本發(fā)明涉及化學(xué)機(jī)械拋光領(lǐng)域，尤其涉及一種化學(xué)機(jī)械拋光液及其用途。
背景技術(shù)：
1、對(duì)于dram和3d-nand的迭代發(fā)展，都需要去除相當(dāng)厚的氧化硅，由此，本領(lǐng)域亟需一種能夠極大促進(jìn)氧化硅拋光速率的氧化鈰拋光液。同時(shí)傳統(tǒng)使用帶有負(fù)電荷的氧化鈰的化學(xué)機(jī)械拋光液往往面臨teos拋光速率慢的技術(shù)問題，從而大多數(shù)情況下使用表面帶有正電荷的氧化鈰顆粒拋光氧化硅。但是使用表面帶有正電荷的氧化鈰的化學(xué)機(jī)械拋光液存在很多問題，例如缺陷率高，顆粒殘留多，難于清洗等等。
2、因此，如何開發(fā)一款表面帶有負(fù)電荷的氧化鈰顆粒的化學(xué)機(jī)械拋光液達(dá)到和正電荷相當(dāng)?shù)膖eos拋光速率，同時(shí)簡(jiǎn)化清洗工藝、提高良率，成為本領(lǐng)域的亟需解決的技術(shù)問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了克服上述技術(shù)缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種用于提高teos拋光速率的化學(xué)機(jī)械拋光液及其用途。
2、具體的，本發(fā)明公開了一種用于提高teos拋光速率的化學(xué)機(jī)械拋光液，包括：含氮雜環(huán)共軛化合物、表面帶有負(fù)電荷的氧化鈰顆粒。
3、優(yōu)選的，所述含氮雜環(huán)共軛化合物選自2-吡啶甲酸、1,2,4-三氮唑、1-甲基-5-巰基-1h-四氮唑、5-甲基四氮唑、4-氨基-1,2,4-三氮唑、3-氨基-1,2,4-三氮唑和氰尿酸中的一種或多種。
4、優(yōu)選的，所述含氮雜環(huán)化合物的質(zhì)量百分比濃度為200ppm-2000ppm。
5、優(yōu)選的，所述表面帶有負(fù)電荷的氧化鈰顆粒的zeta電位小于-30mv.
6、優(yōu)選的，所述表面帶有負(fù)電荷的氧化鈰顆粒包含溶膠型氧化鈰顆粒。
7、優(yōu)選的，所述表面帶有負(fù)電荷的氧化鈰顆粒的濃度為0.1wt％-1.0wt％。
8、優(yōu)選的，所述化學(xué)機(jī)械拋光液還包括ph調(diào)節(jié)劑，所述ph調(diào)節(jié)劑選自koh或hno3。
9、優(yōu)選的，所述化學(xué)機(jī)械拋光液的ph值為9～12。
10、本發(fā)明還公開了一種化學(xué)機(jī)械拋光液的用途，將如上任一所述的化學(xué)機(jī)械拋光液用于提高teos拋光速率的用途。
11、采用了上述技術(shù)方案后，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果：簡(jiǎn)化拋光后的清洗工藝，提高產(chǎn)品良率和產(chǎn)率，降低生產(chǎn)成本。
1.一種用于提高teos拋光速率的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于，包括：含氮雜環(huán)共軛化合物、表面帶有負(fù)電荷的氧化鈰顆粒。
2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于，
3.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于，所述表面帶有負(fù)電荷的氧化鈰顆粒的zeta電位小于-30mv。
4.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于，所述表面帶有負(fù)電荷的氧化鈰顆粒包含溶膠型氧化鈰顆粒。
5.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于，所述表面帶有負(fù)電荷的氧化鈰顆粒的濃度為0.1wt％-1.0wt％。
6.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于，所述拋光液包括ph調(diào)節(jié)劑。
7.如權(quán)利要求6所述的化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其特征在于，所述ph調(diào)節(jié)劑為koh或hno3。
8.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于，所述化學(xué)機(jī)械拋光液的ph值為9～12。
9.一種化學(xué)機(jī)械拋光液的用途，將如權(quán)利要求1-8任一所述的化學(xué)機(jī)械拋光液用于提高teos拋光速率的用途。