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本公開涉及一種閃存的技術(shù)，且特別是一種利用閃存模擬電子抹除式可復(fù)寫只讀存儲器的方法以及使用其的閃存系統(tǒng)。、電子抹除式可復(fù)寫只讀存儲器(electrically-erasable?programmable?read-only?memory，eeprom)最早是在年由intel推出，用于替代傳...

本技術(shù)涉及大數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域，尤其涉及一種便于使用的大數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。、大數(shù)據(jù)存儲是將數(shù)據(jù)集持久化到計算機中?！按髷?shù)據(jù)”通常指的是那些數(shù)量巨大、難于收集、處理、分析的數(shù)據(jù)集，亦指那些在傳統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施中長期保存的數(shù)據(jù)。、現(xiàn)有的數(shù)據(jù)存儲裝置的數(shù)據(jù)插孔一般裸露在外，外部的雜物、濕氣等易對數(shù)據(jù)接口造成堵塞...

本技術(shù)涉及通訊記錄儀，尤其涉及一種數(shù)字式通訊記錄儀用雙備份裝置。、記錄儀是以先進的cpu為核心，并輔以大規(guī)模集成電路、大容量flash存儲、信號智能調(diào)理、smartbus總線以及高分辨率圖形液晶顯示器的新型智能化無紙記錄儀表，采用長壽命led背光×單色液晶顯示屏，支持//通道模擬量通用輸入...

本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種全擺幅輸入型靈敏放大器、模塊及芯片。、隨著可穿戴設(shè)備的普及和cmos工藝關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，芯片的集成度的不斷提高，大容量高密度存儲芯片的需求日益提升。但大容量高密度的存儲陣列將在一條位線上掛載更多的存儲單元，這使得位線電容不斷增大，并極大增加了位線全擺...

本發(fā)明涉及一種針對三晶體管存儲器件以及三晶體管存儲器陣列設(shè)計的高效讀出電路，屬于模擬集成電路領(lǐng)域。、片內(nèi)緩存作為現(xiàn)代集成電路中的重要組成部分，通常采用靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)技術(shù)。sram具有較高的讀寫速度和良好的數(shù)據(jù)保持能力，因此在許多高性能應(yīng)用中被廣泛使用。然而，sram單元結(jié)構(gòu)...

本公開涉及存儲器模塊和存儲器模塊的控制器的操作方法。、半導(dǎo)體存儲器裝置用于存儲數(shù)據(jù)，并且被分類為易失性存儲器裝置或非易失性存儲器裝置。、易失性存儲器裝置（諸如，動態(tài)隨機存取存儲器（dram））被提供來自主機裝置的待存儲的數(shù)據(jù)。從主機裝置接收的數(shù)據(jù)可以是中毒數(shù)據(jù)（poisoned?data）...

本技術(shù)涉及存儲信息擦除設(shè)備，尤其涉及一種基于液冷散熱的穩(wěn)定支撐式存儲信息擦除設(shè)備。、基于液冷散熱的穩(wěn)定支撐式存儲信息擦除設(shè)備是一種結(jié)合了高效散熱與數(shù)據(jù)安全技術(shù)的創(chuàng)新設(shè)備。該設(shè)備主要面向需要高性能散熱和嚴格數(shù)據(jù)管理的應(yīng)用場景，如數(shù)據(jù)中心、大型服務(wù)器集群等。、存儲信息擦除設(shè)備全面放入液冷中進行...

本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種修復(fù)共享電路、修復(fù)共享方法和存儲器。、在存儲器的正常使用過程中，一些存儲行和/或列可能發(fā)生失效，為了在存儲行和/或列發(fā)生失效的情況下，延長存儲器的壽命，封裝后修復(fù)(post?package?repair，ppr)方法被用于修復(fù)存儲器的存儲行和/或列。具體的，可...

本申請涉及存儲，特別涉及隨機存儲器及測試裝置。、隨著電子系統(tǒng)的小型化發(fā)展，生產(chǎn)端為了壓縮芯片封裝體積，多die(芯片)疊封技術(shù)得到廣泛的應(yīng)用。多die疊封技術(shù)是把滿足產(chǎn)品性能的不同種類未封裝的芯片顆粒封裝在同一個封裝體中，實現(xiàn)空間上的壓縮。、隨機存儲器發(fā)展至至今，通常需要對隨機存儲器進行相...

本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種修復(fù)電路、修復(fù)撤銷方法和存儲器。、在存儲器的正常使用過程中，一些存儲行和/或列可能發(fā)生失效，為了在存儲行和/或列發(fā)生失效的情況下，延長存儲器的壽命，封裝后修復(fù)(post?package?repair，ppr)方法被用于修復(fù)存儲器的存儲行和/或列。具體的，可以采...

本發(fā)明涉及磁化場定制，尤其涉及一種誘導(dǎo)任意朝向超衍射極限磁化場的方法。、磁光記錄技術(shù)依托于光焦場與磁光材料間的交互作用，融合了磁性存儲與光學(xué)存儲的雙重優(yōu)點，有望成為應(yīng)對大數(shù)據(jù)時代龐大數(shù)據(jù)傳輸、處理及存儲需求的重要方案之一。為達成大存儲量及高存儲密度的目標，磁光存儲技術(shù)核心前提在于基于逆法拉...

本發(fā)明涉及磁盤錄制，更具體地說，涉及一種kp視頻源磁盤錄制不丟幀的方法及系統(tǒng)。、磁盤錄制丟幀的主要原因通常包括硬盤的存儲性能不足、磁盤碎片過多以及硬盤的讀寫速度跟不上錄制需求、資源設(shè)置問題、操作不當?shù)鹊?，這些問題會導(dǎo)致錄制過程中出現(xiàn)丟幀現(xiàn)象，而且隨著k視頻源的日益普及，磁盤錄制面臨的丟幀問...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種用于sram速度調(diào)節(jié)的控制電路。、于近～年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，組件微縮快速，芯片密度增加，運算性能高速，半導(dǎo)體存儲器也正朝著顯著的方向發(fā)展，其中揮發(fā)性存儲器之中，sram具有的低功耗和高性能的特點，dram具有的成本低和大存儲容量的特點。、當前在so...

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路，特別是涉及一種靈敏放大器電路(senseamplifier，sa)電路。、嵌入式閃存是mcu的重要組成部分，靈敏放大器是嵌入式閃存的核心結(jié)構(gòu)，其具有產(chǎn)生位線(bl)電壓與判斷閃存單元存儲值的功能。、隨著工藝節(jié)點的推進，一般通過降低電源電壓來達到降低整個芯片功耗...

本技術(shù)涉及硬盤檢測領(lǐng)域，具體而言，涉及一種保溫面板。、在硬盤檢測設(shè)備的表面需要設(shè)置保溫面板，以保證設(shè)備的內(nèi)部的正常運轉(zhuǎn)，同時能夠保證設(shè)備內(nèi)部的溫度不會散發(fā)，保證了設(shè)備運轉(zhuǎn)時的溫度，且硬盤在進行檢測時需要對硬盤進行耐溫檢測，保溫面板避免溫度的散發(fā)且減少了耐溫檢測時能量的輸出。、現(xiàn)有保溫面板的...

本技術(shù)涉及硬盤驅(qū)動器，特別涉及一種硬盤驅(qū)動器的磁頭臂。、磁頭臂也稱磁頭驅(qū)動臂，是硬盤驅(qū)動器中的一個部件，主要用于移動磁頭到磁盤表面的讀寫位置，以便進行數(shù)據(jù)的讀寫操作。在硬盤的工作過程中，磁頭臂通過音圈電機驅(qū)動，在高速旋轉(zhuǎn)的盤片上方進行精確的移動，以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀取和寫入。在硬盤不工作時，磁頭...

本發(fā)明屬于存儲器，更具體地，涉及一種匹配stt-mram不對稱讀取和寫入電流的電路結(jié)構(gòu)及方法。、自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存取存儲器(stt-mram)因其非易失性、高耐久性、高速度、高密度和長保持時間而備受矚目。其理論上的高密度和簡單結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致的較低工藝成本也吸引了大量關(guān)注。然而，stt-mra...

本創(chuàng)作是關(guān)于半導(dǎo)體存儲器系統(tǒng)，特別是關(guān)于半導(dǎo)體存儲器系統(tǒng)的電源(power)管理系統(tǒng)和方法。、存儲器裝置可以配置為在多種狀態(tài)下運行。例如，為了節(jié)能目的，存儲器裝置可以配置為在活動狀態(tài)和較低功率(lower?power)狀態(tài)(如關(guān)閉、深度休眠和淺度休眠)下運行。電路可以用于存儲器裝置中，以促...

本發(fā)明的一個方式涉及一種存儲裝置。尤其是，本發(fā)明的一個方式涉及一種能夠利用半導(dǎo)體特性而工作的存儲裝置。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于上述。本說明書等所公開的發(fā)明的涉及一種物體、方法或制造方法。另外，本發(fā)明的一個方式涉及一種工序(process)、機器(machine)、產(chǎn)品(manufacture...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器器件，尤其涉及一種md-類nvsram。、移動設(shè)備市場規(guī)模的擴大促使人們需要規(guī)劃具有快速切換特性和更長電池壽命、更低功耗和可以進行數(shù)據(jù)保護的存儲設(shè)備。t-sram是最常見的靜態(tài)隨機存取存儲器類型，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和計算機系統(tǒng)中。盡管速度快，但t-sram的易失性...