本公開涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的缺陷檢測方法。
背景技術(shù)：
1、存儲器因具有體積小、集成化程度高及存取速度快等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦等移動設(shè)備中。電容器作為存儲器的核心部件，主要用于存儲電荷。
2、通常在制造電容器的過程中，需要形成堆疊結(jié)構(gòu)，并在堆疊結(jié)構(gòu)中形成用于容納電容器的孔狀結(jié)構(gòu)，但受制備工藝限制，不同蝕刻區(qū)域的膜層蝕刻深度不一，易出現(xiàn)電容孔蝕刻不足的現(xiàn)象，影響產(chǎn)品良率；因此，有必要對此進(jìn)行檢測。然而，目前的檢測方法檢測周期較長，使得蝕刻缺陷的問題不能及時被反饋。
3、需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的缺陷檢測方法，縮短檢測周期，提高產(chǎn)品良率。
2、根據(jù)本公開的一個方面，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的缺陷檢測方法，包括：
3、提供堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括基底，以及基底上依次堆疊的第一材料層、第二材料層和第三材料層，所述堆疊結(jié)構(gòu)內(nèi)形成有多個第一凹陷結(jié)構(gòu)，所述第一凹陷結(jié)構(gòu)貫穿所述第二材料層和所述第三材料層，且暴露所述第一材料層；
4、檢測所述第一凹陷結(jié)構(gòu)的底部尺寸，以作為第一尺寸；
5、采用濕法蝕刻工藝對暴露的所述第一材料層和所述第二材料層進(jìn)行蝕刻，以形成第二凹陷結(jié)構(gòu)，所述濕法蝕刻工藝對所述第一材料層的蝕刻速率大于所述第二材料層；
6、檢測所述第二凹陷結(jié)構(gòu)的底部尺寸，以作為第二尺寸；
7、計算所述第二尺寸與所述第一尺寸的差值；
8、在所述差值小于預(yù)設(shè)閾值時判斷所述濕法蝕刻工藝存在蝕刻不足的現(xiàn)象。
9、在本公開的一種示例性實施例中，所述檢測所述第一凹陷結(jié)構(gòu)的底部尺寸，以作為第一尺寸包括：
10、獲取所述第一凹陷結(jié)構(gòu)的微觀形貌圖；
11、根據(jù)所述第一凹陷結(jié)構(gòu)的微觀形貌圖確定所述第一凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)的所述第一尺寸；
12、所述檢測所述第二凹陷結(jié)構(gòu)的底部尺寸，以作為第二尺寸包括：
13、獲取所述第二凹陷結(jié)構(gòu)的微觀形貌圖；
14、根據(jù)所述第二凹陷結(jié)構(gòu)的微觀形貌圖確定所述第二凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)的所述第二尺寸。
15、在本公開的一種示例性實施例中，所述提供所述堆疊結(jié)構(gòu)包括：
16、在基底上形成第一材料層；
17、在所述第一材料層上依次形成所述第二材料層和所述第三材料層；
18、對所述第二材料層和所述第三材料層進(jìn)行各向異性蝕刻，以形成多個分別露出所述第一材料層的所述第一凹陷結(jié)構(gòu)。
19、在本公開的一種示例性實施例中，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括多個所述第二材料層和多個所述第三材料層，所述第二材料層和所述第三材料層交替堆疊于所述第一材料層上，所述第一凹陷結(jié)構(gòu)貫穿全部所述第二材料層和所述第三材料層；
20、所述第一材料層接觸所述第二材料層。
21、在本公開的一種示例性實施例中，所述第一材料層包括氧化鋁。
22、在本公開的一種示例性實施例中，所述第二材料層包括氧化硅；所述第三材料層包括氮化硅、多晶硅或金屬。
23、在本公開的一種示例性實施例中，所述第一材料層的厚度為25nm～35nm，所述預(yù)設(shè)閾值包括0.3nm～0.6nm。
24、在本公開的一種示例性實施例中，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括自中心至邊緣依次分布的多個區(qū)域，每個所述區(qū)域中均分布有所述第一凹陷結(jié)構(gòu)。
25、在本公開的一種示例性實施例中，所述在所述差值小于預(yù)設(shè)閾值時判斷所述濕法蝕刻工藝存在蝕刻不足的現(xiàn)象，包括：
26、在任一所述區(qū)域中的任一所述第二凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)的所述差值小于所述預(yù)設(shè)閾值時，判斷對應(yīng)的所述差值小于所述預(yù)設(shè)閾值的所述第二凹陷結(jié)構(gòu)所在的所述區(qū)域存在濕法蝕刻不足的現(xiàn)象。
27、在本公開的一種示例性實施例中，所述基底內(nèi)設(shè)有電極層，所述第一材料層覆蓋所述電極層的表面，所述第二凹陷結(jié)構(gòu)在所述基底上的正投影與所述電極層至少部分重合，所述缺陷檢測方法還包括：
28、對所述濕法蝕刻工藝是否存在所述蝕刻不足的現(xiàn)象進(jìn)行二次驗證；所述二次驗證包括：
29、在所述第二凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成介質(zhì)層；
30、在具有所述介質(zhì)層的各所述第二凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)分別形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層填滿所述第二凹陷結(jié)構(gòu)；
31、向所述電極層及各所述導(dǎo)電層通電，并觀察各所述第二凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)區(qū)域是否被點(diǎn)亮；若所述第二凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)區(qū)域未被點(diǎn)亮，則判斷未被點(diǎn)亮的所述第二凹陷結(jié)構(gòu)存在蝕刻不足的現(xiàn)象。
32、本公開的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的缺陷檢測方法，通過檢測第一凹陷結(jié)構(gòu)的底部尺寸(第一尺寸)和濕法蝕刻后形成的第二凹陷結(jié)構(gòu)的底部尺寸(第二尺寸)，并計算兩者的差值，來快速判斷濕法蝕刻工藝是否存在蝕刻不足的現(xiàn)象。在上述過程中可直接在制造過程中對濕法蝕刻結(jié)果進(jìn)行實時檢測，無需等待整個制造流程完成后再進(jìn)行檢測，大大縮短了檢測周期。同時，通過及時檢測并發(fā)現(xiàn)蝕刻不足的問題，可以立即調(diào)整濕法蝕刻的工藝參數(shù)或采取其他補(bǔ)救措施，避免不良品流入后續(xù)工序，從而提高產(chǎn)品的整體良率。
33、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的缺陷檢測方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述檢測所述第一凹陷結(jié)構(gòu)的底部尺寸，以作為第一尺寸包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述提供所述堆疊結(jié)構(gòu)包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括多個所述第二材料層和多個所述第三材料層，所述第二材料層和所述第三材料層交替堆疊于所述第一材料層上，所述第一凹陷結(jié)構(gòu)貫穿全部所述第二材料層和所述第三材料層；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述第一材料層包括氧化鋁。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述第二材料層包括氧化硅；所述第三材料層包括氮化硅、多晶硅或金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述第一材料層的厚度為25nm～35nm，所述預(yù)設(shè)閾值包括0.3nm～0.6nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括自中心至邊緣依次分布的多個區(qū)域，每個所述區(qū)域中均分布有所述第一凹陷結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述在所述差值小于預(yù)設(shè)閾值時判斷所述濕法蝕刻工藝存在蝕刻不足的現(xiàn)象，包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述基底內(nèi)設(shè)有電極層，所述第一材料層覆蓋所述電極層的表面，所述第二凹陷結(jié)構(gòu)在所述基底上的正投影與所述電極層至少部分重合，所述缺陷檢測方法還包括：