1.一種氮化鎵基半導(dǎo)體激光器，包括從下至上依次設(shè)置的襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上波導(dǎo)層和上限制層，其特征在于，所述下限制層包括從下至上依次設(shè)置的第一下限制層、第二下限制層和第三下限制層，所述氮化鎵基半導(dǎo)體激光器還包括多重空位電子聲子調(diào)控層，所述多重空位電子聲子調(diào)控層包括第一多重空位電子聲子調(diào)控層、第二多重空位電子聲子調(diào)控層和第三多重空位電子聲子調(diào)控層，所述第一多重空位電子聲子調(diào)控層設(shè)置在所述第一下限值層與第二下限制層之間，所述第二多重空位電子聲子調(diào)控層設(shè)置在所述第二下限制層與第三下限制層之間，所述第三多重空位電子聲子調(diào)控層設(shè)置在所述第三下限制層與下波導(dǎo)層之間，所述第一多重空位電子聲子調(diào)控層、第二多重空位電子聲子調(diào)控層和第三多重空位電子聲子調(diào)控層均具有電子親和能分布特性和極化光學(xué)聲子能量分布特性；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述第一多重空位電子聲子調(diào)控層的電子親和能為d，第二多重空位電子聲子調(diào)控層的電子親和能為e，第三多重空位電子聲子調(diào)控層的電子親和能為f，其中：0.1＜f＜e＜d＜10。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述第一多重空位電子聲子調(diào)控層的極化光學(xué)聲子能量為j，第二多重空位電子聲子調(diào)控層的極化光學(xué)聲子能量為k，第三多重空位電子聲子調(diào)控層的極化光學(xué)聲子能量為l，其中：30(mev)＜j＜l＜k＜800(mev)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述第一多重空位電子聲子調(diào)控層、第二多重空位電子聲子調(diào)控層和第三多重空位電子聲子調(diào)控層還具有電子有效質(zhì)量分布特性和介電常數(shù)分布特性；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化鎵基半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述第一多重空位電子聲子調(diào)控層的電子有效質(zhì)量為g，第二多重空位電子聲子調(diào)控層的電子有效質(zhì)量為h，第三多重空位電子聲子調(diào)控層的電子有效質(zhì)量為i，其中：0.01＜g＜i＜h＜5。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化鎵基半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述第一多重空位電子聲子調(diào)控層的介電常數(shù)為m，第二多重空位電子聲子調(diào)控層的介電常數(shù)為n，第三多重空位電子聲子調(diào)控層的介電常數(shù)為p，其中：2＜n＜p＜m＜20。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述多重空位電子聲子調(diào)控層為gan、ingan、inn、alinn、algan、alingan、aln、gaas、gap、inp、algaas、alingaas、algainp、ingaas、ingaasn、alinas、alinp、algap、ingap、gasb、insb、inas、inassb、algasb、alsb、ingasb、algaassb、ingaassb、sic、ga2o3、bn、金剛石的任意一種或任意組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述有源層為阱層和壘層組成的周期結(jié)構(gòu)，周期數(shù)為3≥m≥1；
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述下限制層、下波導(dǎo)層、上波導(dǎo)層、上限制層為gan、ingan、inn、alinn、algan、alingan、aln、gaas、gap、inp、algaas、alingaas、algainp、ingaas、ingaasn、alinas、alinp、algap、ingap、gasb、insb、inas、inassb、algasb、alsb、ingasb、algaassb、ingaassb、sic、ga2o3、bn的任意一種或任意組合的任意一種或任意組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述襯底包括藍寶石、硅、cuw、mo、tiw、cu、ge、sic、aln、gan、gaas、inp、藍寶石/sio2復(fù)合襯底、藍寶石/aln復(fù)合襯底、藍寶石/sinx、藍寶石/sio2/sinx復(fù)合襯底、鎂鋁尖晶石mgal2o4、mgo、zno、zrb2、lialo2和ligao2復(fù)合襯底的任意一種。