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本公開涉及一種主機系統(tǒng)，具體地涉及主機系統(tǒng)的雙模式硬件復(fù)位。、存儲器裝置是為主機系統(tǒng)(例如，計算機或其它電子裝置)提供數(shù)據(jù)的電子存儲的半導(dǎo)體電路。存儲器裝置可以是易失性的或非易失性的。易失性存儲器需要電力來維護(hù)數(shù)據(jù)，并且包含隨機存取存儲器(ram)、靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)、動態(tài)隨機...

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路，特別是涉及一種位線電壓傳輸電路。、嵌入式閃存是mcu的重要組成部分，如圖所示，是現(xiàn)有選擇柵共享式分柵(nord)閃存單元(cell)的電路圖；閃存單元的源極source和漏極drain之間包括三個依次排列的第一柵極結(jié)構(gòu)a、第二柵極結(jié)構(gòu)和第三柵極結(jié)構(gòu)b，第一柵極...

本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種修復(fù)電路、修復(fù)鎖定方法和存儲器。、在存儲器的正常使用過程中，一些存儲行和/或列可能發(fā)生失效，為了在存儲行和/或列發(fā)生失效的情況下，延長存儲器的壽命，封裝后修復(fù)(post?package?repair，ppr)方法被用于修復(fù)存儲器的存儲行和/或列。具體的，可以采...

本技術(shù)涉及一種自動碟片分裝設(shè)備。、目前，隨著硬盤存儲技術(shù)的發(fā)展，其作為計算機消費電子產(chǎn)品的核心部件，其在人類生產(chǎn)生活中的應(yīng)用的日益廣泛和普及，其中碟片作為核心部件十分重要，其性能好壞直接影響硬盤測試性能。、舉例說明，以原碟片是由個每存儲盒進(jìn)行運輸，隨著行業(yè)發(fā)展和產(chǎn)品需求提升，碟/盒的存儲運...

本申請涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其操作方法以及存儲系統(tǒng)。、半導(dǎo)體存儲器件包括諸如硅(si)、鍺(ge)、砷化鎵(gaas)和磷化銦(inp)的半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體存儲器件包括易失性存儲器件和非易失性存儲器件。、在易失性存儲器件中，存儲的數(shù)據(jù)在電源切斷時被擦除。易失性存儲器件包括靜態(tài)...

所屬的技術(shù)人員能夠理解，本發(fā)明的各個方面可以實現(xiàn)為系統(tǒng)、方法或程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明的各個方面可以具體實現(xiàn)為以下形式，即：完全的硬件實施方式、完全的軟件實施方式(包括固件、微代碼等)，或硬件和軟件方面結(jié)合的實施方式，這里可以統(tǒng)稱為“電路”、“模塊”或“系統(tǒng)”。在本公開的示例性實施例中，還提供了一種...

本技術(shù)涉及數(shù)據(jù)讀取，更具體地涉及一種云數(shù)據(jù)讀取裝置。、云數(shù)據(jù)是基于云計算商業(yè)模式應(yīng)用的數(shù)據(jù)集成、數(shù)據(jù)分析、數(shù)據(jù)整合、數(shù)據(jù)分配、數(shù)據(jù)預(yù)警的技術(shù)與平臺的總稱，在日常的辦公中，有時需要將云數(shù)據(jù)讀取下載，方便進(jìn)行異地的辦公，其中使用較為普遍的就是移動硬盤。、移動硬盤通過數(shù)據(jù)線與電腦連接，即可上云進(jìn)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種用于sram速度調(diào)節(jié)的控制電路。、于近～年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，組件微縮快速，芯片密度增加，運算性能高速，半導(dǎo)體存儲器也正朝著顯著的方向發(fā)展，其中揮發(fā)性存儲器之中，sram具有的低功耗和高性能的特點，dram具有的成本低和大存儲容量的特點。、當(dāng)前在so...

本申請涉及磁存儲，例如涉及一種磁記錄設(shè)備及磁存儲器。、目前，以硬盤驅(qū)動器為代表的磁存儲設(shè)備是拓展計算機數(shù)據(jù)存儲能力的重要工具?，F(xiàn)有磁盤存儲器由于讀磁頭的空間分辨率不足，且只能用于探測單一方向的磁場，所以大多采用具有垂直(或者面內(nèi))磁各向異性的單層磁記錄介質(zhì)，這種磁記錄介質(zhì)只有磁化方向垂直向...

本實施方式涉及半導(dǎo)體存儲裝置。、已知一種半導(dǎo)體存儲裝置，具備存儲串和與存儲串電連接的多個第一布線，存儲串具備被串聯(lián)連接的多個存儲器晶體管，這些多個存儲器晶體管的柵極電極與上述多個第一布線連接。、[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]、[專利文獻(xiàn)]、[專利文獻(xiàn)]日本特開-號公報、[專利文獻(xiàn)]日本特開-號公報技術(shù)實...

本公開涉及非易失性存儲器系統(tǒng)和用于非易失性存儲器的重寫控制方法。、在非易失性存儲器的重寫過程(即，擦除過程和寫入過程)中，執(zhí)行驗證過程以確定其是否已經(jīng)被正確重寫。在正常驗證過程中，如果所有要重寫的位都已經(jīng)被正確重寫，則其被確定為通過，而如果甚至一個位存在重寫錯誤，則其被確定為失敗。然后，重...

本發(fā)明屬于集成電路設(shè)計，具體涉及一種抗多節(jié)點翻轉(zhuǎn)的nmsoi工藝sram存儲單元電路及其版圖結(jié)構(gòu)。、在核輻射、宇航輻射等惡劣狀態(tài)下，輻射情況十分復(fù)雜，會有大量的質(zhì)子、中子、重離子等充斥在空間環(huán)境中，會對電子系統(tǒng)尤其是集成電路造成隱患；在輻射情況復(fù)雜的情況下，會產(chǎn)生輻射效應(yīng)，其中，單粒子效應(yīng)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器件測試，特別涉及一種測試裝置、測試系統(tǒng)及測試方法。、目前，隨著dram（dynamic?random?access?memory，動態(tài)隨機存取存儲器）技術(shù)的制程轉(zhuǎn)換越來越快，從nm、nm、nm、αnm甚至更小的制程的發(fā)展，在每次制程轉(zhuǎn)換過程中都會存在一定的問題，從而出...

本申請涉及具有行解碼器電路的半導(dǎo)體裝置。、存在例如dram(動態(tài)隨機存取存儲器)的半導(dǎo)體存儲器裝置具有其中字線是基于行地址選擇且位線是基于列地址選擇的配置的情況。存在字線在由行地址的更高階位選擇的主字線及由行地址的更低階位選擇的子字線中是階層式的情況。存在驅(qū)動主字線的主字驅(qū)動器包含轉(zhuǎn)換通過...

本發(fā)明涉及一種堆疊式存儲器及其穩(wěn)壓電容器的設(shè)定方法。、圖繪示堆疊式存儲器(stacked?memory，也稱之為“堆棧存儲器”)的堆疊方式示意圖。堆疊式存儲器一般是通過堆疊晶圓(wafer?on?wafer，wow)技術(shù)將邏輯芯片a(或b)以面對面的方式貼合到存儲器芯片a(或b)，其中存儲...

、動態(tài)隨機存取存儲器(dram)是一種半導(dǎo)體存儲器，其中存儲器單元陣列將數(shù)字值存儲為電壓電平。存儲器單元包括電容器，該電容器可以被充電或放電以表示“位”，即邏輯或。電容器可以選擇性地連接到“位線”，使得在被充電時相對較高的跨電容器的電壓可以被感測以讀取存儲位。電容器上的電荷會泄漏，并且因此...

本公開涉及電子裝置，更具體地，涉及執(zhí)行阻抗（zq）校準(zhǔn)的存儲器裝置、包括存儲器裝置的存儲器系統(tǒng)和存儲器裝置的操作方法。、可通過使用半導(dǎo)體來制造存儲器裝置。存儲器裝置可用于存儲數(shù)據(jù)。為了使用存儲器裝置（也就是說，為了將數(shù)據(jù)存儲在存儲器裝置中或者從存儲器裝置讀取數(shù)據(jù)），存儲器裝置可連接到存儲器...

本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別涉及一種防止非易失性存儲器誤燒寫的方法。、芯片中通常會設(shè)計非易失性存儲器，如otp（one?timeprogramable）或者efuse（electrical?fuse?macro?ip）來存儲一些芯片的設(shè)定，用于在芯片初始化時配置不同的參數(shù)和設(shè)定。、非易失性...

本文件涉及電學(xué)，尤其涉及一種基于stt-mram的存儲計算電路及實現(xiàn)方法。、傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)下，系統(tǒng)數(shù)據(jù)需要在存儲單元和處理單元間反復(fù)傳遞以實現(xiàn)運算過程。由于處理器與內(nèi)存設(shè)備之間發(fā)展速度的長期失配，當(dāng)前內(nèi)存的存取能力嚴(yán)重滯后于處理器的計算速度。在大規(guī)模計算體系中，內(nèi)存自身通信帶寬和延遲所構(gòu)...

本發(fā)明涉及錄音系統(tǒng)及思維導(dǎo)圖系統(tǒng)，尤其涉及的是一種基于戒指鼠標(biāo)的錄音系統(tǒng)及思維導(dǎo)圖系統(tǒng)。、戒指鼠標(biāo)，又稱空鼠，是一種戒指形狀、佩戴在手指上使用的鼠標(biāo)，戒指鼠標(biāo)通過空間傳感器獲取空間運動數(shù)據(jù)并將空間運動數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為光標(biāo)控制數(shù)據(jù)，戒指鼠標(biāo)通過藍(lán)牙與顯示終端連接。、戒指鼠標(biāo)體積較小，內(nèi)置電池容量較...