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一種冗余結(jié)構(gòu)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)單元本發(fā)明屬于存儲(chǔ)器，具體涉及一種冗余結(jié)構(gòu)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)單元。SRAM（StaticRandomAccessMemory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，SRAM作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器大家族的主要成員，是世界上應(yīng)用最廣泛的存儲(chǔ)器，它是數(shù)字處理、信息處理、自動(dòng)控制設(shè)備...

SRAM失配晶體管檢測(cè)方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，更具體地說(shuō)，涉及一種SRAM失配晶體管檢測(cè)方法。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）具有高速、低功耗等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于個(gè)人通信及消費(fèi)類電子產(chǎn)品，其核心為存儲(chǔ)單元。現(xiàn)有技術(shù)中一種6T（6個(gè)晶體管）結(jié)構(gòu)的SRAM存儲(chǔ)單元如圖1所示，其由6個(gè)晶體...

一種RRAM邏輯器件的級(jí)聯(lián)系統(tǒng)及方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路及其制造，特別涉及一種RRAM邏輯器件的級(jí)聯(lián)系統(tǒng)及方法。器件尺寸的減小，集成度的提高，是集成電路發(fā)展的方向。傳統(tǒng)的IC通常使用CMOS為基本邏輯單元來(lái)實(shí)現(xiàn)信息處理和存儲(chǔ)功能，然而隨著工藝的改進(jìn)，器件尺寸下降過(guò)程中由...

從存儲(chǔ)器輸出特定數(shù)據(jù)量化本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置、方法及系統(tǒng)，且更特定來(lái)說(shuō)，涉及用于從存儲(chǔ)器輸出特定數(shù)據(jù)量化的方法、裝置及系統(tǒng)。通常提供存儲(chǔ)器裝置作為計(jì)算機(jī)或其它電子裝置中的內(nèi)部電路、半導(dǎo)體電路、集成電路及/或外部可抽換式裝置。除了其它之外，還存在許多不同類型存儲(chǔ)器，包含隨...

電阻變化元件的驅(qū)動(dòng)方法和非易失性存儲(chǔ)裝置本發(fā)明涉及根據(jù)被施加的電脈沖其電阻值發(fā)生變化的電阻變化元件的驅(qū)動(dòng)方法，以及實(shí)施該方法的非易失性存儲(chǔ)裝置。近年，隨著電子設(shè)備的數(shù)字技術(shù)的進(jìn)展，為了保存圖像等的數(shù)據(jù)，對(duì)非易失性電阻變化元件的大容量化、寫入電力的降低化、寫入/讀出時(shí)間的高速化和長(zhǎng)壽...

電阻變化元件的驅(qū)動(dòng)方法和非易失性存儲(chǔ)裝置本發(fā)明涉及根據(jù)被施加的電脈沖其電阻值發(fā)生變化的電阻變化元件的驅(qū)動(dòng)方法，以及實(shí)施該方法的非易失性存儲(chǔ)裝置。近年，隨著電子設(shè)備的數(shù)字技術(shù)的進(jìn)展，為了保存圖像等的數(shù)據(jù)，對(duì)非易失性電阻變化元件的大容量化、寫入電力的降低化、寫入/讀出時(shí)間的高速化和長(zhǎng)壽...

存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)單元的操作方法、數(shù)據(jù)讀取方法及集成電路本案為分案申請(qǐng)，其母案的申請(qǐng)?zhí)枮椋?01010574083.7，申請(qǐng)日為：2010年11月30日。本發(fā)明提出一種相變化存儲(chǔ)器裝置，特別是一種具有兩個(gè)以上電阻態(tài)的相變化存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)單元的操作方法、數(shù)據(jù)讀取方法及集成電路。相變化的存儲(chǔ)器材料...

一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的U盤本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的U盤，具體涉及一種兩端帶插口且具有照明作用的U盤。公知的，U盤是一個(gè)USB接口的無(wú)需物理驅(qū)動(dòng)器的微型高容量移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品，其可通過(guò)USB接口與電腦連接，實(shí)現(xiàn)即插即用，同時(shí)U盤具有小巧、輕靈、易于操作和便于攜...

一種磁盤夾子本實(shí)用新型涉及一種能夠?qū)⒋疟P夾鉗住的夾具，特別是關(guān)于能夠提供徑向夾持力的磁盤夾子?，F(xiàn)有的相關(guān)人員在取放磁盤時(shí)，通常是戴手套直接操作，如果需要保持磁盤清潔需要反復(fù)多次的換手套，且不能進(jìn)行其他的操作，這不僅影響到工作效率，還帶來(lái)了諸多不便。一種存儲(chǔ)磁盤夾具必須滿足許多條件。...

自行車可計(jì)程式音樂(lè)播放器本實(shí)用新型涉及一種音樂(lè)播放器，尤其是一種自行車可計(jì)程式音樂(lè)播放器。計(jì)程器作為一種計(jì)算交通工具路程的一種設(shè)備，它能夠很好的計(jì)算出交通工具每次使用時(shí)行駛了多遠(yuǎn)路程，計(jì)程器廣泛存在人們的視野當(dāng)中，人們?cè)谌粘５膶W(xué)習(xí)、生活和工作當(dāng)中也經(jīng)常能夠見到各種計(jì)程器。目前，傳統(tǒng)...

可編程音樂(lè)播放器本實(shí)用新型涉及一種可編程音樂(lè)播放器。隨著現(xiàn)代社會(huì)的發(fā)展，人們的生活水平獲得了很大的提高，音樂(lè)娛樂(lè)與學(xué)習(xí)深受大家喜歡?，F(xiàn)在滿大街都可以聽到各種流行音樂(lè)，也隨時(shí)都可以買到MP3、MP4等視聽產(chǎn)品，盡管如此，但對(duì)那些喜歡自己學(xué)唱和演奏學(xué)習(xí)的人來(lái)說(shuō)，拿到一本陌生的歌譜，確很...

本發(fā)明提出了一種基于rramfcm結(jié)構(gòu)的新型非易失存儲(chǔ)器的使用方法，涉及新型非易失存儲(chǔ)器，具體涉及rramfcm結(jié)構(gòu)的新型非易失存儲(chǔ)器。、傳統(tǒng)存儲(chǔ)器使用方法利用憶阻器（rram）與鐵電電容存儲(chǔ)器（fcm）串聯(lián)構(gòu)成rc存儲(chǔ)器，其中rram在不同的寫入電壓下，表現(xiàn)出兩種阻態(tài)即高阻態(tài)（hrs）和...

本公開涉及存儲(chǔ)，特別是涉及一種ssd階段性驗(yàn)證測(cè)試方法及存儲(chǔ)設(shè)備。、固態(tài)硬盤（solid?state?disk，ssd）的性能是指其在數(shù)據(jù)讀寫、響應(yīng)速度、多任務(wù)處理、耐用性等方面的綜合表現(xiàn)，它決定了ssd在實(shí)際使用中的快慢、穩(wěn)定性和適用場(chǎng)景。、ssd出廠為空盤狀態(tài)，隨著非重復(fù)數(shù)據(jù)的不斷寫入...

本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)的，特別涉及一種用于云端信號(hào)傳輸?shù)挠?jì)算機(jī)存儲(chǔ)裝置。、云端信號(hào)傳輸?shù)挠?jì)算機(jī)存儲(chǔ)裝置的技術(shù)背景源于云計(jì)算、數(shù)據(jù)爆炸與新興技術(shù)的深度融合。隨著云計(jì)算的普及，現(xiàn)代it基礎(chǔ)設(shè)施需支持彈性資源分配、全球分布式部署及實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理，驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)裝置向高可用性、低延遲和高吞吐量方向演進(jìn)。物聯(lián)...

本發(fā)明涉及一種測(cè)試裝置以及存儲(chǔ)器裝置的測(cè)試方法，且尤其是涉及一種關(guān)于存儲(chǔ)器裝置的失效分析的測(cè)試裝置以及測(cè)試方法。、在已知的技術(shù)中，關(guān)于存儲(chǔ)器裝置的失效分析動(dòng)作中，僅能通過(guò)有限的電源電壓接收焊墊以及參考接地電壓接收焊墊來(lái)施加相對(duì)應(yīng)的電壓，再配合砷化鎵銦微光顯微鏡(ingaas)來(lái)檢測(cè)存儲(chǔ)器裝...

本申請(qǐng)涉及電子，具體而言，涉及一種存儲(chǔ)器的修復(fù)方法、存儲(chǔ)器及顯示裝置。、在sram等存儲(chǔ)器的量產(chǎn)過(guò)程中，由于制程漂移、灰塵、工藝等的影響，通常會(huì)使某些地址不能正常讀寫，不同批次的存儲(chǔ)器良率也各有不同。通過(guò)對(duì)sram進(jìn)行檢測(cè)和修復(fù)可提高存儲(chǔ)器量產(chǎn)的良率。、目前，對(duì)于存儲(chǔ)器的修復(fù)通常由工程師通...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種efuse存儲(chǔ)器及其電路結(jié)構(gòu)。、efuse(電熔絲)存儲(chǔ)器是一種嵌入式的非易失性存儲(chǔ)器，通過(guò)較大的電流(一般為毫安級(jí)別)對(duì)存儲(chǔ)單元中的電阻器件進(jìn)行燒寫實(shí)現(xiàn)電阻熔斷或阻值增大，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入。、efuse存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取模塊一般由電流鏡型靈敏放大器(sa)組成。...

本發(fā)明涉及憶阻器，特別是涉及一種高精度動(dòng)態(tài)憶阻器模型及其應(yīng)用方法。、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)(iot)的快速發(fā)展大大提高了對(duì)計(jì)算系統(tǒng)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的要求，需要高密度、低功耗和高性價(jià)比的解決方案。隨著互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)的擴(kuò)展接近物理限制，年推出的傳統(tǒng)馮-諾依曼架構(gòu)面臨著限制。此外，存儲(chǔ)...

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及斜坡及磁盤裝置。、作為磁盤裝置，例如，硬盤驅(qū)動(dòng)器(hdd)具有被設(shè)置成旋轉(zhuǎn)自如的磁盤、和對(duì)于磁盤進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄、讀取的磁頭。磁頭通過(guò)頭致動(dòng)器而在磁盤上的加載位置與磁盤的外側(cè)的卸載位置之間移動(dòng)。另外，hdd具備對(duì)移動(dòng)至卸載位置的磁頭進(jìn)行保持的斜坡。通常，斜坡由合成樹脂成形...

本公開涉及半導(dǎo)體，涉及但不限于一種存儲(chǔ)器的操作方法、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。、閃存存儲(chǔ)器是一種可以被電擦除和重新編程的低成本、高密度、非易失性的固態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì)。閃存存儲(chǔ)器包括nor閃存存儲(chǔ)器和nand閃存存儲(chǔ)器。閃存單元的柵極具有包括隧道絕緣層、浮柵電極、電介質(zhì)層和控制柵的結(jié)構(gòu)。由于非易失性的固...