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本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計(jì)，特別涉及一種電流寄存器及其控制方法、圖像傳感器。、目前，現(xiàn)代計(jì)算機(jī)發(fā)展所遵循的基本結(jié)構(gòu)形式始終是馮·諾依曼架構(gòu)，其核心思想是將程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在同一個(gè)存儲(chǔ)器中，并使用存儲(chǔ)器地址來(lái)訪問(wèn)程序和數(shù)據(jù)。馮·諾依曼架構(gòu)的基本組成包括中央處理器（cpu）、存儲(chǔ)器、輸入設(shè)備和輸出設(shè)...

本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器裝置，特別涉及可提早進(jìn)行預(yù)充電的存儲(chǔ)器裝置。、存儲(chǔ)器裝置的預(yù)充電器可將存儲(chǔ)器裝置的互補(bǔ)的讀取位元線預(yù)充電至一預(yù)設(shè)電壓位準(zhǔn)，以準(zhǔn)備在存儲(chǔ)器裝置的一存儲(chǔ)器單元上進(jìn)行讀取操作。在讀取操作過(guò)程中，存儲(chǔ)器裝置的感測(cè)放大器將互補(bǔ)的讀取位元線之間的電壓差放大，以判斷存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中...

本公開(kāi)涉及電子，尤其涉及一種測(cè)試裝置、測(cè)試設(shè)備、測(cè)試方法及存儲(chǔ)介質(zhì)。、在固態(tài)硬盤(pán)(ssd，solid?state?disk)的生產(chǎn)過(guò)程中，ssd的工作性能、穩(wěn)定性、可靠性與環(huán)境溫度、硬盤(pán)內(nèi)的溫度息息相關(guān)。無(wú)論是在ssd產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試階段還是工廠生產(chǎn)測(cè)試階段都有許多場(chǎng)景，需要控制環(huán)境溫度進(jìn)而實(shí)...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體芯片，尤其涉及一種存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器形成方法及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。、隨著技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域不斷尋求新的生產(chǎn)工藝，存儲(chǔ)器向更大存儲(chǔ)容量，更快讀寫(xiě)速度以及更小尺寸發(fā)展。隨著半導(dǎo)體晶體管的特征尺寸接近極限，存儲(chǔ)器的工藝和制造技術(shù)變得具有挑戰(zhàn)性且成本高昂，存儲(chǔ)器的尺寸也難以進(jìn)一步減小。...

本發(fā)明涉及sram(static?random?access?memory，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，特別涉及一種sram電路結(jié)構(gòu)。、sram是集成電路中廣泛使用的一種存儲(chǔ)器，具有高速讀寫(xiě)和高穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)。隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，sram單元的功耗成為設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的sram單元在讀寫(xiě)...

本說(shuō)明書(shū)涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)，諸如非易失性存儲(chǔ)器(nvm)。例如，一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用于當(dāng)前稱(chēng)為pcm?nvm或epcm?nvm的非易失性相變存儲(chǔ)器。、非易失性存儲(chǔ)器nvm在數(shù)字存儲(chǔ)領(lǐng)域中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，即使在沒(méi)有電源的情況下也提供持久的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。、事...

本發(fā)明公開(kāi)了用于將正確的電荷量精確快速地沉積在人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的矢量-矩陣乘法(vmm)陣列內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器單元的浮柵上的精確調(diào)諧方法和裝置的多個(gè)實(shí)施方案。、人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模擬生物神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(動(dòng)物的中樞神經(jīng)系統(tǒng)，特別是大腦)，并且用于估計(jì)或近似可取決于大量輸入并且通常未知的函數(shù)。人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)通常...

本公開(kāi)涉及存儲(chǔ)器刷新控制，特別涉及一種刷新控制電路及刷新控制方法。、雙倍數(shù)據(jù)速率第五代內(nèi)存(ddr)由于其出色的性能，當(dāng)下已得到廣泛推廣。、刷新管理(refresh?management，rfm)和定向刷新管理(direct?refreshmanagement，drfm)都是ddr中可選的...

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種存儲(chǔ)電路及存儲(chǔ)器。、dram（dynamic?random?access?memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）作為高速大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)載體，是大部分電子系統(tǒng)中必不可少的組成部分。dram中的最小存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容和一個(gè)晶體管組成，dram的操作機(jī)制分為...

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及存儲(chǔ)器領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。、在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的工作過(guò)程中，需根據(jù)輸入的地址信號(hào)對(duì)指定存儲(chǔ)單元執(zhí)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作。為實(shí)現(xiàn)這一過(guò)程，現(xiàn)有技術(shù)通常采用以下流程：首先通過(guò)地址鎖存電路采樣并鎖存外部輸入的地址信號(hào)，隨后將鎖存地址分別傳輸至地址譯碼電路及失效地址比較電路(如冗余...

本技術(shù)涉及計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)相關(guān)領(lǐng)域，具體為一種計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)安全儲(chǔ)柜裝置。、數(shù)據(jù)安全是計(jì)算機(jī)以及網(wǎng)絡(luò)等學(xué)科的重要研究課題之一。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)服務(wù)器可以存儲(chǔ)各種類(lèi)型的數(shù)據(jù)，如文檔、圖片、視頻、音頻等。它可以中央存儲(chǔ)設(shè)備，為企業(yè)或組織提供一個(gè)集中管理和保護(hù)數(shù)據(jù)的平臺(tái)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)服務(wù)器可以通過(guò)備份和恢復(fù)功能，保護(hù)...

本技術(shù)數(shù)據(jù)采集涉及，特別是涉及一種數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)設(shè)備。、數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)設(shè)備是用于采集、記錄和存儲(chǔ)各種數(shù)據(jù)的設(shè)備。它能夠?qū)鞲衅骰蚱渌盘?hào)源產(chǎn)生的原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為數(shù)字形式，并通過(guò)內(nèi)部的存儲(chǔ)器保存下來(lái)，這些數(shù)據(jù)隨后可以用來(lái)進(jìn)行分析、處理和展示，以便于用戶(hù)更好地理解監(jiān)測(cè)對(duì)象的狀態(tài)和變化趨勢(shì)。、現(xiàn)有的存...

本公開(kāi)的多種實(shí)施例涉及一種存儲(chǔ)器裝置以及操作該存儲(chǔ)器裝置的方法。、存儲(chǔ)器裝置可以包括當(dāng)電力供應(yīng)中斷時(shí)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的易失性存儲(chǔ)器裝置和即使當(dāng)電力供應(yīng)中斷時(shí)也保留所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器裝置。根據(jù)形成存儲(chǔ)器裝置中包括的存儲(chǔ)器單元的材料的物理/化學(xué)特性，存儲(chǔ)器裝置中包括的存儲(chǔ)器單元中的每...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片測(cè)試，尤其涉及一種電子熔絲封裝級(jí)測(cè)試系統(tǒng)。、電子熔絲(efuse)是一種基于電遷移原理的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，通過(guò)在芯片內(nèi)部物理熔斷金屬導(dǎo)線來(lái)實(shí)現(xiàn)一次性編程(otp)，主要用于芯片參數(shù)配置、修復(fù)和功能定制。、當(dāng)前電子熔絲測(cè)試主要依賴(lài)晶圓級(jí)cp測(cè)試(chip?probing)...

本發(fā)明屬于新型存儲(chǔ)器的優(yōu)化構(gòu)造，尤其涉及一種適用于reram存儲(chǔ)器的最優(yōu)概率分布約束碼構(gòu)造方法。、reram結(jié)合了傳統(tǒng)隨機(jī)存儲(chǔ)器和閃存的優(yōu)點(diǎn)，具有讀寫(xiě)操作簡(jiǎn)單快速、低功耗和高存儲(chǔ)密度的特點(diǎn)。其核心結(jié)構(gòu)是由憶阻器構(gòu)成的交叉陣列，每個(gè)行列交叉點(diǎn)上的憶阻器單元都可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，從而在相同的芯片面積...

本發(fā)明涉及磁帶錄放，尤其涉及一種磁帶機(jī)機(jī)芯、磁帶錄放機(jī)及控制方法。、現(xiàn)有的磁帶機(jī)通常只能實(shí)現(xiàn)磁帶單向轉(zhuǎn)動(dòng)放音。用戶(hù)如果要使磁帶反轉(zhuǎn)放音，則需要先取出磁帶，再放磁帶反向插入磁帶機(jī)，然后再次播放，操作極為不便。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明的目的之一是提供一種磁帶機(jī)機(jī)芯。、...

本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其是一種可以提高存儲(chǔ)單元寫(xiě)速度和提高單元抗單粒子翻轉(zhuǎn)(single?event?upset，縮寫(xiě)為seu)的能力的單元電路結(jié)構(gòu)，是一種t抗輻照sram存儲(chǔ)單元，以下簡(jiǎn)稱(chēng)sph-t。、隨著互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary?metal?oxide?...

一種簡(jiǎn)易的PIC單片機(jī)燒錄器本實(shí)用新型涉及一種單片機(jī)燒錄器，尤其涉及一種簡(jiǎn)易的PIC單片機(jī)燒錄器。PIC單片機(jī)在性能和價(jià)格等方面，在目前的單片機(jī)世界里已遙遙領(lǐng)先。比如，它具有帶AD轉(zhuǎn)換，各口驅(qū)動(dòng)電流大可直接驅(qū)動(dòng)數(shù)碼管等優(yōu)點(diǎn)，但是我們很多的學(xué)習(xí)者一直為現(xiàn)有技術(shù)中的高價(jià)燒錄器望而卻步。...

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)，特別是涉及一種存儲(chǔ)裝置的測(cè)試方法、電子設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)。、高端應(yīng)用產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)裝置的兼容性、性能和壽命等指標(biāo)要求嚴(yán)苛，因此在存儲(chǔ)裝置設(shè)計(jì)時(shí)通常需要在實(shí)際的應(yīng)用平臺(tái)上進(jìn)行大量驗(yàn)證來(lái)確保產(chǎn)品的可靠性。、隨著存儲(chǔ)裝置在不同終端方案的廣泛應(yīng)用，其兼容性、性能、壽命等要求越來(lái)越高，對(duì)存...

本實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。、已知有一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，具備襯底、在與所述襯底的表面交叉的方向上積層的多個(gè)柵極電極、與所述多個(gè)柵極電極對(duì)向的半導(dǎo)體層、以及設(shè)置在柵極電極及半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣膜。柵極絕緣膜例如具備氮化硅(sin)等絕緣性的電荷蓄積層或浮動(dòng)?xùn)艠O等導(dǎo)電性的電荷蓄積層等可...