本申請涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種碳基光刻材料的顆粒度測量方法。
背景技術(shù)：
1、光刻材料的顆粒度是衡量光刻材料好壞的關(guān)鍵指標，低的顆粒度能保證芯片在制造過程中不會因光刻材料中的顆粒產(chǎn)生缺陷，提高芯片的良率和電學(xué)性能。因此，如何準確測試出光刻材料里的顆粒數(shù)是材料評估驗證的重要一環(huán)。
2、目前在測試碳基光刻材料的顆粒度時，采用方法通常為：使用sp系列顆粒測試機臺先測量在基底的顆粒數(shù)，該顆粒數(shù)作為前值；在基底上涂覆碳基光刻材料，再使用相同的測試機臺測試顆粒數(shù)，該顆粒數(shù)作為后值；前值顆粒數(shù)與后值顆粒數(shù)之間的差值即為碳基光刻材料里的顆粒數(shù)。這種測試方法并不準確，因為sp系列顆粒測試機臺的原理是利用斜入射的橢圓偏振光打在待測試的基底表面發(fā)生反射和漫散射，機臺收集筒再收集其反射和漫散射光信號，通過分析這些光的信號強度和相位變化得到基底表面狀況。當(dāng)基底1表面涂覆碳基光刻材料2后，入射光打在碳基光刻材料2表面部分光發(fā)生反射和漫反射，另外部分光發(fā)生折射進入到碳基光刻材料2內(nèi)部，再在碳基光刻材料2和基底1接觸面發(fā)生反射，然后穿透碳基光刻材料2反射出去，碳基光刻材料2中含有顆粒3，如圖1所示。所以，碳基光刻材料表面的粗糙度，碳基光刻材料的折射率，硅基光刻涂覆厚度等因素都會影響到測試結(jié)果的準確性，需要針對每種材料每種厚度進行不斷的光譜校正，不然很容易造成顆粒的誤檢測。因此，在基底上旋涂碳基光刻材料，然后測碳基光刻材料顆粒度的這種方式并不能準確反映碳基光刻材料顆粒度。
3、所以，如何解決上述技術(shù)問題應(yīng)是本領(lǐng)域技術(shù)人員重點關(guān)注的。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請的目的是提供一種碳基光刻材料的顆粒度測量方法，以提升碳基光刻材料的顆粒度測量的準確性。
2、為解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┮环N碳基光刻材料的顆粒度測量方法，包括：
3、獲得上表面沉積有介質(zhì)層的基底；所述介質(zhì)層與待測碳基光刻材料的種類不同；
4、在所述介質(zhì)層的上表面涂覆所述待測碳基光刻材料；
5、刻蝕去除所述待測碳基光刻材料；
6、測量所述介質(zhì)層表面的目標顆粒分布信息；
7、以基準顆粒分布信息作為參考，確定所述目標顆粒分布信息中增加的顆粒為所述待測碳基光刻材料的顆粒度；
8、其中，所述基準顆粒分布信息為所述介質(zhì)層的上表面涂覆所述待測碳基光刻材料之前的顆粒分布信息，所述基準顆粒分布信息和所述目標顆粒分布信息由同一測試設(shè)備測得。
9、可選的，獲得上表面沉積有介質(zhì)層的基底之前，還包括：
10、在所述基底的上表面沉積所述介質(zhì)層。
11、可選的，在所述基底的上表面沉積所述介質(zhì)層包括：
12、在所述基底的上表面沉積二氧化硅層。
13、可選的，所述目標顆粒分布信息包括目標顆粒分布圖像、所述基準顆粒分布信息包括基準顆粒分布圖像，以基準顆粒分布信息作為參考，確定所述目標顆粒分布信息中增加的顆粒為所述待測碳基光刻材料的顆粒度包括：
14、比較基準顆粒分布圖像和目標顆粒分布圖像，確定所述目標顆粒分布圖像中增加的顆粒數(shù)量為所述待測碳基光刻材料的顆粒度。
15、可選的，所述目標顆粒分布信息包括目標顆粒分布數(shù)量、所述基準顆粒分布信息包括基準顆粒分布數(shù)量，以基準顆粒分布信息作為參考，確定所述目標顆粒分布信息中增加的顆粒為所述待測碳基光刻材料的顆粒度包括：
16、確定目標顆粒分布數(shù)量與基準顆粒分布數(shù)量的差值，作為所述待測碳基光刻材料的顆粒度。
17、可選的，所述介質(zhì)層的厚度范圍為100埃米～500埃米。
18、可選的，在所述介質(zhì)層的上表面涂覆所述待測碳基光刻材料包括：
19、在所述介質(zhì)層的上表面涂覆光刻膠。
20、可選的，在所述介質(zhì)層的上表面涂覆所述待測碳基光刻材料包括：
21、在所述介質(zhì)層的上表面涂覆底部抗反射涂層。
22、可選的，在所述介質(zhì)層的上表面涂覆所述待測碳基光刻材料包括：
23、在所述介質(zhì)層的上表面涂覆旋涂碳。
24、可選的，刻蝕去除所述待測碳基光刻材料包括：
25、使用cl2和o2等離子體刻蝕去除所述待測碳基光刻材料。
26、本申請所提供的一種碳基光刻材料的顆粒度測量方法，包括：獲得上表面沉積有介質(zhì)層的基底；所述介質(zhì)層與待測碳基光刻材料的種類不同；在所述介質(zhì)層的上表面涂覆所述待測碳基光刻材料；刻蝕所述待測碳基光刻材料；測量所述介質(zhì)層表面的目標顆粒分布信息；以基準顆粒分布信息作為參考，確定所述目標顆粒分布信息中增加的顆粒為所述待測碳基光刻材料的顆粒度；其中，所述基準顆粒分布信息為所述介質(zhì)層的上表面涂覆所述待測碳基光刻材料之前的顆粒分布信息，所述基準顆粒分布信息和所述目標顆粒分布信息由同一測試設(shè)備測得。
27、可見，本申請中在測量碳基光刻材料的顆粒度時，碳基光刻材料涂覆在位于基底上的介質(zhì)層的上表面，再將碳基光刻材料刻蝕掉，介質(zhì)層作為刻蝕阻擋層不會被刻蝕，碳基光刻材料中的雜質(zhì)顆粒便會落在介質(zhì)層的上表面，測量此時介質(zhì)層上表面的目標顆粒分布信息。然后將目標顆粒分布信息與介質(zhì)層表面在涂覆碳基光刻材料之前的基準顆粒分布信息進行比較，目標顆粒分布信息中增加的顆粒即為碳基光刻材料的顆粒度。該測試方法不受待測碳基光刻材料厚度、表面粗糙度等影響，且由于介質(zhì)層表面不會被刻蝕，碳基光刻材料刻蝕后介質(zhì)層表面仍然是平整的，不會對目標顆粒分布信息測量造成影響，因此，本申請中測得的碳基光刻材料的顆粒度更加準確。
1.一種碳基光刻材料的顆粒度測量方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的碳基光刻材料的顆粒度測量方法，其特征在于，獲得上表面沉積有介質(zhì)層的基底之前，還包括：
3.如權(quán)利要求2所述的碳基光刻材料的顆粒度測量方法，其特征在于，在所述基底的上表面沉積所述介質(zhì)層包括：
4.如權(quán)利要求1所述的碳基光刻材料的顆粒度測量方法，其特征在于，所述目標顆粒分布信息包括目標顆粒分布圖像、所述基準顆粒分布信息包括基準顆粒分布圖像，以基準顆粒分布信息作為參考，確定所述目標顆粒分布信息中增加的顆粒為所述待測碳基光刻材料的顆粒度包括：
5.如權(quán)利要求1所述的碳基光刻材料的顆粒度測量方法，其特征在于，所述目標顆粒分布信息包括目標顆粒分布數(shù)量、所述基準顆粒分布信息包括基準顆粒分布數(shù)量，以基準顆粒分布信息作為參考，確定所述目標顆粒分布信息中增加的顆粒為所述待測碳基光刻材料的顆粒度包括：
6.如權(quán)利要求2所述的碳基光刻材料的顆粒度測量方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的厚度范圍為100埃米～500埃米。
7.如權(quán)利要求1所述的碳基光刻材料的顆粒度測量方法，其特征在于，在所述介質(zhì)層的上表面涂覆所述待測碳基光刻材料包括：
8.如權(quán)利要求1所述的碳基光刻材料的顆粒度測量方法，其特征在于，在所述介質(zhì)層的上表面涂覆所述待測碳基光刻材料包括：
9.如權(quán)利要求1所述的碳基光刻材料的顆粒度測量方法，其特征在于，在所述介質(zhì)層的上表面涂覆所述待測碳基光刻材料包括：
10.如權(quán)利要求1至9任一項所述的碳基光刻材料的顆粒度測量方法，其特征在于，刻蝕去除所述待測碳基光刻材料包括：