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一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)裝置及方法與流程

文檔序號(hào):42323549發(fā)布日期:2025-07-01 19:40閱讀:5來(lái)源:國(guó)知局

本發(fā)明屬于微生物地浸采鈾,具體涉及一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)裝置及方法。


背景技術(shù):

1、微生物浸礦是借助某些微生物的催化作用,使礦石中的金屬溶解的濕法冶金過(guò)程,它特適合于處理貧礦、廢礦、表外礦及難浸、難選、難冶礦的堆浸和就地浸出。具有設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、成本低、污染少等優(yōu)點(diǎn),利于綜合利用和環(huán)境保護(hù)。因此,微生物浸礦技術(shù)的研究進(jìn)展及其應(yīng)用越來(lái)越受到廣泛的關(guān)注。北京化工冶金研究院70年代末進(jìn)行了細(xì)菌連續(xù)氧化亞鐵的研究,并在本溪鈾礦進(jìn)行了室溫條件下4柱串聯(lián)細(xì)菌逆流淋浸擴(kuò)大試驗(yàn)。后續(xù)于1995、2000年相繼在撫州鈾礦開(kāi)展了半工業(yè)試驗(yàn)與堆浸試驗(yàn),雖取得了較好的試驗(yàn)結(jié)果,但由于運(yùn)行成本高,一直無(wú)法投入工業(yè)應(yīng)用。

2、目前,我國(guó)地浸礦山浸出方式多以酸法為主,隨著規(guī)模性工業(yè)化開(kāi)采進(jìn)程的推進(jìn),卷頭礦體逐年減少,貧礦、翼部礦體所占比例較大,原液鈾濃度也在不斷的下降,以及其他諸多因素必然造成地浸生產(chǎn)成本的逐年增加,利用細(xì)菌浸出可以有效增加氧化還原電位,增加原液鈾濃度或緩解其下降趨勢(shì),從而降低生產(chǎn)成本。但是翼部礦體滲透性較差,較高鐵濃度菌液在該礦體應(yīng)用時(shí),fe3+容易在地下沉淀,堵塞含礦含水層,影響地浸生產(chǎn);另外,經(jīng)分析研究,fe3+離子對(duì)樹(shù)脂吸附鈾的過(guò)程有一定影響,當(dāng)fe3+濃度升高時(shí),吸附穿透體積減小,飽和體積變大,樹(shù)脂飽和鈾濃度降低;其次,硫酸亞鐵的加入無(wú)疑增大了生產(chǎn)成本,影響企業(yè)經(jīng)濟(jì)效益,在很大程度上制約著微生物地浸采鈾的工業(yè)化應(yīng)用。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足,提供一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)裝置及方法,解決能夠用于微生物采鈾的氧化亞鐵硫桿菌的培養(yǎng)問(wèn)題。

2、為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明的技術(shù)方案如下:一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)裝置,該裝置包括培養(yǎng)基槽、氧化槽模塊、注液槽;所述培養(yǎng)基槽置于裝置最左端,頂部設(shè)有下注液管道和濃硫酸管道,所述下注液管道用于向培養(yǎng)基槽輸入尾液,所述濃硫酸管道用于向培養(yǎng)基槽輸入濃硫酸;所述氧化槽模塊包括第一氧化槽、第二氧化槽、第三氧化槽、第四氧化槽、第五氧化槽、第六氧化槽、第七氧化槽、第八氧化槽;所述第一氧化槽、第二氧化槽、第三氧化槽、第四氧化槽、第五氧化槽、第六氧化槽、第七氧化槽、第八氧化槽之間依次通過(guò)氧化槽管道串聯(lián);所述第一氧化槽與第八氧化槽之間通過(guò)成熟菌液回流管相連接,實(shí)現(xiàn)首端氧化槽成熟菌液補(bǔ)加;所述第一氧化槽與第四氧化槽分別通過(guò)配眼鏡管與培養(yǎng)基槽,以獲得培養(yǎng)基液;所述氧化槽模塊右端為注液槽,所述注液槽通過(guò)連接泵與第八氧化槽相連接,以獲得成熟菌液。

3、所述注液槽頂部設(shè)有主液管,用于輸出注液槽中的菌液。

4、所述注液槽頂部設(shè)有第三氧化槽成熟菌液管,用于將注液槽內(nèi)的菌液傳輸至第三氧化槽成熟菌液管。

5、所述注液槽頂部連接有濃硫酸管道,用于向注液槽內(nèi)部傳輸濃硫酸,調(diào)節(jié)注液槽的ph值。

6、所述注液槽頂部連接有下注液管道,用于向注液槽內(nèi)部傳輸尾液。

7、所述氧化槽容積為45m3,槽內(nèi)掛網(wǎng)狀膜。

8、一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)方法,該方法包括以下操作步驟:

9、步驟1、培養(yǎng)基槽中溶液ph調(diào)節(jié),形成培養(yǎng)基

10、將尾液通過(guò)下注液管道注入培養(yǎng)基槽中,通過(guò)濃硫酸管道向培養(yǎng)基槽中添加濃硫酸,形成培養(yǎng)基;

11、步驟2、氧化槽模塊培養(yǎng)菌液

12、將培養(yǎng)基通過(guò)泵輸送至串聯(lián)的氧化槽中,控制流量15m3/h,控制曝氣量,使氧化亞鐵硫桿菌在氧化槽組間生長(zhǎng)繁殖,在第八氧化槽中形成活性較高的成熟菌液;

13、步驟3、注液槽ph調(diào)節(jié)

14、第八氧化槽流出的成熟菌液通過(guò)泵輸送至注液槽,通過(guò)濃硫酸管道向注液槽中添加濃硫酸調(diào)節(jié)ph后,經(jīng)注液管輸出;

15、步驟4、第一氧化槽成熟菌液補(bǔ)加

16、第八氧化槽產(chǎn)生的成熟菌液經(jīng)泵輸送至第一氧化槽進(jìn)行成熟菌液補(bǔ)加,增加培養(yǎng)基中氧化亞鐵硫酸桿菌密度,提高菌活性,形成回流式連續(xù)培養(yǎng),提高菌液生產(chǎn)量。

17、步驟1中,培養(yǎng)基ph值范圍為。

18、本發(fā)明的顯著效果在于:本發(fā)明所述的一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)裝置與方法包括以下有益效果:

19、⑴通過(guò)對(duì)菌種進(jìn)行馴化,氧化亞鐵硫桿菌可在較低液溫(14℃)條件下繁殖、生存,獲得了低溫條件下微生物菌種。

20、⑵使用吸附尾液作為培養(yǎng)基,在不外加鐵源的情況下進(jìn)行氧化亞鐵硫桿菌培養(yǎng),氧化亞鐵硫桿菌能夠完全存活并分裂繁殖,且單位時(shí)間內(nèi)45m3氧化槽可生產(chǎn)菌液30m3/h,且接觸氧化時(shí)間較3.0g/l鐵濃度時(shí)提高了1.4倍,菌液生產(chǎn)效率得到了明顯提升。

21、⑶氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)模式,較恒定容積的固定培養(yǎng),因培養(yǎng)基的不斷加入,改善了氧化亞鐵硫桿菌生存環(huán)境,增加了其活性,縮短細(xì)菌生長(zhǎng)周期中的調(diào)整期和對(duì)數(shù)期,提高了菌液的生產(chǎn)量。



技術(shù)特征:

1.一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)裝置,其特征在于:該裝置包括培養(yǎng)基槽(1)、氧化槽模塊、注液槽(10);所述培養(yǎng)基槽(1)置于裝置最左端,頂部設(shè)有下注液管道(11)和濃硫酸管道(12),所述下注液管道(11)用于向培養(yǎng)基槽(1)輸入尾液,所述濃硫酸管道(12)用于向培養(yǎng)基槽(1)輸入濃硫酸;所述氧化槽模塊包括第一氧化槽(2)、第二氧化槽(3)、第三氧化槽(4)、第四氧化槽(5)、第五氧化槽(6)、第六氧化槽(7)、第七氧化槽(8)、第八氧化槽(9);所述第一氧化槽(2)、第二氧化槽(3)、第三氧化槽(4)、第四氧化槽(5)、第五氧化槽(6)、第六氧化槽(7)、第七氧化槽(8)、第八氧化槽(9)之間依次通過(guò)氧化槽管道串聯(lián);所述第一氧化槽(2)與第八氧化槽(9)之間通過(guò)成熟菌液回流管(14)相連接,實(shí)現(xiàn)首端氧化槽成熟菌液補(bǔ)加;所述第一氧化槽(2)與第四氧化槽(5)分別通過(guò)配眼鏡管與培養(yǎng)基槽(1),以獲得培養(yǎng)基液;所述氧化槽模塊右端為注液槽(10),所述注液槽(10)通過(guò)連接泵與第八氧化槽(9)相連接,以獲得成熟菌液。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)裝置,其特征在于:所述注液槽(10)頂部設(shè)有主液管(13),用于輸出注液槽(10)中的菌液。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)裝置,其特征在于:所述注液槽(10)頂部設(shè)有第三氧化槽成熟菌液管(15),用于將注液槽(10)內(nèi)的菌液傳輸至第三氧化槽成熟菌液管(15)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)裝置,其特征在于:所述注液槽(10)頂部連接有濃硫酸管道(12),用于向注液槽(10)內(nèi)部傳輸濃硫酸,調(diào)節(jié)注液槽(10)的ph值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)裝置,其特征在于:所述注液槽(10)頂部連接有下注液管道(11),用于向注液槽(10)內(nèi)部傳輸尾液。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)裝置,其特征在于:所述氧化槽容積為45m3,槽內(nèi)掛網(wǎng)狀膜。

7.一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)方法,其特征在于:該方法包括以下操作步驟:

8.根據(jù)權(quán)利要求7中所述的一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)方法,其特征在于:步驟1中,培養(yǎng)基ph值范圍為(1.6,1.8)。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及微生物地浸采鈾技術(shù)領(lǐng)域,具體公開(kāi)了一種低鐵濃度條件下氧化亞鐵硫桿菌流動(dòng)培養(yǎng)裝置及方法。該裝置包括培養(yǎng)基槽、氧化槽模塊、注液槽;培養(yǎng)基槽置于裝置最左端,頂部設(shè)有下注液管道和濃硫酸管道;氧化槽模塊的第一氧化槽、第二氧化槽、第三氧化槽、第四氧化槽、第五氧化槽、第六氧化槽、第七氧化槽、第八氧化槽之間依次通過(guò)氧化槽管道串聯(lián);第一氧化槽與第八氧化槽之間通過(guò)成熟菌液回流管相連接;第一氧化槽與第四氧化槽分別通過(guò)配眼鏡管與培養(yǎng)基槽;氧化槽模塊右端為注液槽,注液槽通過(guò)連接泵與第八氧化槽相連接。該裝置改善了氧化亞鐵硫桿菌生存環(huán)境,增加了其活性,縮短細(xì)菌生長(zhǎng)周期中的調(diào)整期和對(duì)數(shù)期,提高了菌液的生產(chǎn)量。

技術(shù)研發(fā)人員:湯義偉,陳立
受保護(hù)的技術(shù)使用者:新疆中核天山鈾業(yè)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/6/30
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