本申請涉及半導體，特別是涉及一種氣相重摻摻雜裝置。
背景技術：
1、在半導體制造領域，晶圓硅片作為集成電路的基礎材料，其導電性能是制造高性能半導體器件的關鍵因素。為了調(diào)控硅片的導電性，通常需要對硅晶體進行摻雜處理，以改變其內(nèi)部的電子結構。目前，摻雜后的硅片主要分為p型和n型兩種。
2、對于p型硅片，主流的摻雜元素為b(硼)，在摻雜過程中，b元素會取代硅晶體中的部分硅原子，形成空穴，從而使材料具有正電性。這種摻雜方法可以通過在多晶硅原料中直接放入b摻雜劑來實現(xiàn)。
3、然而，對于n型硅片的摻雜，情況則相對復雜，由于n型硅片主要依賴五價元素如p(磷)和as(砷)來提供自由電子，而這些元素在高溫下極易揮發(fā)，導致?lián)诫s過程中的磷p元素揮發(fā)很快，硅液中的磷p濃度難以精確控制。目前，為了解決這一問題，業(yè)內(nèi)廣泛采用的是鐘罩式氣相摻雜技術。這種技術雖然可以在一定程度上提高摻雜的均勻性和控制精度，但仍然存在摻雜有效利用率低的問題，即較多的摻雜劑并沒有有效地摻雜到硅溶液中，造成了原材料的浪費。
4、此外，用于摻雜的p元素(如紅磷)是一種超高純原料，其純度通常達到6n以上，價格昂貴。因此，需要提供一種針對上述技術問題的改進技術方案，這對于半導體晶圓硅片制造具有重要意義。
技術實現(xiàn)思路
1、鑒于上述現(xiàn)有技術中去膠機存在的缺陷及不足，本申請的目的在于提供一種氣相重摻摻雜裝置，以提高摻雜的有效利用率，降低生產(chǎn)成本、提高半導體制造的經(jīng)濟效益。
2、本申請?zhí)峁┝艘环N氣相重摻摻雜裝置，一種氣相重摻摻雜裝置，包括石英鐘罩，所述石英鐘罩具有一溢流開口，所述溢流開口與待摻雜物相對設置；
3、所述石英鐘罩自所述溢流開口向上依次包括摻雜腔與料盒放置腔，所述料盒放置腔的至少部分側(cè)壁配置為第二導流部，所述第二導流部由所述摻雜腔的罩殼側(cè)壁向所述石英鐘罩的腔體內(nèi)傾斜彎折，形成包含錐臺結構的料盒放置腔，以縮小所述料盒放置腔的容積。
4、在一些實施方式中，所述料盒放置腔的全部側(cè)壁均為傾斜側(cè)壁，且使所述料盒放置腔形成為圓錐結構的腔體。
5、在一些實施方式中，配置第二導流部的所述摻雜腔的容積比初始摻雜腔容積縮小至少40％。
6、在一些實施方式中，所述料盒放置腔的所述第二導流部為平面結構。
7、在一些實施方式中，所述第二導流部具有若干段依次連接的導流面，每段所述導流面均為平面結構。
8、在一些實施方式中，所述第二導流部在水平方向上的傾斜角度介于30°～75°之間。
9、在一些實施方式中，在水平方向上，所述料盒放置腔內(nèi)的摻雜料盒與所述第二導流部具有一最小距離l，所述摻雜腔的直徑為d，其中，1/18≤l/d≤1/6。
10、在一些實施方式中，所述石英鐘罩的高度大于或等于300mm，且所述摻雜腔的高度與所述料盒放置腔的高度之比大于或等于2。
11、在一些實施方式中，所述溢流開口與所述待摻雜物之間的距離為d，5mm≤d≤30mm。
12、在一些實施方式中，所述石英鐘罩內(nèi)采用的重摻摻雜劑為含有磷、砷和銻元素中的一種或幾種摻雜劑。
13、與現(xiàn)有技術相比，本申請?zhí)峁┑募夹g方案具有以下有益效果：
14、本申請的技術方案中，通過對現(xiàn)有氣相重摻摻雜裝置進行結構改進，尤其是針對石英鐘罩的料盒放置腔的罩殼側(cè)壁結構的結構優(yōu)化：石英鐘罩自溢流開口向上依次包括摻雜腔與料盒放置腔，料盒放置腔的至少部分側(cè)壁配置為第二導流部，第二導流部由摻雜腔的罩殼側(cè)壁向石英鐘罩的腔體內(nèi)傾斜彎折，形成包含錐臺結構的料盒放置腔，以縮小料盒放置腔的容積。該摻雜裝置可以實現(xiàn)節(jié)約摻雜劑，提高摻雜效率的目的，從料盒室蒸發(fā)的氣體，直接沿石英鐘罩側(cè)壁向下流動進入摻雜室，并接近待摻雜物表面進行氣相摻雜，實現(xiàn)了提高料盒室的含摻雜劑混合氣體的濃度，節(jié)約摻雜劑的使用，降低成本，并提高摻雜效率。
1.一種氣相重摻摻雜裝置，包括石英鐘罩，所述石英鐘罩具有一溢流開口，所述溢流開口與待摻雜物相對設置；其特征在于，
2.根據(jù)權利要求1所述的氣相重摻摻雜裝置，其特征在于，所述料盒放置腔的全部側(cè)壁均為傾斜側(cè)壁，且使所述料盒放置腔形成為圓錐結構的腔體。
3.根據(jù)權利要求1所述的氣相重摻摻雜裝置，其特征在于，配置第二導流部的所述摻雜腔的容積比初始摻雜腔容積縮小至少40％。
4.根據(jù)權利要求1所述的氣相重摻摻雜裝置，其特征在于，所述料盒放置腔的所述第二導流部為平面結構。
5.根據(jù)權利要求4所述的氣相重摻摻雜裝置，其特征在于，所述第二導流部具有若干段依次連接的導流面，每段所述導流面均為平面結構。
6.根據(jù)權利要求1所述的氣相重摻摻雜裝置，其特征在于，所述第二導流部在水平方向上的傾斜角度介于30°～75°之間。
7.根據(jù)權利要求1所述的氣相重摻摻雜裝置，其特征在于，在水平方向上，所述料盒放置腔內(nèi)的摻雜料盒與所述第二導流部具有一最小距離l，所述摻雜腔的直徑為d，其中，1/18≤l/d≤1/6。
8.根據(jù)權利要求1所述的氣相重摻摻雜裝置，其特征在于，所述石英鐘罩的高度大于或等于300mm，且所述摻雜腔的高度與所述料盒放置腔的高度之比大于或等于2。
9.根據(jù)權利要求1所述的氣相重摻摻雜裝置，其特征在于，所述溢流開口與所述待摻雜物之間的距離為d，5mm≤d≤30mm。