本申請是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，特別是有關(guān)于一種分隔高壓電路區(qū)與低壓電路區(qū)的半導(dǎo)體隔離結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
1、高壓集成電路(high-voltage?integrated?circuit,hvic)因具有符合成本效益且易相容于其它工藝等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管(led)、顯示器驅(qū)動(dòng)集成電路元件、電源供應(yīng)器、電力管理、通訊、車用電子等的電源控制系統(tǒng)中。一般而言，高壓集成電路包括在高電壓下操作的高壓電路(high-side?circuit)與在低電壓下操作的低壓電路(low-side?circuit)。因此，需要將信號在高壓電路與低壓電路之間轉(zhuǎn)換的位準(zhǔn)移位器(level?shifter)以及將高壓電路與低壓電路分隔的隔離結(jié)構(gòu)。
2、然而，隨著操作時(shí)間與操作次數(shù)的增加，隔離結(jié)構(gòu)的擊穿電壓(breakdownvoltage)會(huì)逐漸衰減(decay)。如此一來，高壓集成電路可能會(huì)無法在足夠高的電壓下操作。因此，盡管現(xiàn)行的高壓集成電路通常已足以滿足它們的預(yù)期目的，但它們并非在所有方面都是完全令人滿意的。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，用以劃分分別位于第一區(qū)域與第二區(qū)域的半導(dǎo)體元件。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一外延區(qū)，具有第一導(dǎo)電性型式；第一阱，沿著第一方向設(shè)置于第一外延區(qū)的第一側(cè)，并且具有與第一導(dǎo)電性型式相對的第二導(dǎo)電性型式；第二阱，設(shè)置于第一外延區(qū)中并且具有第一導(dǎo)電性型式；以及第一摻雜區(qū)，設(shè)置于第二阱中并且具有第一導(dǎo)電性型式。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更包括第三阱，設(shè)置于第一阱中并且具有第一導(dǎo)電性型式；第二摻雜區(qū)，設(shè)置于第三阱中并且具有第一導(dǎo)電性型式；隔離結(jié)構(gòu)，沿著第一方向設(shè)置于第一外延區(qū)的與第一側(cè)相對的第二側(cè)；以及第一埋入層，設(shè)置于第一外延區(qū)中以及第二阱下方，并且具有第一導(dǎo)電性型式。
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，用以劃分分別位于一第一區(qū)域與一第二區(qū)域的半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)更包括：
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一埋入層具有一第一寬度，所述場注入?yún)^(qū)具有一第二寬度，并且所述場注入?yún)^(qū)與所述第四阱之間具有一第一間隔；以及
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括：
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三外延區(qū)在所述第一方向上具有一第三寬度，并且所述第三寬度大于所述第一間隔且小于所述第一寬度。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第四阱具有一第一摻雜濃度且所述場注入?yún)^(qū)具有一第二摻雜濃度，并且所述第一摻雜濃度與所述第二摻雜濃度的比為1：5.4。
7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在一俯視圖中，所述第一埋入層沿著垂直于所述第一方向的一第二方向延伸；以及
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第一弧形部分中，所述第一隔離結(jié)構(gòu)的所述第四阱被配置為具有多個(gè)第一狹縫，所述第一狹縫將所述第一弧形部分中的所述第四阱分隔為多個(gè)第一子阱，并且所述第一狹縫與所述第一子阱彼此交錯(cuò)。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第一弧形部分中，所述第二隔離結(jié)構(gòu)的所述場注入?yún)^(qū)被配置為具有多個(gè)第二狹縫，所述第二狹縫將所述第一弧形部分中的所述場注入?yún)^(qū)分隔為多個(gè)子場注入?yún)^(qū)，并且所述第二狹縫與所述子場注入?yún)^(qū)彼此交錯(cuò)。
10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第二線性部分中，所述第一隔離結(jié)構(gòu)的所述第四阱被配置為具有多個(gè)第三狹縫，所述第三狹縫將所述第二線性部分中的所述第四阱分隔為多個(gè)第二子阱，并且所述第三狹縫與所述第二子阱彼此交錯(cuò)。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第二線性部分中，所述第三隔離結(jié)構(gòu)的所述第五阱被配置為具有多個(gè)第四狹縫，所述第四狹縫將所述第二線性部分中的所述第五阱分隔為多個(gè)第三子阱，并且所述第四狹縫與所述第三子阱彼此交錯(cuò)。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第一方向上，所述第三狹縫的寬度與所述第二子阱的寬度的比為1.5：0.7。