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本申請(qǐng)總體上涉及電子器件領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)器的操作方法以及存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)系統(tǒng)。、存儲(chǔ)器是信息技術(shù)的基礎(chǔ)，作為下一代的非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的候選者，相變存儲(chǔ)器(phase?change?random?access?memory，pcm)由于高速讀取、高可擦寫(xiě)次數(shù)、非易失性、元件尺寸小、功耗低...

本公開(kāi)涉及具有帶調(diào)整電路的跟蹤字線的存儲(chǔ)器器件、其操作方法及其制造方法。、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)是一種類型的存儲(chǔ)設(shè)備。一位sram單元具有兩個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，這兩個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)用于存儲(chǔ)位和位的補(bǔ)碼的邏輯狀態(tài)(低或高)，即bit_bar。靜態(tài)噪聲容限(snm)是應(yīng)用于sram單元的品質(zhì)因數(shù)。s...

所屬的技術(shù)人員能夠理解，本申請(qǐng)的各個(gè)方面可以實(shí)現(xiàn)為系統(tǒng)、方法或程序產(chǎn)品。因此，本申請(qǐng)的各個(gè)方面可以具體實(shí)現(xiàn)為以下形式，即：完全的硬件實(shí)施方式、完全的軟件實(shí)施方式(包括固件、微代碼等)，或硬件和軟件方面結(jié)合的實(shí)施方式，這里可以統(tǒng)稱為“電路”、“模塊”或“系統(tǒng)”。在一些可能的實(shí)施方式中，根據(jù)本申請(qǐng)的高...

本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)服務(wù)器數(shù)據(jù)保障，具體為一種計(jì)算機(jī)服務(wù)器大數(shù)據(jù)處理保障的輔助裝置。、計(jì)算機(jī)服務(wù)器大數(shù)據(jù)處理保障的輔助裝置的主要作用是保護(hù)計(jì)算器服務(wù)器中的硬盤(pán)，硬盤(pán)中的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失和損壞，讓計(jì)算機(jī)服務(wù)器在進(jìn)行大數(shù)據(jù)處理時(shí)，計(jì)算機(jī)服務(wù)器中的硬盤(pán)能夠穩(wěn)定工作，提高計(jì)算機(jī)服務(wù)器的數(shù)據(jù)處理效率和可靠性...

本公開(kāi)涉及實(shí)現(xiàn)樣片(daily)的自動(dòng)生成，更具體地，涉及使音頻流和視頻流同步，以實(shí)現(xiàn)樣片的自動(dòng)生成。、在電影制作中，樣片是在設(shè)定的一段時(shí)間內(nèi)拍攝的未經(jīng)編輯的原始鏡頭，充當(dāng)電影拍攝和演員的表演進(jìn)展如何的指示。在生成樣片時(shí)，需要使用場(chǎng)記板或拍板作為參考，將聲音與視頻同步。因此，場(chǎng)記板用于在錄...

本發(fā)明涉及加固磁盤(pán)陣列，具體為一種三級(jí)減震的加固磁盤(pán)陣列結(jié)構(gòu)。、隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)以及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，高性能的服務(wù)器及磁盤(pán)陣列單元應(yīng)用日益增多，目的是不斷滿足系統(tǒng)對(duì)計(jì)算處理能力、海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力的需要。同時(shí)，伴隨著信息化、智能化建設(shè)的深入開(kāi)展，高性能服務(wù)器、磁盤(pán)陣列單元亦廣泛應(yīng)用于各種...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的修補(bǔ)方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。、對(duì)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的產(chǎn)品初期而言，由于制程并不穩(wěn)定，導(dǎo)致半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的良率較低，從而使得能夠送到后段制程的封裝顆粒數(shù)就比較少，阻礙了對(duì)產(chǎn)品的測(cè)試分析。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種內(nèi)存模組的測(cè)試裝置及其測(cè)試方法。、內(nèi)存模組由dram(dynamic?random?access?memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存)顆粒、pcb(printed?circuit?board，印制電路板)和spd(serial?presence?detect，串行...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體，具體地，涉及一種失效單元的修復(fù)方法、修復(fù)裝置、修復(fù)系統(tǒng)及存儲(chǔ)介質(zhì)。、在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，可以先形成分布有多個(gè)晶粒(die)的晶圓(wafer)，然后以晶粒為單位進(jìn)行切片封裝等各項(xiàng)工序制備形成芯片。在制造過(guò)程中，需要對(duì)晶圓上的失效單元(fail?bit，fb)進(jìn)行修復(fù)，來(lái)提...

、本發(fā)明總體上涉及量子和經(jīng)典數(shù)字超導(dǎo)電路和系統(tǒng)，且更特別地涉及用于寫(xiě)入超導(dǎo)存儲(chǔ)器電路的電路。、超導(dǎo)數(shù)字技術(shù)已經(jīng)提供了受益于高速和低功率耗散的計(jì)算和/或通信資源。數(shù)十年來(lái)，超導(dǎo)數(shù)字技術(shù)缺少具有相對(duì)于邏輯電路的充足容量和速度的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)。這已經(jīng)成為對(duì)針對(duì)電信和信號(hào)智能中的超導(dǎo)技術(shù)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路，特別涉及一種efuse編程單元及其編程方法、efuse編程單元陣列和芯片。、efuse(electrically?programmable?fuse，電可編程熔絲)屬于一次性可編程存儲(chǔ)器，其基于電遷移(em)原理，通過(guò)大的編程電流將其編程單元中的熔絲本體(efus...

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)器測(cè)試電路。、、在用于集成電路中的存儲(chǔ)器中，sram(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)由bist(內(nèi)建自測(cè)試)電路確保存儲(chǔ)器的制造沒(méi)有問(wèn)題，eflash(embedded?flash，嵌入式閃存)廠商也會(huì)提供ip(intellectual?prop...

本發(fā)明涉及芯片測(cè)試領(lǐng)域，更具體地涉及一種基于usb.的內(nèi)置自測(cè)試的方法。、現(xiàn)在常用的基于usb.的內(nèi)置自測(cè)試技術(shù)主要是通過(guò)在pcs(物理編碼子層)中增加prbs(偽隨機(jī)二進(jìn)制序列)生成器和檢測(cè)器來(lái)完成bist(內(nèi)置自測(cè)試)的功能。、prbs生成器通常由lfsr(線性反饋移位寄存器)和異或電...

本公開(kāi)總體上涉及一種半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體系統(tǒng)，并且更具體地涉及一種被配置為將通過(guò)檢測(cè)與時(shí)鐘同步地輸入的命令的輸入定時(shí)而生成的相位檢測(cè)信號(hào)鎖存在管道鎖存器中并且被配置為基于已經(jīng)鎖存在管道鎖存器中的相位檢測(cè)信號(hào)來(lái)補(bǔ)償從命令生成的內(nèi)部命令的生成定時(shí)的半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體系統(tǒng)。、通常，包括雙倍數(shù)據(jù)速率...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種數(shù)據(jù)處理電路及存儲(chǔ)器。、隨著當(dāng)今科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體器件被廣泛地應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品。例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory，dram)，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(static?random-access?...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種偏移電壓確定方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備。、nand閃存包括slc(single-level?cell，單層單元)、mlc(multi-level?cell，多層單元)、tlc(triple-level?cell，三層單元)三種存儲(chǔ)模式，區(qū)別在...

本公開(kāi)的多種實(shí)施例一般涉及堆疊型存儲(chǔ)器件和其制造方法，更具體地，涉及被配置為減少泄漏的堆疊型存儲(chǔ)器件和制造該堆疊型存儲(chǔ)器件的方法。、為了滿足客戶所要求的良好性能和低價(jià)格，需要進(jìn)一步提高半導(dǎo)體器件的集成度(也稱為集成密度)。、半導(dǎo)體器件的集成度可以是用于確定產(chǎn)品價(jià)格的一個(gè)重要因素。二維或平面...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種晶粒及其測(cè)試方法。、為了增加半導(dǎo)體產(chǎn)品的集成度，提高數(shù)據(jù)輸出效率，在同一晶粒(die)中包括多個(gè)(兩個(gè)或兩個(gè)以上)輸出通道。相關(guān)技術(shù)中，當(dāng)同一晶粒包括多個(gè)輸出通道時(shí)，由于測(cè)試機(jī)臺(tái)的量測(cè)輸入通道數(shù)量通常是固定的，由此導(dǎo)致測(cè)試機(jī)臺(tái)同時(shí)能夠測(cè)試的晶粒數(shù)量降低，...

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)領(lǐng)域，特別是涉及一種存儲(chǔ)裝置。、在存儲(chǔ)領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，計(jì)算密度持續(xù)增長(zhǎng)，對(duì)內(nèi)存容量需求越來(lái)越大，相應(yīng)的散熱要求也越高。、在存儲(chǔ)裝置中的電路板上的空間已經(jīng)被盡可能利用的情況下，為了使得服務(wù)器性能能夠得到進(jìn)一步的提升，人們通?？紤]對(duì)存儲(chǔ)顆粒本身的容量進(jìn)行擴(kuò)容，然而，對(duì)于...

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)領(lǐng)域，特別是涉及一種存儲(chǔ)疊合結(jié)構(gòu)以及存儲(chǔ)設(shè)備。、在存儲(chǔ)領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，計(jì)算密度持續(xù)增長(zhǎng)，對(duì)內(nèi)存容量需求越來(lái)越大。、在存儲(chǔ)設(shè)備中的電路板上的空間已經(jīng)被盡可能利用的情況下，為了使得服務(wù)器性能能夠得到進(jìn)一步的提升，人們通常考慮對(duì)存儲(chǔ)顆粒本身的容量進(jìn)行擴(kuò)容，然而，對(duì)于存儲(chǔ)顆...