本技術(shù)的實施例是涉及一種包括扇出型封裝的裝置結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
1、期望半導(dǎo)體管芯及中介層穿孔結(jié)構(gòu)能夠精確對準(zhǔn)以提高封裝襯底的良率及可靠性。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本實用新型實施例提供一種包括扇出型封裝的裝置結(jié)構(gòu)。扇出型封裝包括：模制化合物管芯框架，在側(cè)向上環(huán)繞至少一個半導(dǎo)體管芯；以及有機(jī)中介層，包括嵌置有重布線配線內(nèi)連線的重布線介電層，并且位于模制化合物管芯框架的第一水平表面上。包括局部凹陷區(qū)的對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)位于模制化合物管芯框架的第二水平表面中的開口內(nèi)。
2、本實用新型實施例提供一種裝置結(jié)構(gòu)包括：扇出型封裝，包括模制化合物管芯框架、在側(cè)向上由模制化合物管芯框架環(huán)繞的至少一個半導(dǎo)體管芯以及有機(jī)中介層，有機(jī)中介層包括嵌置有重布線配線內(nèi)連線的重布線介電層并且位于模制化合物管芯框架的第一水平表面上；以及封裝襯底，接合至有機(jī)中介層的接合結(jié)構(gòu)。包括局部凹陷區(qū)的對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)位于模制化合物管芯框架的第二水平表面中的開口內(nèi)。
3、基于上述，本實用新型有關(guān)于一種扇出型封裝的裝置結(jié)構(gòu)。在取放操作期間，通過使用本實用新型的對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)可以改善至少一個半導(dǎo)體管芯與可選的中介層穿孔結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)，并且可提高封裝襯底的工藝良率及可靠性。
1.一種包括扇出型封裝的裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述扇出型封裝包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，在沿著垂直于所述第一水平表面的方向的平面圖中，所述對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)與所述至少一個半導(dǎo)體管芯不具有任何面積交疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)位于所述局部凹陷區(qū)內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)包括由多個金屬性材料層構(gòu)成的層堆疊，在所述多個金屬性材料層之間包括至少一個水平界面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)包括介電材料部分，所述介電材料部分具有隨著距包括所述第一水平表面的水平面的豎直距離而增加的可變水平橫截面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的側(cè)壁及底表面與所述模制化合物管芯框架直接接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)通過包括聚合物基質(zhì)層及黏著劑層的管芯貼合膜而與所述模制化合物管芯框架間隔開。
8.一種裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括蓋結(jié)構(gòu)，所述蓋結(jié)構(gòu)貼合至所述封裝襯底并且包括水平帽部分，所述水平帽部分上覆且覆蓋由所述至少一個半導(dǎo)體管芯及所述對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)構(gòu)成的整體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，