(相關(guān)申請的相互參考)本申請是2023年1月10日申請的日本專利申請?zhí)卦?023-001709的相關(guān)申請，主張基于該日本專利申請的優(yōu)先權(quán)，將該日本專利申請中記載的全部內(nèi)容作為構(gòu)成本說明書的內(nèi)容而引用。本說明書公開的技術(shù)涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
1、在日本特開2021-015978號公報(bào)中，公開了將雜質(zhì)向sic襯底(即，由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體襯底)進(jìn)行離子注入的技術(shù)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、在向sic襯底進(jìn)行離子注入的情況下，所注入的雜質(zhì)向大范圍擴(kuò)散而被注入。因此，無法高精度地形成雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域。在sic襯底中，在活化退火時難以產(chǎn)生雜質(zhì)的熱擴(kuò)散，因此在離子注入時高精度地形成雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域會帶來p型或n型區(qū)域的形成精度的提高。本說明書中提出在對sic襯底進(jìn)行離子注入時高精度地形成雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域的技術(shù)。
2、本說明書所公開的半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有：第一工序，向sic襯底注入第一導(dǎo)電型雜質(zhì)；以及第二工序，向所述sic襯底注入第二導(dǎo)電型雜質(zhì)。所述第一工序和所述第二工序滿足以下條件而被實(shí)施，所述條件是：在所述sic襯底的厚度方向上，具有在所述第一工序中注入的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的濃度分布為最大值的第一峰值、和隨著從所述第一峰值的位置離開而第一導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度連續(xù)地減少的減少區(qū)域，在所述sic襯底的所述厚度方向上，具有在所述第二工序中注入的第二導(dǎo)電型雜質(zhì)的濃度分布為最大值的第二峰值，所述第二峰值的位置與特定區(qū)域重疊，所述特定區(qū)域在所述減少區(qū)域內(nèi)并且具有所述第一峰值的10％以上的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度，所述第一峰值的位置成為第一導(dǎo)電型區(qū)域，所述特定區(qū)域的至少一部分成為第二導(dǎo)電型區(qū)域。
3、此外，第一導(dǎo)電型區(qū)域和第二導(dǎo)電型區(qū)域中的任一方為p型，另一方為n型。即，在第一導(dǎo)電型區(qū)域?yàn)閜型的情況下第二導(dǎo)電型區(qū)域?yàn)閚型，在第一導(dǎo)電型區(qū)域?yàn)閚型的情況下第二導(dǎo)電型區(qū)域?yàn)閜型。
4、此外，第一峰值、第二峰值及減少區(qū)域基于將在雜質(zhì)濃度的測定時產(chǎn)生的噪聲除去后的分布曲線來確定。
5、另外，第一工序和第二工序先實(shí)施哪個都可以。
6、根據(jù)該制造方法，具有在第一工序中注入的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的濃度分布為最大值的第一峰值、和隨著從第一峰值的位置離開而第一導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度連續(xù)地減少的減少區(qū)域。減少區(qū)域是由于離子注入時的注入深度的偏差而被注入了雜質(zhì)的區(qū)域。另外，根據(jù)該制造方法，在第二工序中注入的第二導(dǎo)電型雜質(zhì)的濃度分布的第二峰值的位置與減少區(qū)域內(nèi)的具有第一峰值的10％以上的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度的特定區(qū)域重疊。特定區(qū)域的至少一部分成為第二導(dǎo)電型區(qū)域。因此，能夠限定于第一峰值的位置周邊而形成第一導(dǎo)電型區(qū)域。這樣，根據(jù)該制造方法，能夠高精度地形成第一導(dǎo)電型區(qū)域。
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，