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一種顯示面板及其制備方法與流程

文檔序號(hào):42326107發(fā)布日期:2025-07-01 19:44閱讀:7來(lái)源:國(guó)知局

本技術(shù)涉及顯示,尤其涉及一種顯示面板及其制備方法。


背景技術(shù):

1、顯示面板中通常包括多種像素單元,為使每種像素單元均能夠發(fā)出不同顏色的光,通常需要分別層疊地圖案化處理每種像素單元所對(duì)應(yīng)的發(fā)光層。

2、現(xiàn)有技術(shù)中在層疊地圖案化處理發(fā)光層時(shí),常導(dǎo)致后處理的發(fā)光層部分殘留于在先處理的發(fā)光層表面,導(dǎo)致顯示面板的光學(xué)顯示效果差。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此,本技術(shù)實(shí)施例提供了一種顯示面板及其制備方法。

2、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本技術(shù)實(shí)施例提供一種顯示面板的制備方法,所述顯示面板的制備方法采用了如下所述的技術(shù)方案:

3、一種顯示面板的制備方法,包括以下步驟:

4、提供基板,所述基板包括依次層疊設(shè)置的第一電極和第一功能層,所述第一功能層具有第一預(yù)設(shè)厚度,且所述第一功能層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域;

5、去除所述第二區(qū)域的第一功能層;

6、在所述第一功能層和所述第一電極上形成具有第二預(yù)設(shè)厚度的第二功能層;

7、去除所述第一區(qū)域中的第二功能層及所述第一區(qū)域中的第一剝離厚度的第一功能層,形成具有第一目標(biāo)厚度的第一功能層;其中,所述第一剝離厚度小于所述第一預(yù)設(shè)厚度。

8、進(jìn)一步的,所述第二區(qū)域還包括第一子區(qū)域和第二子區(qū)域;

9、所述去除所述第一區(qū)域中的第二功能層及所述第一區(qū)域中的第一剝離厚度的第一功能層之后,形成具有第一目標(biāo)厚度的第一功能層的步驟之前,還包括如下步驟:

10、去除所述第二子區(qū)域中的所述第二功能層;

11、在所述第一功能層、所述第二功能層和所述第一電極上形成具有第三目標(biāo)厚度的第三功能層;

12、去除所述第一區(qū)域中的第三功能層及所述第一區(qū)域中的第二剝離厚度的第一功能層;

13、去除所述第一子區(qū)域中的第三功能層及所述第一子區(qū)域中的第三剝離厚度的第二功能層,形成具有第二目標(biāo)厚度的第二功能層;其中,所述第二剝離厚度與所述第一剝離厚度之和小于所述第一預(yù)設(shè)厚度,所述第三剝離厚度小于所述第二預(yù)設(shè)厚度。

14、進(jìn)一步的,所述第一預(yù)設(shè)厚度15nm~150nm,所述第二預(yù)設(shè)厚度10nm~100nm,所述第一剝離厚度為5nm~50nm,所述第二剝離厚度5nm~50nm,所述第三剝離厚度5nm~50nm,所述第一目標(biāo)厚度10nm~40nm,所述第二目標(biāo)厚度10nm~40nm;所述第三目標(biāo)厚度10nm~40nm。

15、進(jìn)一步的,所述去除第二區(qū)域的第一功能層的步驟具體為:對(duì)所述第二區(qū)域的第一功能層采用第一次曝光顯影處理;和/或,

16、所述去除所述第一區(qū)域中的第二功能層及所述第一區(qū)域中的第一剝離厚度的第一功能層的步驟具體為:對(duì)所述第一區(qū)域中的第二功能層及所述第一區(qū)域中的第一剝離厚度的第一功能層采用第二次曝光顯影處理;和/或,

17、所述去除所述第二子區(qū)域中的第二功能層的步驟具體為:對(duì)所述第二子區(qū)域中的第二功能層采用第三次曝光顯影處理;和/或,

18、所述去除所述第一區(qū)域中的第三功能層及所述第一區(qū)域中的第二剝離厚度的第一功能層的步驟具體為:對(duì)所述第一區(qū)域中的第三功能層及所述第一區(qū)域中的第二剝離厚度的第一功能層采用第四次曝光顯影處理;

19、所述去除所述第一子區(qū)域中的第三功能層及所述第一子區(qū)域中的第三剝離厚度的第二功能層的步驟具體為:對(duì)所述第一子區(qū)域中的第三功能層及所述第一子區(qū)域中的第三剝離厚度的第二功能層采用第四次曝光顯影處理。

20、進(jìn)一步的,所述第一次曝光顯影處理、第二次曝光顯影處理、第三次曝光顯影處理和第四次曝光顯影處理中任一次曝光顯影處理的參數(shù)如下:

21、曝光顯影處理的光線波長(zhǎng)范圍為200nm~300nm;和/或,

22、曝光顯影處理的光線功率為0.05w~1w;和/或,

23、曝光顯影處理的光照時(shí)間為3min~5min。

24、進(jìn)一步的,所述第一功能層的形成步驟具體為:

25、提供基板以及含第一主體發(fā)光材料和第一光阻材料的第一功能層溶液;

26、在所述基板上沉積所述第一功能層溶液,形成所述第一功能層;和/或,

27、所述在所述第一功能層和所述第一電極上形成具有第二預(yù)設(shè)厚度的第二功能層的步驟包括:

28、提供含有第二主體發(fā)光材料和第二光阻材料的第二功能層溶液;

29、使所述第二功能層溶液沉積在所述第一功能層和所述第一電極上,形成具有第二預(yù)設(shè)厚度的所述第二功能層;和/或,

30、所述在所述第一功能層、所述第二功能層和所述第一電極上形成具有第三目標(biāo)厚度的第三功能層的步驟包括:

31、提供含有第三主體發(fā)光材料和第三光阻材料的第三功能層溶液;

32、使所述第三功能層溶液沉積在所述第一功能層、所述第二功能層和所述第一電極上,形成具有第三目標(biāo)厚度的所述第三功能層。

33、相應(yīng)的,本技術(shù)還提供了一種顯示面板,所述顯示面板采用如上實(shí)施例所述的顯示面板的制備方法制備而成;

34、所述顯示面板包括相對(duì)設(shè)置的陽(yáng)極和陰極,所述陽(yáng)極和所述陰極之間設(shè)有至少兩個(gè)發(fā)光單元。

35、進(jìn)一步的,每個(gè)所述發(fā)光單元均包括發(fā)光層,所述發(fā)光層的材料包括主體發(fā)光材料和光阻材料;和/或,

36、所述光阻材料包括半色調(diào)型正性光阻材料;和/或,

37、所述光阻材料和所述主體發(fā)光材料的質(zhì)量比為(0.05~0.2):1。

38、進(jìn)一步的,所述發(fā)光單元的數(shù)量為3個(gè),所述發(fā)光單元包括紅色發(fā)光單元、綠色發(fā)光單元和藍(lán)色發(fā)光單元;

39、所述紅色發(fā)光單元的材料包括第一主體發(fā)光材料和第一光阻材料,所述綠色發(fā)光單元的材料包括第二主體發(fā)光材料和第二光阻材料,所述藍(lán)色發(fā)光單元的材料包括第三主體發(fā)光材料和第三光阻材料;

40、其中,所述第一光阻材料和所述第一主體發(fā)光材料的質(zhì)量比為(0.05~0.2):1;和/或,

41、所述第二光阻材料和所述第二主體發(fā)光材料的質(zhì)量比為(0.05~0.2):1;和/或,

42、所述第三光阻材料和所述第三主體發(fā)光材料的質(zhì)量比為(0.05~0.2):1。

43、進(jìn)一步的,所述第一主體發(fā)光材料、第二主體發(fā)光材料、第三主體發(fā)光材料各自獨(dú)立地包括單一結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)及核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)中的至少一種,單一結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的材料、核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的核材料及核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的殼層材料分別選自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一種,其中,ii-vi族化合物包括但不限于是cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete以及hgznste中的一種或多種,iv-vi族化合物包括但不限于是sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete以及snpbste中的一種或多種,iii-v族化合物包括但不限于是gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas以及inalpsb中的一種或多種,i-iii-vi族化合物包括但不限于是cuins2、cuinse2及agins2中的至少一種或多種;和/或,

44、所述發(fā)光單元還包括位于所述發(fā)光層和所述陽(yáng)極之間的空穴功能層,所述空穴功能層的材料包括tfb、cupc、pvk、poly-tpd、pfb、dntpd、tcata、tcca、cbp、tpd、npb、npd、pedot:pss、t·apc、mcc、f4-tcnq、hatcn、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、過(guò)渡金屬氧化物、過(guò)渡金屬硫化物、過(guò)渡金屬錫化物、摻雜石墨烯、非摻雜石墨烯以及c60中的至少一種;和/或,

45、所述發(fā)光單元還包括位于所述發(fā)光層和所述陰極之間的電子功能層,所述電子功能層的材料包括無(wú)機(jī)材料和/或有機(jī)材料;所述無(wú)機(jī)材料選自摻雜或非摻雜的氧化鋅、氧化鋇、氧化鋁、氧化鎳、氧化鈦、氧化錫、氧化鉭、氧化鋯、氧化鎳、氧化鈦鋰、氧化鋅鋁、氧化鋅錳、氧化鋅錫、氧化鋅鋰、氧化銦錫、硫化鎘、硫化鋅、硫化鉬、硫化鎢、硫化銅、錫化鋅、磷化銦、磷化鎵、硫化銅銦、硫化銅鎵、鈦酸鋇中的一種或多種,摻雜的元素包括鋁、鎂、鋰、錳、釔、鑭、銅、鎳、鋯、鈰、釓中的一種或多種;所述有機(jī)材料選自喹喔啉化合物、咪唑類(lèi)化合物、三嗪類(lèi)化合物,含芴類(lèi)化合物、羥基喹啉化合物中的一種或多種;和/或,

46、所述陽(yáng)極和所述陰極的材料包括金屬、碳材料以及金屬氧化物中的一種或多種,所述金屬包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一種或多種;所述碳材料包括石墨、碳納米管、石墨烯以及碳纖維中的一種或多種;所述金屬氧化物包括摻雜或非摻雜金屬氧化物,包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的一種或多種,或者包括摻雜或非摻雜透明金屬氧化物之間夾著金屬的復(fù)合電極,所述復(fù)合電極包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一種或多種。

47、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本技術(shù)實(shí)施例主要有以下有益效果:

48、本技術(shù)在去除第一區(qū)域內(nèi)第一功能層上的第二功能層時(shí),同時(shí)去除了第一剝離厚度的第一功能層,以此在確保最終形成的第一功能層的厚度符合第一目標(biāo)厚度的同時(shí),避免第二功能層殘留于第一功能層表面,進(jìn)而提高顯示面板的光學(xué)顯示效果。

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