠的外壁上設(shè)置有外螺紋，絲杠位于工作臺內(nèi)，絲杠與驅(qū)動裝置的輸出端相連接；升降螺母內(nèi)設(shè)置有內(nèi)螺紋，升降螺母套裝在絲杠的外側(cè)；升降筒為底部具有開口的中空腔體，升降筒的底部與升降螺母相連接，絲杠嵌入升降筒內(nèi)，升降筒穿過工作臺的頂部；連接架套裝在升降筒的外側(cè)，連接架位于工作臺的上方，且連接架與上真空腔室相連接；至少兩個第一頂絲穿過連接架，且至少兩個第一頂絲與升降筒相貼合；支撐卡箍套裝在升降筒的外側(cè)，且支撐卡箍與連接架的底部相貼合；至少兩個第二頂絲穿過支撐卡箍，且至少兩個第二頂絲與升降筒相貼合；導(dǎo)向筒為上下兩端具有開口的中空腔體，導(dǎo)向筒固定在工作臺上，且升降筒穿過導(dǎo)向筒；其中，外螺紋與內(nèi)螺紋相適配。

9、在上述技術(shù)方案中，收集筒組件包括：第一收集筒體、卡接槽、第二收集筒體、卡接部、第一連接法蘭、第二連接法蘭、蓋板和連接部；第一收集筒體呈半筒狀；卡接槽設(shè)置在第一收集筒體的側(cè)壁端面；第二收集筒體呈半筒狀，第二收集筒體與第一收集筒體相貼合；卡接部與第二收集筒體的側(cè)壁端面相連接，且卡接部嵌入卡接槽內(nèi)；第一連接法蘭呈半環(huán)形，第一連接法蘭與第一收集筒體的底部相連接，且第一連接法蘭與水冷基座相連接；第二連接法蘭呈半環(huán)形，第二連接法蘭與第二收集筒體的底部相連接，第一連接法蘭與第二連接法蘭相貼合，且第二連接法蘭與水冷基座相連接；蓋板同時扣設(shè)在第一收集筒體的頂部和第二收集筒體的頂部；連接部與蓋板相連接，且連接部同時與第一收集筒體和第二收集筒體的內(nèi)壁相貼合；其中，卡接槽與卡接部為過度配合。

10、在上述技術(shù)方案中，真空蒸餾爐還包括：機械泵、電磁壓差閥、電磁旁抽閥、電磁擋板閥、支撐架、分子泵和充氣閥；機械泵安裝在工作臺的外側(cè)；電磁壓差閥的輸入端與機械泵的輸出端相連通；電磁旁抽閥安裝在下真空腔室的外壁上，電磁旁抽閥的輸入端與電磁壓差閥的輸出端相連通；電磁擋板閥的輸入端與電磁壓差閥的輸出端相連通；支撐架固定在地面上，且支撐架位于工作臺的外側(cè)；分子泵安裝在支撐架上，分子泵的輸入端與電磁擋板閥的輸出端相連通，且分子泵的輸出端與下真空腔室相連通；充氣閥安裝在下真空腔室的外壁上，充氣閥的輸出端與下真空腔室相連通，且充氣閥的輸入端與氣源相連通。

11、在上述技術(shù)方案中，真空蒸餾爐還包括：電離規(guī)、電阻規(guī)、閘板、通孔、擋板本體和電動推桿；電離規(guī)安裝在下真空腔室的外壁上，且電離規(guī)的輸入端嵌入下真空腔室內(nèi)；電阻規(guī)安裝在下真空腔室的外壁上，且電阻規(guī)的輸入端嵌入下真空腔室內(nèi)；閘板內(nèi)設(shè)置容納槽，閘板同時與分子泵和下真空腔室的外壁相連接；通孔設(shè)置在閘板內(nèi)，通孔同時與分子泵的輸出端和下真空腔室相連通，且通孔與容納槽相連通；擋板本體嵌入容納槽內(nèi)；電動推桿安裝在閘板的外側(cè)，且電動推桿與擋板本體相連接。

12、在上述技術(shù)方案中，真空蒸餾爐還包括：屏蔽罩、第三連接法蘭、第四連接法蘭、第一密封圈、第二密封圈和第三密封圈；屏蔽罩與水冷基座的底部相連接，且屏蔽罩繞設(shè)在加熱爐的外側(cè)；第三連接法蘭套裝在下真空腔室頂部的外側(cè)；第四連接法蘭套裝在上真空腔室底部的外側(cè)，且第四連接法蘭與第三連接法蘭相連接；第一密封圈為彈性體，第一密封圈同時嵌入第三連接法蘭和第四連接法蘭內(nèi)；第二密封圈為無氧銅圈體，第二密封圈同時與電離規(guī)與上真空腔室相貼合；第三密封圈為無氧銅圈體，第三密封圈同時與電阻規(guī)與上真空腔室相貼合。

13、本發(fā)明的一種真空蒸餾爐，與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果為：

14、1.?通過將加熱爐位于下真空腔室內(nèi)，將導(dǎo)磁筒組件位于上真空腔室內(nèi)，并將上真空腔室的內(nèi)部與下真空腔室的內(nèi)部相連通，以實現(xiàn)當(dāng)將下真空腔室的內(nèi)部抽真空時，加熱爐和導(dǎo)磁筒組件處于真空環(huán)境下，從而實現(xiàn)降低對鈹金屬蒸餾溫度，并提升對鈹金屬蒸餾分離的效率，進而提升產(chǎn)品的使用體驗。通過將上磁鐵安裝在導(dǎo)磁筒組件的頂部，并將下磁鐵安裝在導(dǎo)磁筒組件的底部，以實現(xiàn)上磁鐵、下磁鐵和導(dǎo)磁筒組件能夠構(gòu)成磁場，相對于只用上磁鐵和下磁鐵能夠?qū)Υ艌龅拇判赃M行增大，進一步提升產(chǎn)品的使用體驗；同時，通過將導(dǎo)磁筒組件安裝在水冷基座的外側(cè)，將收集筒組件嵌入水冷基座內(nèi)，并使收集筒組件的開口與加熱爐的開口相連通，以實現(xiàn)當(dāng)對鈹金屬原料進行加熱時，汽化后的鈹金屬原料能夠進入收集筒組件內(nèi)，并能夠?qū)崿F(xiàn)在鈹金屬原料的蒸發(fā)通道周圍施加磁場，從而使高純度鈹材料能夠吸附在收集筒組件的側(cè)壁上，并使鐵磁性雜質(zhì)的運行軌跡發(fā)生偏移，并被收集板吸附，進而將鈹材料與鐵磁性雜質(zhì)分離，以提升對鈹金屬原料蒸餾提純的效果。

15、2.?通過將第一加熱帶安裝在加熱爐內(nèi)，并使第一加熱帶繞設(shè)在坩堝的外側(cè)，以實現(xiàn)加熱爐對第一加熱帶進行支撐，從而實現(xiàn)當(dāng)?shù)谝患訜釒姾?，第一加熱帶對坩堝及坩堝?nèi)的鈹金屬原料進行加熱；通過第二加熱帶安裝在加熱爐內(nèi)，并使第二加熱帶位于坩堝的下方，以實現(xiàn)加熱爐對第二加熱帶進行支撐，從而實現(xiàn)第二加熱帶能夠?qū)釄宓牡撞窟M行加熱，以提升對坩堝內(nèi)鈹金屬原料的加熱效率。

16、3.?通過將下保溫屏蔽層安裝在加熱爐內(nèi)，并將下保溫屏蔽層位于第二加熱帶的下方，以實現(xiàn)加熱爐對下保溫屏蔽層進行安裝，從而實現(xiàn)下保溫屏蔽層對第二加熱帶的下方進行保溫，以避免熱量的散熱，進而實現(xiàn)下保溫屏蔽層和側(cè)保溫屏蔽層相配合避免加熱爐內(nèi)部的熱量散失，以提升產(chǎn)品的使用體驗。

17、4.?通過將下磁鐵安裝在導(dǎo)磁底板上，將上磁鐵安裝在導(dǎo)磁頂板上，并使導(dǎo)磁底板、導(dǎo)磁筒體和導(dǎo)磁頂部依次連接在一起，以實現(xiàn)下磁鐵、導(dǎo)磁底板、導(dǎo)磁筒體和導(dǎo)磁頂部和上磁鐵能夠構(gòu)成磁場，相對于上磁鐵和下磁鐵所構(gòu)成的磁場，下磁鐵、導(dǎo)磁底板、導(dǎo)磁筒體和導(dǎo)磁頂部和上磁鐵能夠構(gòu)成磁場的磁力更大，從而提升產(chǎn)品的使用體驗。

18、5.?通過將波紋管的一端與第一冷卻水管的一端相連通，將波紋管的另一端與第二冷卻水管的一端相連通，并將第二冷卻水管的另一端與水冷基座的冷卻通道相連通，以實現(xiàn)將第一冷卻水管、波紋管和第二冷卻水管連通在一起，從而實現(xiàn)冷卻水能夠通過第一冷卻水管、波紋管和第二冷卻水管注入水冷基座的冷卻通道內(nèi)，同時，還能利用波紋管的伸縮性，適配水冷基座與上真空腔室頂部之間的距離，進而降低安裝在水管組件的難度，以提升產(chǎn)品的使用體驗。

19、6.?當(dāng)準(zhǔn)備帶動上真空腔室上下移動時，啟動驅(qū)動裝置，使驅(qū)動裝置帶動絲杠轉(zhuǎn)動，從而使絲杠帶動升降螺母和升降筒上下移動，進而使升降筒通過連接架帶動上真空腔室上下移動，以調(diào)節(jié)上真空腔室的高度。由于連接架和支撐卡箍套裝在升降筒的外側(cè)，因此連接架和支撐卡箍能夠沿著升降筒上下移動，從而調(diào)節(jié)上真空腔室與升降筒的連接位置，以降低上真空腔室與升降筒的連接難度，進而提升產(chǎn)品的使用體驗。由于升降螺母與絲杠螺紋連接，且升降筒嵌入導(dǎo)向筒內(nèi)，以實現(xiàn)升降筒能夠在導(dǎo)向筒內(nèi)轉(zhuǎn)動，從而實現(xiàn)上真空腔室與下真空腔室交錯，以便于工作人員將鈹金屬原料放入坩堝內(nèi)，且便于工作人員將收集筒組件從水冷基座內(nèi)拆下，進一步提升產(chǎn)品的使用體驗。

20、7.?通過卡接槽和卡接部將第一收集筒體和第二收集筒體連接在一起，以實現(xiàn)能夠?qū)⒌谝皇占搀w和第二收集筒體作為一個整體進行使用，從而實現(xiàn)高純度鈹材料能夠吸附在第一收集筒體和第二收集筒體的內(nèi)壁上；由于第一收集筒體和第二收集筒體通過卡接部和卡接槽連接在一起，因此能夠?qū)⒌谝皇占搀w和第二收集筒體分離，從而便于對吸附在第一收集筒體和第二收集筒體內(nèi)壁上的高純度鈹材料進行收集及清理，進而提升產(chǎn)品的使用體驗。

21、8.?通過將開啟電磁壓差閥、電磁擋板閥和電磁旁抽閥，以實現(xiàn)分子泵和機械泵能夠組成真空機組，從而實現(xiàn)對合并的上真空腔室和下真空腔室的內(nèi)部進行抽真空，進而獲得對鈹金屬材料蒸餾所需的工作真空及極限真空環(huán)境；而且，通過在下真空腔室的外壁安裝有電磁旁抽閥，且電磁旁抽閥與機械泵相連通，以實現(xiàn)準(zhǔn)備更換鈹金屬材料時，不需停止分子泵，從而實現(xiàn)使分子泵能夠?qū)ο抡婵涨皇疫M行預(yù)抽真空，以提升產(chǎn)品的工作效率。

22、9.?通過將擋板本體嵌入容納槽內(nèi)，將電動推桿安裝在閘板的外側(cè)，并將電動推桿與擋板本體相連接，以實現(xiàn)閘板對電動推桿進行支撐，從而實現(xiàn)電動推桿能夠帶動擋板本體在容納槽內(nèi)移動，進而實現(xiàn)控制擋板本體嵌入通孔的面積，以控制分子泵的流量。

23、10.?通過將屏蔽罩與水冷基座的底部相連接，并使屏蔽罩繞設(shè)在加熱爐的外側(cè)，以實現(xiàn)水冷基座對屏蔽罩進行支撐，從而實現(xiàn)屏蔽罩對加熱爐進行遮擋，以避免加熱爐的開口散熱，進而避免熱量散失，以提升產(chǎn)品的使用體驗。通過將第三連接法蘭套裝在下真空腔室頂部的外側(cè)，將第四連接法蘭套裝在上真空底板的外側(cè)，并將第四連法蘭與第三連接法蘭相連接，以實現(xiàn)通過第三連接法蘭和第四連接法蘭將上真空腔室和下真空腔室連接在一起，從而降低連接上真空腔室和下真空腔室的難度。