本發(fā)明涉及一種用于分離第一襯底層的方法、一種用于執(zhí)行這種分離的設備以及一種具有第一襯底層的襯底。

背景技術：

1、在現(xiàn)有技術中存在用于沿著平面有針對性地分離襯底的多種方法。最重要的和最公知的方法之一是所謂的方法。在方法中，將原子、尤其氫原子植入到襯底中。在第一方法步驟中，使原子離子化并且借助于電場加速到襯底上。離子的動能足以穿透到襯底中。通過加速電壓可以非常精確地設定穿透深度。在第二方法步驟中，將如此加工的襯底接合至另一襯底。也可設想在接合過程之前在襯底上形成氧化層。在第三方法步驟中加熱襯底。通過加熱襯底，氫原子復合成氫分子。氫原子不直接嵌入到襯底的晶格中，因此襯底僅被氫化。相反，氫分子形成氣體。通過從原子氫到氫氣的相變引起體積膨脹，所述體積膨脹沿著植入平面引起組織結構斷裂。通過所述方法，可以將非常薄的層從一個襯底轉移到另一襯底上。然而，還更重要的是，借此制造在其上側處具有非常薄的晶體層的襯底堆疊是可行的，氧化物層處于所述晶體層下方。這種襯底堆疊被稱為絕緣體上硅(soi)。

2、另外的襯底分離的方法包括化學的和/或機械的輔助機構。一些方法借助于激光射束沿著襯底中的平面執(zhí)行預損傷，但是這不足以沿著所述平面使襯底斷裂。隨后必須用化學品蝕刻襯底。然后，化學品沿著已經(jīng)執(zhí)行預損傷的平面與原子進行反應，并且沿著所述平面蝕刻襯底。所述方法是時間耗費的。在此，可以使用機械輔助機構，如刀刃或金屬線，以便沿著預損傷的平面使襯底斷裂。但是，使用機械分離機構加速所述過程會引起襯底在平面外的不期望的斷裂，僅應沿著所述平面發(fā)生斷裂。

3、出版物us?7?052?978b2示出對襯底的借助于激光引起的損傷。激光在襯底內通過不同的效應產(chǎn)生損傷。但是，從中無法得知激光的聚焦。

4、在現(xiàn)有技術中存在的所有方法具有如下缺點，需要附加的部件以產(chǎn)生期望的分離效應，或者斷裂過程的控制是不可行的或者是很難實現(xiàn)的。例如，在方法中，必須將原子植入到襯底中。在化學蝕刻工藝中，必須提供化學品。在機械分離工藝中，雖然僅需要機械分離機構、如刀刃或金屬線，但是根據(jù)經(jīng)驗，所述機械分離機構僅允許從襯底分離相對厚的層。所述機械分離機構不適合于從襯底分離薄的層，尤其不適合于分離具有微米或納米范圍內的厚度的層。此外，借助于機械分離機構沿著期望的平面控制斷裂是很難實現(xiàn)的或甚至是不可行的。在將激光射束射入到襯底中的方法中，使用光學裝置以聚焦激光射束。

技術實現(xiàn)思路

1、基于此，本發(fā)明的目的是提供一種方法，所述方法尤其通過消除所描述的缺點的方式簡化襯底的分離，并且尤其同樣適合于在將襯底層分離之后提供盡可能薄的襯底子層。

2、本發(fā)明借助根據(jù)權利要求1的用于分離的方法、根據(jù)權利要求13的用于分離的設備和根據(jù)權利要求15的襯底實現(xiàn)所述目的。本發(fā)明的其它優(yōu)選的實施方式從下面的描述中以及根據(jù)附圖得出。

3、根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種用于沿著至少一個分離線分離第一襯底層的方法，所述方法包括：

4、-提供第一襯底層，以及

5、-沿著分離線分離第一襯底層，所述分離線通過借助于激光照射第一襯底層來產(chǎn)生，

6、其中為了構成所述分離線，激光的功率設定成，使得激光的功率具有高于用于構成激光在第一襯底層中的自聚焦的臨界功率值的值。

7、與現(xiàn)有技術相比，根據(jù)本發(fā)明提出，所使用的激光的功率設定成，使得在待處理的、尤其在待分離的第一襯底層中出現(xiàn)激光的自聚焦的現(xiàn)象。自聚焦的現(xiàn)象基于克爾效應并且尤其當具有足夠高的強度幅值的激光的空間分布的強度分布與第一襯底層的材料相互作用時出現(xiàn)。在此出現(xiàn)非線性效應。在一個替選的實施方式中，自聚焦的現(xiàn)象基于非線性吸收。因為折射率特性與光強度相關，所以在足夠高的光強度的情況下，在材料中會出現(xiàn)折射率分布，所述折射率分布引起光由于由光本身引起的折射率分布中的變化而聚焦在第一襯底層內的平面中。由此，在通過自聚焦確定的聚焦點或焦點中規(guī)定或確定隨后的分離線或分離平面的子區(qū)域或子部段。

8、在此，現(xiàn)象“自聚焦”的出現(xiàn)與材料特性和激光特性相關。與所選擇的材料相關，出現(xiàn)不同的臨界功率或脈沖能量，在超過所述臨界功率或脈沖能量時出現(xiàn)自聚焦。根據(jù)實驗性的認識和/或仿真可行的是，規(guī)定、估計或確定分別使用的激光類型或所使用的激光在一側上的臨界功率值和所使用的材料在第一襯底層中在另一側上的臨界功率值。所述效應基于，材料的折射率對于高強度尤其線性地與強度相關。如果將具有不均勻的、尤其高斯形的強度橫截面的激光射束射入到透明的材料中，則在激光射束的靠近中央的部分中的偏振引起與在周圍的部分中不同的相移。在數(shù)學和物理方面可以證明，所述情況引起激光射束的自身聚焦，也就是說即使激光射束在進入到材料中時沒有聚焦，激光射束的光子也聚焦在第一襯底層中的焦平面中的點上。

9、尤其地，通過自聚焦，在以下區(qū)域中確定或實現(xiàn)焦點或聚焦點，分離線應伸展穿過所述區(qū)域。尤其地，分離線被理解為二維分離平面。通過相對于激光或激光的光路對應地將第一襯底層移位或移動，實現(xiàn)隨后構成為分離平面的分離線的平面式構成方案。

10、通過自聚焦有利地可行的是，在第一襯底層內引起高的強度，使得所述高的光強度又引起在如下平面內或如下點內的物理的和/或化學的改性：在所述平面或在所述點中實現(xiàn)自聚焦。材料特性的所述改性隨后引起構成分離線或分離平面，例如預期斷裂部位，或者甚至引起沿著分離線或分離線平面的自主分離。在此，可以有利地舍棄使用大量蝕刻劑或復雜的光學系統(tǒng)或舍棄將離子注入到第一襯底層中或顯著地減小其規(guī)模。借此至少可行的是，進一步降低在第一襯底層的實際上斷裂或分離時的耗費，由此可以改進第一襯底層的分離。

11、僅須調整激光的功率，以便實現(xiàn)自聚焦的情況也被證明是特別有利的。即使為了確定臨界功率而必須考慮多個參數(shù)，但是提高激光的功率就足以以這種方式引起自聚焦并且尤其也確定自聚焦的方位。由此以相對簡單的方式和方法給出如下可行性：確定或影響第一襯底層的材料與激光之間相互作用的位置。尤其地，如果待處理的第一襯底層被更換或者分離線的方位改變，則例如可以相對快速地對材料更換作出反應。不需要為了執(zhí)行所述方法而對設施進行大規(guī)模調整。

12、尤其提出，第一襯底層是襯底復合體的一部分或者應成為具有第一襯底層和第二襯底層的襯底復合體的一部分。例如，第一襯底層是晶片或晶片的一部分和/或是接合層，所述接合層例如將兩個另外的晶片-襯底層彼此連接。第一襯底層和/或第二襯底層優(yōu)選地包括如硅或鍺的材料。優(yōu)選地，第一襯底層具有在1nm和5mm之間、優(yōu)選在1nm和1μm之間，以及特別優(yōu)選在1nm和3000nm之間的厚度。

13、借助于丘克拉斯基法(czochralski)方法例如可以從硅熔體中生長出晶錠(英文：ingot)。最后，所描述的方法也適合于從所述晶錠(barren)或ingot中分離襯底子層，使得分離出的襯底子層本身于是可以形成獨立襯底。然后作為獨立的襯底被進一步加工的襯底子層在所述情況下將具有毫米范圍內的厚度。尤其在將第一襯底層與第二襯底層接合之前進行分離。

14、具有在微米范圍或納米范圍內的厚度的襯底子層主要在如下方法中得出：在所述方法中應進行層轉移(英文：layer?transfer)。在所述情況下，首先將待分離的第一襯底層接合到第二襯底層上，并且隨后才使用用于分離第一襯底層的方法。尤其在將第一襯底層與第二襯底層接合之后進行分離。

15、優(yōu)選地，第一襯底層的表面具有在0.01nm和300nm之間、優(yōu)選在0.01nm和30nm，以及特別優(yōu)選在0.01nm和10nm之間的粗糙度。襯底層表面的粗糙度越小，耦合輸入到第一襯底層中的激光射束的散射就越小。因此，在襯底層表面上的低的表面粗糙度是優(yōu)選的。

16、在所述方法的一個優(yōu)選的實施方式中提出，激光射束具有在0.1μm和500μm之間、優(yōu)選在0.2μm和100μm之間、特別優(yōu)選在0.3μm和50μm之間、特別優(yōu)選在0.5μm和10μm之間，或者甚至在1μm和2.5μm之間的波長。以所述方式，可以特別有效地以及有針對性地照射分離層。

17、在所述方法的一個優(yōu)選的實施方式中提出，激光具有在1w和1000w之間、優(yōu)選在5w和800w之間、更優(yōu)選在7w和600w之間、最優(yōu)選在10w和500w之間、最為優(yōu)選在20w和200w之間的功率。

18、在所述方法的一個優(yōu)選的實施方式中提出，激光面積小于2000μm2、優(yōu)選小于500μm2、優(yōu)選小于80μm2以及特別優(yōu)選小于20μm2或者甚至小于1μm2。激光射束作用在其上的分離層或分離線的面積有利地是小的和有針對性的，以便局部地降低或破壞分離層的附著特性。

19、在所述方法的一個優(yōu)選的實施方式中提出，在激光射束到分離層上的作用區(qū)域之間存在至少0.1μm、優(yōu)選至少1μm、優(yōu)選至少5μm、特別優(yōu)選至少10μm或甚至至少50μm，使得激光射束的作用區(qū)域不重疊。以所述方式，特別簡單的和有效的分離是可行的。

20、優(yōu)選地提出，作為激光使用超短激光脈沖，優(yōu)選ns(納秒)脈沖、優(yōu)選ps(皮秒)脈沖，以及特別優(yōu)選fs(飛秒)脈沖或甚至as(阿秒)脈沖。因此，光脈沖的持續(xù)時間優(yōu)選地小于10-9s、優(yōu)選小于10-11s、優(yōu)選小于10-13s、最優(yōu)選小于10-15s或甚至小于10-16s。

21、借助對應地短的脈沖持續(xù)時間有利地以簡單的方式可行的是，產(chǎn)生對于自聚焦所需的激光功率或光強度。對應的脈沖通常需要使用特殊的光學裝置，例如折射的、反射的和/或格柵狀的光學器件。優(yōu)選地，盡可能避免具有高強度的激光穿過材料。否則，這種通過介質的傳播可能引起脈沖形狀的修改和/或強度降低。但是可設想，使用射束擴束，由此首先經(jīng)由激光脈沖的空間分布來減少總強度，以便優(yōu)選地直接在入射到第一襯底層中之前將激光射束再次聚焦并且消除擴束。由此例如可行的是，在低強度的情況下調制或影響激光分布或強度分布，以便在第一襯底層中引起盡可能最佳的自聚焦。原則上，也可以借助簡單的擋板或其他光學構件影響激光射束的空間強度分布。優(yōu)選地，通過折射光學裝置產(chǎn)生強度分布。也可設想使用孔徑、場分配器(英文：field?mapper)、透鏡陣列、集成器或射束勻化器和/或錐透鏡。

22、優(yōu)選地，激光設有空間分布，尤其高斯形的、洛倫茲形的或柯西形的強度分布。對應的強度分布被證明是尤其有利的，因為其特別適合于借助于克爾效應引起自聚焦的折射率具有特定分布。優(yōu)選地也可設想，例如當由激光源提供的強度分布與優(yōu)選的強度分布不同時，有針對性地借助于對應的光學器件實現(xiàn)對應的空間強度分布。最后，為了產(chǎn)生克爾效應優(yōu)選地提出，產(chǎn)生激光輻射的在橫截面中不均勻的強度分布。優(yōu)選地，產(chǎn)生具有高斯形的、洛倫茲形的和/或柯西形的幾何形狀的強度分布。

23、優(yōu)選地提出，分離線沿著基本上平行于主延伸平面伸展的平面延伸。由此以有利的方式可行的是，第一襯底層沿著基本上平行于其自身的主延伸平面伸展的平面分離。當應產(chǎn)生相對薄的襯底子層時，沿著基本上平行于主延伸平面伸展的分離線的分離尤其地是有利的。尤其地，所述分離引起初級襯底子層和次級襯底子層的分開，所述初級襯底子層和次級襯底子層從第一襯底層中通過分離而產(chǎn)生。例如，可以將覆層降低到期望的尺寸。

24、替選地可設想，分離線基本上垂直于主延伸平面伸展從而可以實現(xiàn)分割、即切割成第一襯底層的各個子段，所述子段尤其在切割之前在主延伸平面中彼此相鄰地設置。

25、優(yōu)選地提出，第一襯底層在照射期間與第二襯底層連接。尤其提出，第一襯底層和第二襯底層材料配合地、形狀配合地和/或力配合地彼此連接，并且第二襯底層朝向入射的激光。換言之：激光在入射到第一襯底層中之前首先通過第二襯底層傳播，并且在那里由于入射的自聚焦產(chǎn)生分離線或分離線的子部段。尤其提出，第二襯底層由激光經(jīng)過，并且在經(jīng)過第二襯底層之后通過在第一襯底層中的自聚焦產(chǎn)生焦點形成。在此，尤其在設定激光功率時應注意，優(yōu)選地已經(jīng)在第二襯底層中進行部分聚焦并且在第一襯底層中實現(xiàn)期望的最終聚焦。

26、焦平面的深度可以通過激光參數(shù)、尤其通過所使用的激光的波長來設定。焦平面應越靠近襯底層表面，激光輻射就應是越短波的。在實驗室中，具有1064nm波長的neodym-yag激光已經(jīng)證明適合于靠近表面的加工。借助1550nm附近的波長，獲得幾百μm的深度。

27、測量得出，借助1950μm的波長、大約5ps的脈沖持續(xù)時間和大約20μm-30μm的光斑直徑獲得每個脈沖大約10μj的能量。從所述能量開始，大約會導致硅的損壞。

28、在一個實施方式中，激光射束法向于第一襯底層，并且第一襯底層主動地相對于整個光學構造、即激光射束運動。對于所述實施方式，第一襯底層必須固定在盡可能可快速運動的襯底保持件上。然而，襯底保持件應具有移動軸線的盡可能高的分辨率，以便能夠精確地定位激光射束。

29、在另一實施方式中，光學構造、尤其激光射束可以主動地相對于第一襯底層運動。為此優(yōu)選地使用激光定向設備。

30、在另一優(yōu)選的實施方式中，使用特殊的光學元件、尤其呈振鏡掃描儀形式的光學元件作為激光定向設備，以便使激光射束在第一襯底層上掃描從而構成平面式地構成的并且沿著主延伸平面伸展的分離層。優(yōu)選地，激光定向設備包括遠心物鏡、優(yōu)選地在具有兩側的遠心光路的遠心物鏡。在此，激光射束由激光定向設備引導穿過一個透鏡或多個透鏡，所述一個透鏡或多個透鏡使激光射束折射，使得激光射束始終法向地射入到第一襯底層和/或第二襯底層上。所使用的透鏡通常小于待掃描的第一襯底層。因此，第一襯底層必須在步進法(英文：step-and-repeat)中相對于光學構造運動。然后在多個部位處重復所述過程，直至整個待掃描的第一襯底層被照射。

31、可設想改變激光參數(shù)、尤其激光功率，使得可以改變焦平面的位置。

32、優(yōu)選地提出，第一襯底層與第三襯底層連接，其中第一襯底層、第二襯底層和第三襯底層沿著垂直于主延伸平面伸展的堆疊方向上下相疊地設置，并且第一襯底層是在第二襯底層與第三襯底層之間的接合層。通過對應地自聚焦到構成為接合層的第一襯底層中，有利地可行的是，能夠實現(xiàn)將現(xiàn)有的或制成的襯底復合體分離。因此，借助在此描述的方法也可行的是，進行解接合，以便將特定的襯底層、例如第二襯底層和第三襯底層彼此分開。

33、為了將經(jīng)由第一襯底層彼此連接的第二襯底層和第三襯底層分離，或者為了分離第一襯底層，可以使用附加的設備、尤其具有對應的固定機構的對應的襯底保持件。例如，設有第一襯底保持件和第二襯底保持件，所述第一襯底保持件和第二襯底保持件彼此相對置，而在第一襯底保持件與第二襯底保持件之間設置有待分離的第一襯底層。第一設備、尤其第一襯底保持件處于朝向第二襯底層的一側處。第二設備、尤其第二襯底保持件處于朝向第三襯底層的一側處。所述設備借助對應的固定機構、尤其借助真空固定裝置和/或夾緊機構來固定襯底或襯底層。通過兩個設備彼此遠離的相對運動，兩個襯底層、即第二襯底層和第三襯底層可以彼此分開并且同時固定在設備、即第一襯底層和第二襯底層處。同樣的情況適用于直接固定在待分離的第一襯底層的上側處的設備。

34、為了克服借助于所述方法分開的襯底層之間的最后剩余的吸引，施加在1n和100kn之間、優(yōu)選在1n和10kn之間、優(yōu)選在1n和1kn之間、特別優(yōu)選在1n和100n之間或甚至在1n和10n之間的力。

35、分離平面或者分離線具有在1nm和10μm之間、優(yōu)選在1nm和1μm之間、優(yōu)選在1nm和100nm之間，以及特別優(yōu)選在1nm和10nm之間的厚度。如果在分離平面或分離線中產(chǎn)生體積缺陷，尤其孔、局部熔化和/或類似的缺陷，則所述體積缺陷的尺寸在1nm和10μm之間，優(yōu)選在1nm和1μm之間，優(yōu)選在1nm和100nm之間，以及特別優(yōu)選在1nm和10nm之間。

36、優(yōu)選地提出，使用透鏡，以便使激光在入射到第一襯底層中之前預聚焦。由此可以有利地受控地設定激光射束在進入到第一襯底層中時的光功率，并且例如使其匹配于第一襯底層的材料特性。也可設想使用凹面鏡來進行聚焦，由此有利地可行的是，不僅可以實現(xiàn)激光射束的聚焦而且可以實現(xiàn)激光射束的偏轉，這可以有利地確保設備的結構空間的經(jīng)濟性。最后，不需要激光射束的直線的伸展。

37、替選地可設想，在激光源與第一襯底層之間不設置透鏡，也就是說激光的光路沒有透鏡和/或凹面鏡。

38、優(yōu)選地提出，分離通過機械力作用，另一激光入射，離子、原子和/或分子的引入，化學作用和/或熱量的引入來輔助。換言之：產(chǎn)生分離線還不完全足以引起第一襯底層的分離，而是作為分離線創(chuàng)建一種期望斷裂平面或期望斷裂線，其在添加其它影響，例如力作用、另一光作用和/或化學作用的情況下最終斷裂，以便在第一襯底層內引起分離。例如，在此可設想，對應的抽吸設備粘附在第一襯底層的上側和/或下側處，并且通過對應的拉力和/或剪切力引起到第一襯底層上的機械作用。如果需要力作用以進行分離，則力小于1000n，優(yōu)選小于500n，更優(yōu)選小于100n，最優(yōu)選小于10n，最為優(yōu)選小于1n。

39、在一個示例性的實施方式中，激光射束指向到焦平面的至少一個點上，以便通過高的能量密度使材料熔化或甚至直接升華。如果材料熔化，則優(yōu)選地分離過程、例如附加的機械作用還應優(yōu)選地在熔化狀態(tài)中進行。最后，通過借助激光射束非常聚焦地引入能量，熔化區(qū)域是相對小的，并且存儲在熔體中的熱量非?？焖俚卦俅谓?jīng)由襯底排出到環(huán)境中，使得尤其在實際要執(zhí)行的分離過程之前預期非常快速的冷卻。

40、凝固的熔化區(qū)域的組織結構仍可以具有比原始組織結構更小的斷裂強度從而用作為期望斷裂部位。如果材料升華，則材料在最罕見的情況下又可以再升華，使得在第一襯底層的待切割的襯底半部之間產(chǎn)生重新接合。雖然材料仍處于臨界區(qū)域中，但是在技術意義上被認為已去除。

41、在另一示例性的實施方式中，激光射束的高強度在材料中在焦平面內產(chǎn)生化學反應，所述化學反應在進一步的過程中引起斷裂。

42、優(yōu)選地提出，尤其在準備的方法步驟中，將離子引入到第一襯底層中，尤其引入到隨后的分離線的區(qū)域中，其方式尤其為，將離子加速并且注入到第一襯底層中。隨后，在具有離子的區(qū)域中通過自聚焦產(chǎn)生焦平面。例如，已知的方法可以擴展成，使得不必再加熱整個襯底堆疊，而是通過自聚焦的效應有針對性地引入通過激光引起的熱量，使得氫原子沿著焦平面復合成氫分子，從而根據(jù)方法引起組織結構的斷裂。

43、在此優(yōu)選地提出，將離子嵌入在植入平面中。在此，植入平面與焦平面之間的間距小于1mm，優(yōu)選小于100μm，優(yōu)選小于1μm，特別優(yōu)選小于100nm，或者甚至小于10nm。還可設想，在分離第一襯底層之前，具有植入平面的第一襯底層經(jīng)由至少一個覆層與第二襯底層連接，其方式為，借助于自聚焦在植入平面的區(qū)域中輸送熱量。通過借助自聚焦的光的加工實現(xiàn)物理的或化學的效應，所述效應引起植入在植入平面中的原子或分子的復合。尤其在使用所植入的氫離子的情況下，氫原子復合成氫分子。氫分子具有較高的摩爾體積。如此產(chǎn)生的氫氣膨脹并且引起沿著植入平面的損傷。通過經(jīng)由至少一個覆層與第二襯底層連接有利地可行的是，提供具有第二襯底層的整個襯底，所述第二襯底層設有相對薄的襯底子層，所述襯底子層在分離之后被保留并且經(jīng)由覆層接合到第二襯底層上。由此例如可以形成絕緣體上硅(英文：silicon-on-insulator，soi)襯底。

44、也可設想，在組織結構中存在其它原子，所述原子在熱負荷的過程中復合成其對應的分子氣體并且引起類似于方法的效應。也可設想，將鹵化物，尤其氟、氯、溴或碘離子化并且注入到襯底中。也可設想使用氮原子或氧原子，所述氮原子或氧原子復合成其對應的分子氣體。通過本發(fā)明擴展方法，使得不再使整個襯底堆疊經(jīng)受熱處理，這可以柔和地影響已經(jīng)存在的功能單元，尤其微芯片、存儲芯片、mems、led等。優(yōu)選地，離子、原子和/或分子的穿透在時間上在構成分離線之前進行，以構成自聚焦。

45、在另一示例性的實施方式中，將原子和/或分子以對于所使用的激光輻射而言高的吸收植入到待破壞的襯底和/或待破壞的層中。由此，激光輻射的光子優(yōu)選地由所植入的原子和/或分子吸收，這引起非常強的熱運動從而引起周圍的組織結構的損壞。

46、優(yōu)選地提出，所述方法用于制造例如包括第一襯底層和第二襯底層的襯底層復合體，其中在分離之后，第一襯底層的第一厚度小于第二襯底層的第二厚度。在此，第一厚度和第二厚度沿著垂直于主延伸平面伸展的堆疊方向被測量。借此有利地可行的是，將襯底層的覆層減少到期望的、尤其相對小的層厚度。這允許例如實現(xiàn)其值小于1000nm、優(yōu)選小于500nm、特別優(yōu)選小于100nm的層厚度。

47、優(yōu)選地提出，第一襯底層包括陶瓷材料、聚合物材料、硅和/或鍺。對應于第一襯底層、第二襯底層和/或第三襯底層的所選擇的材料，對應地調整激光功率，以便引起自聚焦的期望的效應。

48、優(yōu)選地提出，在照射期間，第一襯底層沿著通過分離線的在第一襯底層內的規(guī)劃的伸展來預設的方向運動。換言之：在激光射束是位置固定的并且尤其不通過可樞轉的鏡偏移或移位期間，通過如下方式進行運動以產(chǎn)生分離線：使第一襯底層相對于激光源以及尤其相對于位置固定的激光射束運動。由此可以有利地確保，激光盡可能垂直地射到每個部位上，以便避免由于改變的定向而使分離線變得不平坦。此外，有利地可行的是，防止激光由所照射的襯底側向地反射。替代于此，在關于第一襯底層的表面定向相應恒定的情況下，可以將向回反射的光限制到規(guī)定的空間體積內。

49、優(yōu)選地提出，所述分離僅通過借助于激光的照射來實現(xiàn)。換言之：在一個特別優(yōu)選的實施方式中，通過自聚焦已經(jīng)引起斷裂。由此提供一種能特別簡單地執(zhí)行的方法，因為不需要其它附加的工作步驟以便引起斷裂。在一個示例性的實施方式中，激光射束指向到焦平面的至少一個點上，以便在那里產(chǎn)生化學接合的直接斷裂。尤其陶瓷或聚合物材料中的共價連接可以直接斷裂。自聚焦的激光射束的能量密度在此大到使得產(chǎn)生共價連接的電子被從分子軌道中去除。

50、本發(fā)明的另一主題是一種用于執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的方法的設備，所述設備具有激光源，所述激光源適合于提供激光的在第一襯底層中實現(xiàn)自聚焦的功率。所有對于所述方法所描述的優(yōu)點和特征可以類似地轉用于所述設備。尤其地，已證明為有利的是，使用超短脈沖激光源，因為借助在此提供的激光脈沖可以相對簡單地實現(xiàn)期望的強度。此外可設想，源提供用于設定激光功率的控制裝置，由此可以有利地將激光功率設定到期望的大小，以便受控地引起在特定的區(qū)域中的自聚焦。

51、優(yōu)選地提出，所述設備包括保持元件，所述保持元件是可運動的，尤其可以在平行于第一襯底層的主延伸平面伸展的平面中運動。由此有利地可行的是，在激光射束保持位置固定期間進行第一襯底層或襯底層復合體的相對運動。本發(fā)明的另一主題是一種襯底，所述襯底包括至少一個借助根據(jù)本發(fā)明的方法制造的第一襯底層。所述方法的所有特征和特性可以類似地轉用于所述設備。