本發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及一種包括防護(hù)環(huán)的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
1、近來(lái)，隨著對(duì)半導(dǎo)體器件高性能、高速度和/或多功能性的需求增長(zhǎng)，半導(dǎo)體器件的集成度在不斷提高。在響應(yīng)于半導(dǎo)體器件的高集成度的趨勢(shì)制造精細(xì)圖案化的半導(dǎo)體器件時(shí)，需要實(shí)現(xiàn)具有精細(xì)寬度或精細(xì)間距的圖案。此外，為了克服由于平面金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（mosfet）的尺寸減小而導(dǎo)致的操作特性的限制，正在努力開發(fā)包括具有三維溝道的finfet的半導(dǎo)體器件。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明構(gòu)思的方面涉及一種具有改進(jìn)的可靠性的半導(dǎo)體器件。
2、本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)思想所要解決的問題不限于上述問題，本領(lǐng)域技術(shù)人員從以下描述中將清楚地理解未提及的其它問題。
3、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：基板，具有第一區(qū)域和圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域；集成電路結(jié)構(gòu)，在第一區(qū)域中的基板上；防護(hù)環(huán)，在第二區(qū)域中的基板上圍繞集成電路結(jié)構(gòu)；多個(gè)通路，布置在防護(hù)環(huán)上；以及導(dǎo)電線，布置在所述多個(gè)通路上。集成電路結(jié)構(gòu)包括在第一區(qū)域中的基板上的電路有源鰭、與電路有源鰭相交的柵極結(jié)構(gòu)、在電路有源鰭上與柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)表面相鄰的源極/漏極區(qū)、在源極/漏極區(qū)上的電路接觸結(jié)構(gòu)以及在電路接觸結(jié)構(gòu)上的電路布線結(jié)構(gòu)。防護(hù)環(huán)包括在第二區(qū)域中的基板上的防護(hù)有源結(jié)構(gòu)、布置在防護(hù)有源結(jié)構(gòu)上的多個(gè)防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)以及在防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)上的防護(hù)布線結(jié)構(gòu)。防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)在垂直于基板的頂表面的垂直方向上與所述多個(gè)通路重疊。
4、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：基板；集成電路結(jié)構(gòu)，布置在基板上；防護(hù)環(huán)，布置在基板上以在與基板的邊緣相鄰的位置處圍繞集成電路結(jié)構(gòu)；多個(gè)通路，布置在防護(hù)環(huán)上；以及導(dǎo)電線，連接到所述多個(gè)通路。集成電路結(jié)構(gòu)包括在基板上的電路有源鰭、與電路有源鰭相交的柵極結(jié)構(gòu)、在電路有源鰭上與柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)表面相鄰的源極/漏極區(qū)、在源極/漏極區(qū)上的電路接觸結(jié)構(gòu)以及在電路接觸結(jié)構(gòu)上的電路布線結(jié)構(gòu)。防護(hù)環(huán)包括在基板上的防護(hù)有源結(jié)構(gòu)、布置在防護(hù)有源結(jié)構(gòu)上的多個(gè)防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)以及在防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)上的防護(hù)布線結(jié)構(gòu)。所述多個(gè)通路布置于在垂直方向上與防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)不重疊的位置處。
5、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：在基板上的集成電路結(jié)構(gòu)；防護(hù)環(huán)，在基板上圍繞集成電路結(jié)構(gòu)；導(dǎo)電線，在比防護(hù)環(huán)高的垂直水平處；多個(gè)通路，在防護(hù)布線結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電線之間；以及絕緣材料結(jié)構(gòu)，在防護(hù)環(huán)的側(cè)表面上。集成電路結(jié)構(gòu)包括在基板上的電路有源鰭、與電路有源鰭相交的柵極結(jié)構(gòu)、在電路有源鰭上與柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)表面相鄰的源極/漏極區(qū)、在源極/漏極區(qū)上的電路接觸結(jié)構(gòu)以及在電路接觸結(jié)構(gòu)上的電路布線結(jié)構(gòu)。防護(hù)環(huán)包括在基板上的防護(hù)有源結(jié)構(gòu)、布置在防護(hù)有源結(jié)構(gòu)上以彼此分開的防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)以及在防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)上的防護(hù)布線結(jié)構(gòu)。源極/漏極區(qū)在電路接觸結(jié)構(gòu)和電路有源鰭之間。每個(gè)防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的最頂表面的寬度等于或小于電路接觸結(jié)構(gòu)的最頂表面的寬度。防護(hù)布線結(jié)構(gòu)的底表面接觸每個(gè)防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的最頂表面。防護(hù)布線結(jié)構(gòu)的頂表面接觸所述多個(gè)通路的底表面。
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多個(gè)通路接觸所述防護(hù)布線結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中每個(gè)所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的最頂表面的寬度等于或小于所述電路接觸結(jié)構(gòu)的最頂表面的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的最頂表面的寬度之和大于所述電路接觸結(jié)構(gòu)的最頂表面的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中每個(gè)所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的垂直截面的寬度在從所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的最頂表面向下后退的方向上減小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的數(shù)量與所述通路的數(shù)量相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述防護(hù)布線結(jié)構(gòu)接觸每個(gè)所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的頂表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述基板上以圍繞所述防護(hù)環(huán)的外表面的外部防護(hù)環(huán)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述源極/漏極區(qū)在所述電路接觸結(jié)構(gòu)和所述電路有源鰭之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述防護(hù)環(huán)的側(cè)表面上的絕緣材料結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣材料結(jié)構(gòu)包括在所述防護(hù)有源結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上的器件隔離區(qū)以及在所述器件隔離區(qū)上覆蓋所述防護(hù)有源結(jié)構(gòu)的保護(hù)層，以及
11.一種半導(dǎo)體器件，包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述通路的數(shù)量與所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的數(shù)量不同。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)之間的距離與所述通路之間的距離不同。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中每個(gè)所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的最頂表面的寬度等于或小于所述電路接觸結(jié)構(gòu)的最頂表面的寬度。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的最頂表面的寬度之和大于所述電路接觸結(jié)構(gòu)的最頂表面的寬度。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中每個(gè)所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的垂直截面的寬度在從所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的最頂表面向下后退的方向上減小。
17.一種半導(dǎo)體器件，包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)的所述最頂表面的寬度之和大于所述電路接觸結(jié)構(gòu)的所述最頂表面的寬度。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多個(gè)通路布置于在垂直方向上與所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)不重疊的位置處。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多個(gè)通路形成于在垂直方向上與所述防護(hù)接觸結(jié)構(gòu)重疊的位置處。