本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體量子碎片的大規(guī)模制備方法,屬于半導(dǎo)體材料制備。
背景技術(shù):
1、氧化鋅、磷化銦、硅等均屬于重要的半導(dǎo)體,在集成電路、太陽能、發(fā)光二極管等方面有著重要的應(yīng)用。經(jīng)過100多年的發(fā)展,量子力學(xué)已經(jīng)達(dá)到應(yīng)用層面,近年來,半導(dǎo)體量子阱、量子點等都得到了大范圍的應(yīng)用,但大部分量子點都是自下而上化學(xué)反應(yīng)合成,缺乏統(tǒng)一方法。事實上,量子效應(yīng)主要考慮在低維尺度下,原子物質(zhì)呈現(xiàn)不同于宏觀物質(zhì)的量子特性,從這個層面考慮,不規(guī)則形狀的量子點、量子片、量子線、原子團(tuán)簇都可以統(tǒng)稱為量子碎片。本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體量子碎片的發(fā)明方法,從而為量子物質(zhì)的制備開發(fā)提供了新的路徑。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的空白,提供一種半導(dǎo)體量子碎片的大規(guī)模制備方法。
2、本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
3、一種半導(dǎo)體量子碎片的大規(guī)模制備方法,包括如下:
4、將半導(dǎo)體粉末放入溶液中;
5、進(jìn)行超聲處理;
6、將得到的溶液靜置,得到上層溶液;即得到半導(dǎo)體量子碎片溶液。
7、上述技術(shù)方案中,進(jìn)一步地,所述的半導(dǎo)體材料為磷化銦、硅、氧化鋅、氮化鎵、氧化鎵中的一種或多種。
8、進(jìn)一步地,所述的溶液為油酸、甲苯、nmp、ipa、dmf、丙酮、酒精、水中的一種或多種。
9、進(jìn)一步地,所述超聲的頻率不低于10khz,功率不低于100w,超聲時間為10秒至10000小時。
10、本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的有益效果是:
11、本發(fā)明制備工藝簡單,制得的量子碎片能達(dá)到1nm,而且可以用來制備不同種類的半導(dǎo)體,這些量子碎片具有很好的發(fā)光特性,量子碎片的誕生將為光電探測器、太陽能電池、集成電路、量子通信技術(shù)領(lǐng)域提供新的發(fā)展路徑。
1.一種半導(dǎo)體量子碎片的大規(guī)模制備方法,其特征在于,包括如下:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量子碎片的大規(guī)模制備方法,其特征在于,所述的半導(dǎo)體材料為磷化銦、硅、氧化鋅、氮化鎵、氧化鎵中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量子碎片的大規(guī)模制備方法,其特征在于,所述的溶液為油酸、甲苯、nmp、ipa、dmf、丙酮、酒精、水中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量子碎片的大規(guī)模制備方法,其特征在于,所述超聲的頻率不低于10khz,功率不低于100w。