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一種覆蓋靜態(tài)和動(dòng)態(tài)故障的存儲(chǔ)器測(cè)試方法本發(fā)明屬于存儲(chǔ)器故障測(cè)試，更為具體地講，涉及一種覆蓋靜態(tài)和動(dòng)態(tài)故障的存儲(chǔ)器測(cè)試方法。隨著深亞微米等高科技技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)器在SoC以及所有集成電路產(chǎn)品中所占的地位越來(lái)越重要。存儲(chǔ)器芯片的容量越來(lái)越大，集成度也越來(lái)越高，使得存儲(chǔ)器內(nèi)部的晶...

全息記錄材料的制造方法以及由其形成的物品本發(fā)明涉及結(jié)合全息圖，更具體地涉及彩色透射全息圖和反射全息圖的模塑物品。還公開(kāi)了制造和使用其的方法。全息圖是用于鑒別真貨的越來(lái)越流行的機(jī)制，不管是出于安全目的還是品牌保護(hù)。為了這些目的使用全息圖的主要原因是復(fù)制它們相對(duì)困難。通過(guò)干涉兩個(gè)相干光...

用于屏蔽硬盤驅(qū)動(dòng)器以抗電磁干擾的附加磁盤盒蓋總的來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的實(shí)施例涉及硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)，并且具體涉及HDD的磁盤盒。隨著HDD技術(shù)的進(jìn)步，由磁記錄頭從磁記錄盤的記錄表面讀取的磁場(chǎng)逐漸變小。因此，低強(qiáng)度的雜散電磁場(chǎng)愈加受到關(guān)注。例如，低至7伏/米(V/m)的雜散電磁場(chǎng)會(huì)干擾磁記...

修復(fù)存儲(chǔ)器單元的設(shè)備和方法及包括該設(shè)備的存儲(chǔ)器系統(tǒng)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，特別涉及一種用于通過(guò)使用測(cè)試設(shè)備測(cè)試包括非易失性存儲(chǔ)設(shè)備的存儲(chǔ)器設(shè)備而修復(fù)存儲(chǔ)器單元的方法和設(shè)備，以及包括該設(shè)備的系統(tǒng)。半導(dǎo)體芯片根據(jù)半導(dǎo)體制造過(guò)程制造，然后使用測(cè)試裝備以晶圓（wafer）、裸...

一種提高相變存儲(chǔ)單元寫(xiě)入周期速度的方法本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器寫(xiě)入，特別地涉及一種提高相變存儲(chǔ)單元寫(xiě)入周期速度的方法。相變存儲(chǔ)器(PCM)是被國(guó)際半導(dǎo)體聯(lián)合會(huì)預(yù)測(cè)可以最先實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的下一代存儲(chǔ)器之一。相變存儲(chǔ)器與目前其他動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)、閃存(Flash)相比具有以下明顯優(yōu)勢(shì)...

透鏡驅(qū)動(dòng)單元和包括該透鏡驅(qū)動(dòng)單元的光學(xué)拾取器本申請(qǐng)要求于2012年3月2日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2012-0022034號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益，其全部公開(kāi)出于所有目的通過(guò)引用被包含于此。下面的描述涉及一種光學(xué)盤驅(qū)動(dòng)器的光學(xué)拾取器和透鏡驅(qū)動(dòng)單元，更具體地講，涉及一種光學(xué)盤驅(qū)動(dòng)器的包括懸...

磁頭、頭驅(qū)動(dòng)控制裝置、磁存儲(chǔ)裝置、控制方法本發(fā)明涉及具有通過(guò)對(duì)垂直磁記錄介質(zhì)(perpendicularmagneticrecordingmedium)施加高頻磁場(chǎng)(highfrequencymagneticfield)來(lái)誘發(fā)磁化反轉(zhuǎn)的功能的磁頭、搭載有該磁頭的磁存儲(chǔ)裝置、頭驅(qū)動(dòng)控制裝置(...

移位寄存器和平板顯示裝置本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及一種移位寄存器和平板顯示裝置。在液晶顯示器（LCD）中，或者在結(jié)構(gòu)與之相似的其他平板顯示器比如電子書(shū)、有機(jī)發(fā)光二極管柔性顯示器中，柵驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路都是后期在組裝的時(shí)候貼附到顯示面板上的，而驅(qū)動(dòng)電路的造價(jià)高，組裝貼附工藝...

2T納米晶存儲(chǔ)器陣列及其操作方法本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)，具體涉及一種存儲(chǔ)器陣列，特別是一種2T納米晶存儲(chǔ)器陣列及其操作方法。隨著科技日新月異的發(fā)展，半導(dǎo)體也得到了前所未有的開(kāi)發(fā)，其中存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)目前占整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的四分之一。用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失性半導(dǎo)體存...

讀取器阻擋層發(fā)明內(nèi)容在此所描述和請(qǐng)求保護(hù)的方案提供一種層疊磁結(jié)構(gòu)，其包括一個(gè)或多個(gè)阻擋層，該阻擋層在基本不會(huì)老化且不經(jīng)受對(duì)層疊磁結(jié)構(gòu)的化學(xué)蝕刻作用的情況下阻擋對(duì)層疊磁結(jié)構(gòu)的機(jī)械拋光。其他的實(shí)施方案提供了一種制造層疊磁結(jié)構(gòu)的方法，包括：在層疊磁結(jié)構(gòu)的保護(hù)部件上沉積阻擋層；以及在不對(duì)阻擋層產(chǎn)生明顯凹坑...

運(yùn)用于高速輸出入端上的內(nèi)建自測(cè)試電路本發(fā)明是有關(guān)于一種內(nèi)建自測(cè)試(built-inself-test，BIST)電路，且特別是有關(guān)于一種運(yùn)用于高速輸出入端上的內(nèi)建自測(cè)試電路。近幾年來(lái)，存儲(chǔ)器的傳輸速度越來(lái)越快，而雙倍數(shù)據(jù)率(DDR)的存儲(chǔ)器輸出入端的速度已經(jīng)到達(dá)GHz的等級(jí)了。同理...

讀取快閃存儲(chǔ)器中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的方法、存儲(chǔ)器控制器與系統(tǒng)本發(fā)明有關(guān)于讀取快閃存儲(chǔ)器(flashmemory)中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，尤指一種通過(guò)參照快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元(memorycell)所讀出的位元序列(bitsequence)的二進(jìn)制數(shù)字分布特性(binarydigitdistribut...

一種快速解決電力系統(tǒng)各數(shù)據(jù)采集設(shè)備故障的方法本發(fā)明涉及電力系統(tǒng)數(shù)據(jù)采集設(shè)備。龐大的電力系統(tǒng)要維持安全、穩(wěn)定的、有序運(yùn)行狀態(tài)，必須依賴很多監(jiān)測(cè)、控制、檢測(cè)、通訊系統(tǒng)和裝置，包括各終端計(jì)量設(shè)備和其上行的各集中采集設(shè)備等，例如，集中器、采集器、負(fù)控、配變。這些設(shè)備出現(xiàn)故障，會(huì)導(dǎo)致...

磁盤基板的制造方法本發(fā)明涉及磁盤基板的制造方法及磁盤基板的研磨方法。近年來(lái)，磁盤驅(qū)動(dòng)器的小型化、大容量化的進(jìn)展，要求高記錄密度化。為了進(jìn)行高記錄密度化，需要縮小單位記錄面積，提高變?nèi)醯拇判盘?hào)的檢測(cè)靈敏度，因而正在進(jìn)行用于進(jìn)一步降低磁頭的飛浮高度的技術(shù)開(kāi)發(fā)。為了應(yīng)對(duì)磁頭的低飛浮化和確...

一種針對(duì)RRAM的快速寫(xiě)驗(yàn)證方法和系統(tǒng)本發(fā)明屬于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)，更具體地，涉及一種針對(duì)RRAM的快速寫(xiě)驗(yàn)證方法和系統(tǒng)。近年來(lái)，半導(dǎo)體工藝尺寸在不斷縮小，而傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如閃存等）已難以突破現(xiàn)有的工藝尺寸。因此，新型非易失性存儲(chǔ)器成為研究熱點(diǎn)，由此出現(xiàn)了多種新型非易失存儲(chǔ)...

交叉點(diǎn)型非易失性存儲(chǔ)裝置及其成形方法本發(fā)明涉及一種使用了電阻變化型元件的交叉點(diǎn)型非易失性存儲(chǔ)裝置，特別涉及其成形。近年來(lái)，隨著數(shù)字技術(shù)的發(fā)展，便攜式信息設(shè)備以及信息家電等電子設(shè)備進(jìn)一步高性能化。因此，對(duì)于非易失性存儲(chǔ)裝置的大容量化、降低寫(xiě)入功率，寫(xiě)入/讀出時(shí)間的高速化以及長(zhǎng)壽命化的...

一種非揮發(fā)阻變存儲(chǔ)器本發(fā)明屬于非揮發(fā)信息存儲(chǔ)，具體涉及一種基于金屬/鐵電體/半導(dǎo)體（MFS）鐵電隧道結(jié)的新型非揮發(fā)阻變存儲(chǔ)器。隨著近年來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，便攜式個(gè)人消費(fèi)類電子產(chǎn)品，如平板筆記本電腦，智能手機(jī)，MP3等逐漸流行，并成為人們生活中不可缺少部分。當(dāng)前便攜式電子產(chǎn)品...

向非易失性存儲(chǔ)器映射數(shù)據(jù)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本公開(kāi)申請(qǐng)要求提交于2011年1月31日的名稱為“HOSTDATATOSOLID-STATENON-VOLATILEMEMORYMAPPING”的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第61/437,975號(hào)的優(yōu)先權(quán)，通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容并入本文。本公開(kāi)內(nèi)容涉及非易失性存儲(chǔ)...

檢測(cè)透鏡、透鏡單元、光拾取裝置、光盤裝置、計(jì)算機(jī)、光盤播放器和光盤記錄器本發(fā)明涉及一種利用光進(jìn)行信息處理的信息處理裝置的技術(shù)。近年來(lái)，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器(semiconductorblue-violetlaser)已付諸實(shí)用。藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器有助于Blu-rayDisc(藍(lán)光光盤...

非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置本發(fā)明涉及一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。近年來(lái)，伴隨著對(duì)電子設(shè)備(特別是手機(jī)、便攜式音樂(lè)播放器、數(shù)碼相機(jī)等)需求的增加，對(duì)于非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的需求正不斷提高。為此，正積極地進(jìn)行用以實(shí)現(xiàn)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的大容量化和小型化、重寫(xiě)速度和讀出速度的高速化以及...