本申請屬于半導(dǎo)體制造，具體涉及一種晶圓加熱組件及晶圓處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
1、晶圓加工過程中，晶圓的溫度直接決定晶圓處理的效率及質(zhì)量，良好的溫度一致性能夠提高晶圓加工的良品率。
2、目前通常采用感應(yīng)線圈設(shè)于承載晶圓的基座背面，通過高頻交變電流在感應(yīng)線圈處產(chǎn)生一個(gè)交變電磁場，該交變電磁場使基座內(nèi)產(chǎn)生渦電流以加熱基座，基座通過熱傳導(dǎo)的方式加熱晶圓，同時(shí)感應(yīng)線圈內(nèi)部會(huì)通入冷卻水，以避免感應(yīng)線圈自身被加熱。
3、受到基座加工工藝限制，基座各區(qū)域的導(dǎo)熱性難以避免的存在差異，同時(shí)僅通過調(diào)整感應(yīng)線圈位置也難以均勻基座的加熱效果。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、發(fā)明目的：本申請實(shí)施例提供一種晶圓加熱組件，旨在解決上述技術(shù)問題；本申請的另一目的在于提供一種使用上述晶圓加熱組件的晶圓處理設(shè)備。
2、技術(shù)方案：本申請實(shí)施例提供的一種晶圓加熱組件，包括：
3、基座，所述基座具有用于承載晶圓的承載面；
4、感應(yīng)線圈，所述感應(yīng)線圈設(shè)于所述基座的背離所述承載面的一側(cè)，所述感應(yīng)線圈被配置為能夠通過電磁感應(yīng)加熱所述基座，所述感應(yīng)線圈為中空結(jié)構(gòu)，用以通入冷卻介質(zhì)；
5、調(diào)節(jié)件，所述調(diào)節(jié)件可拆卸連接所述感應(yīng)線圈；
6、其中，所述調(diào)節(jié)件的材質(zhì)為非鐵磁性的且絕緣的材料，所述調(diào)節(jié)件的表面發(fā)射率大于所述感應(yīng)線圈的表面發(fā)射率。
7、在一些實(shí)施例中，所述調(diào)節(jié)件的表面發(fā)射率大于或等于0.3。
8、在一些實(shí)施例中，所述調(diào)節(jié)件包括呈片狀的主體部，所述調(diào)節(jié)件裝配到所述感應(yīng)線圈時(shí)，所述主體部位于所述感應(yīng)線圈和所述基座之間；
9、所述主體部包括面向所述基座的上表面，所述主體部的上表面的表面發(fā)射率大于或等于0.3。
10、在一些實(shí)施例中，所述調(diào)節(jié)件的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于10w/(m·k)。
11、在一些實(shí)施例中，所述調(diào)節(jié)件的材質(zhì)為氮化硼材質(zhì)陶瓷、氧化鋁陶瓷、硼化硅陶瓷、碳化硅陶瓷、氮化硅陶瓷中的一種或多種。
12、在一些實(shí)施例中，所述感應(yīng)線圈的表面發(fā)射率小于0.1。
13、在一些實(shí)施例中，所述基座呈盤狀設(shè)置，所述承載面具有多個(gè)用于分別承載晶圓的承載槽，所述承載槽沿所述基座的周向間隔設(shè)置；
14、沿所述基座的厚度方向，所述調(diào)節(jié)件設(shè)于與所述承載區(qū)域的位置正對的部分感應(yīng)線圈上。
15、在一些實(shí)施例中，所述晶圓加熱組件還包括支撐件，所述支撐件連接所述基座，且所述支撐件可帶動(dòng)所述基座繞所述基座的盤狀中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)；
16、在所述基座進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)時(shí)，所述承載槽具有環(huán)形運(yùn)動(dòng)路徑，以所述基座的厚度方向作為投影方向，所述調(diào)節(jié)件在所述投影方向上向所述承載面的投影位于所述環(huán)形運(yùn)動(dòng)路徑內(nèi)。
17、在一些實(shí)施例中，所述調(diào)節(jié)件具有容置槽，所述感應(yīng)線圈至少部分位于所述容置槽；
18、所述容置槽包括內(nèi)底面，所述感應(yīng)線圈具有朝向所述基座的第一表面，所述第一表面抵接所述內(nèi)底面。
19、相應(yīng)的，本申請實(shí)施例提供一種晶圓處理設(shè)備，包括反應(yīng)室以及如上述的晶圓加熱組件，所述晶圓加熱組件設(shè)于所述反應(yīng)室內(nèi)。
20、有益效果：本申請實(shí)施例的晶圓加熱組件，包括基座、感應(yīng)線圈以及調(diào)節(jié)件，基座具有用于承載晶圓的承載面，感應(yīng)線圈設(shè)于基座的背離承載面的一側(cè)，感應(yīng)線圈被配置為能夠通過電磁感應(yīng)加熱基座，感應(yīng)線圈為中空結(jié)構(gòu)，用以通入冷卻介質(zhì)，調(diào)節(jié)件可拆卸連接感應(yīng)線圈，調(diào)節(jié)件的材質(zhì)為非鐵磁性的且絕緣的材料，調(diào)節(jié)件的表面發(fā)射率大于感應(yīng)線圈的表面發(fā)射率。根據(jù)需要確認(rèn)基座加熱溫度相對較高的位置，在相對應(yīng)的感應(yīng)線圈上安裝調(diào)節(jié)件，從而在不影響感應(yīng)線圈磁感線分布的條件下增大感應(yīng)線圈上對應(yīng)區(qū)域的表面發(fā)射率，從而增加調(diào)節(jié)件所在區(qū)域?qū)τ跓彷椛涞奈?，有利于通過感應(yīng)線圈內(nèi)流動(dòng)的冷卻介質(zhì)帶走更多熱量，使得基座對應(yīng)該調(diào)節(jié)件區(qū)域的加熱溫度降低，實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)晶圓加工溫場，促進(jìn)晶圓加熱溫度一致性，以提高晶圓加工的良品率。
1.一種晶圓加熱組件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加熱組件，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓加熱組件，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加熱組件，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加熱組件，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加熱組件，其特征在于，所述感應(yīng)線圈(2)的表面發(fā)射率小于0.1。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的晶圓加熱組件，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓加熱組件，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的晶圓加熱組件，其特征在于，
10.一種晶圓處理設(shè)備，其特征在于，包括反應(yīng)室(5)以及如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的晶圓加熱組件，所述晶圓加熱組件設(shè)于所述反應(yīng)室(5)內(nèi)。