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本申請涉及半導(dǎo)體制造，具體涉及一種基于硅-玻璃鍵合基底的非等高垂直梳齒自對準(zhǔn)制備方法。、微機電系統(tǒng)(mems)是以微電子技術(shù)(半導(dǎo)體制造技術(shù))為基礎(chǔ)發(fā)展起來的，其融合了光刻、腐蝕、薄膜、硅微加工、非硅微加工和精密機械加工等技術(shù)。特征尺寸在微米量級，集傳感技術(shù)、制動技術(shù)和控制技術(shù)于一體。采用...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems壓力傳感器及其制造方法、電子裝置。、mems壓力傳感器是在mems工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的前沿研究領(lǐng)域，其適用于高沖擊、高過載、導(dǎo)電、腐蝕、輻射等惡劣環(huán)境，并廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、工業(yè)、醫(yī)療衛(wèi)生與環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域。其中，相比于壓阻式壓力傳感器，電容式...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝，具體涉及一種應(yīng)力可調(diào)的半導(dǎo)體模塊封裝結(jié)構(gòu)及其應(yīng)力調(diào)整方法。、目前，高壓大功率半導(dǎo)體模塊尤其是采用碳化硅（sic）器件的模塊，仍普遍沿用dbc（direct?bonded?copper）或dcb（direct?copper?bonded）陶瓷基板配合鋁線焊接的傳統(tǒng)封裝方...

本發(fā)明屬于微機電系統(tǒng)(mems)與半導(dǎo)體集成，具體涉及一種地磁傳感器與微控制單元(mcu)的微型化單片集成方法。、傳統(tǒng)地磁傳感器與mcu的集成方案長期面臨體積、功耗與工藝兼容性的多重矛盾?，F(xiàn)有技術(shù)多采用分立封裝或高溫工藝實現(xiàn)傳感器與電路集成，導(dǎo)致傳感器模塊體積較大(通常超過×mm)，難以滿...

本申請涉及mems器件，尤其涉及一種mems晶圓的分割方法。、mems(micro-electromechanical?systems)也稱微機電系統(tǒng)，是以機、電技術(shù)，尤其是微機械為基礎(chǔ)，運用微電子技術(shù)和微加工技術(shù)，進行微納米和微機電系統(tǒng)內(nèi)的一系列微型器件的設(shè)計、制造及測試。在mems器件...

本發(fā)明屬于微機械電子。具體是一種面陣列微鏡的鏡面光學(xué)膜制備方法。、金屬鏡面在mems芯片中的廣泛應(yīng)用，本質(zhì)上是光學(xué)性能需求與硅基mems工藝優(yōu)勢的融合結(jié)果。隨著先進鍍膜技術(shù)（如ebe、ald）和驅(qū)動結(jié)構(gòu)創(chuàng)新（如多自由度控制），金屬反射鏡正從“功能補充”向“核心光學(xué)組件”演進，推動mems在...

本申請涉及mems器件，尤其涉及一種mems器件的制備方法及其制備裝置。、mems(micro-electromechanical?systems)也稱微機電系統(tǒng)，是以機、電技術(shù)，尤其是微機械為基礎(chǔ)，運用微電子技術(shù)和微加工技術(shù)，進行微納米和微機電系統(tǒng)內(nèi)的一系列微型器件的設(shè)計、制造及測試。在...

本發(fā)明屬于材料表面處理，尤其涉及一種熱力耦合高能粒子沉積同步復(fù)合非平衡態(tài)光蝕微結(jié)構(gòu)的制備裝置。、在精密機械、航空航天及生物醫(yī)療等領(lǐng)域，高性能涂層的界面結(jié)合強度、抗疲勞性能及功能性(如耐磨、耐蝕或生物相容性)需求日益嚴(yán)苛。傳統(tǒng)涂層制備技術(shù)中，基體表面預(yù)處理(如噴砂、化學(xué)刻蝕或機械拋光)常被用...

本發(fā)明屬于應(yīng)變傳感器的制備，涉及一種基于預(yù)加載的超穩(wěn)定寬線性柔性應(yīng)變傳感器及其制備方法，具體為一種長服役壽命、超高循環(huán)穩(wěn)定性、寬應(yīng)變范圍內(nèi)線性信號響應(yīng)的柔性應(yīng)變傳感器的制備方法。、柔性電子技術(shù)是二十一世紀(jì)重要變革性科技之一，柔性應(yīng)變傳感器作為其核心元件在諸如人機交互、人體健康和結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測...

本申請涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種mems傳感器裝置和半導(dǎo)體器件。、在mems(micro-electro-mechanical?system，微機電系統(tǒng))傳感器的芯片加工工藝中，如mems芯片、asic(application-specific?integrated?circuit，專用集成...

干燥的表面改性納米方解石本發(fā)明涉及表面改性納米方解石。更具體地講，本發(fā)明涉及可易于分散在樹脂中的干燥的表面改性納米方解石粒子。發(fā)明內(nèi)容在一些實施例中，提供了納米粒子組合物。該組合物包含具有方解石和鍵合至方解石的表面改性劑的納米粒子。表面改性劑包含鍵合至方解石的結(jié)合基團和增容鏈段。增容鏈段包...

微圖案形成方法和使用其的微通道晶體管和微通道發(fā)光晶體管的形成方法本發(fā)明涉及一種使用有機線或有機-無機混合線形成微圖案的方法，更具體地，涉及一種使用有機線或有機-無機復(fù)合線作為圖案化掩模來形成微圖案的方法以及使用其來形成電子器件的方法。目前，由于能夠在襯底上形成納米級圖案的方法多數(shù)基...

一種晶圓級陽極鍵合方法本發(fā)明涉及一種晶圓級鍵合方法，尤其是涉及一種晶圓級陽極鍵合方法。目前在微機械系統(tǒng)、微電子以及光電子領(lǐng)域，晶圓級鍵合技術(shù)正被廣泛應(yīng)用。在過去幾十年，各種鍵合技術(shù)已經(jīng)被開發(fā)出來，主要分為直接鍵合和中間層鍵合，直接鍵合技術(shù)包括硅-硅熔融鍵合，硅-玻璃陽極鍵合。在微機...

電容式微加工超聲換能器制造方法及被檢體信息獲取裝置本公開涉及可以在超聲探測器和其它應(yīng)用中使用的電容式微加工超聲換能器，并且還涉及用于制造該電容式微加工超聲換能器的方法。超聲診斷近來已經(jīng)被看作用于疾病的早期檢測的技術(shù)。在這種診斷領(lǐng)域中，在研究中的有前景的超聲發(fā)送和接收技術(shù)之一是取代壓...

微機械功能裝置、尤其揚聲器裝置、以及相應(yīng)的制造方法本發(fā)明涉及一種微機械功能裝置、尤其一種揚聲器裝置、以及一種相應(yīng)的制造方法。雖然也可以采用任意的微機械功能裝置，但是借助在硅基礎(chǔ)上的微機械揚聲器裝置來解釋本發(fā)明以及其所基于的問題。與麥克風(fēng)封裝或壓力傳感器封裝相比，其中其必須在小的構(gòu)造...

制造諧振式傳感器的方法本申請要求2011年12月2日提交的日本專利申請第2011-264543號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。本文中描述的實施例涉及制造諧振式傳感器的方法。圖6-圖17示出了相關(guān)技術(shù)的諧振式傳感器的必要部分的構(gòu)成。圖6示出了必要組件的結(jié)構(gòu)，圖7-圖15示出了...

MEMS器件及其形成方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，具體而言，本發(fā)明涉及MEMS器件及其形成方法。微電子機械系統(tǒng)(MEMS)器件可用于諸如麥克風(fēng)、加速度計、噴墨打印機等各種應(yīng)用。常用類型的MEMS器件采用可移動元件(有時被稱為檢測質(zhì)量塊(proofmass))作為電容器極板，以及采用固定...

用于MEMS芯片封裝的無小島引線框、引線框陣列及封裝結(jié)構(gòu)本申請涉及用于MEMS芯片封裝的引線框，更具體來說，本申請涉及用于MEMS芯片封裝、如OCSOP（開蓋式小尺寸封裝）、OCDIP（開蓋式雙列直排封裝）的無小島引線框及其封裝結(jié)構(gòu)。封裝是電子器件制造過程中一個非常重要的步驟，通過...

一種懸浮結(jié)構(gòu)MEMS器件及其制造方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體地說涉及一種懸浮結(jié)構(gòu)MEMS器件及其制造方法。表面犧牲層加工(表面微機械)技術(shù)是硅微加工的主要技術(shù)之一。釋放工藝是MEMS制造過程中經(jīng)常使用的工藝。釋放工藝分為濕法釋放和干法釋放兩種。干法釋放采用等離子體進行刻蝕時，...

一種高占空比絕熱微橋結(jié)構(gòu)及其實現(xiàn)方法本發(fā)明涉及探測器微細(xì)加工，具體指一種高占空比的紅外探測器單元結(jié)構(gòu)及其實現(xiàn)方法，它適用于非制冷焦平面器件，也適用于其它需要高占空比薄膜微橋結(jié)構(gòu)的器件。非制冷焦平面本質(zhì)上是一種“熱”探測器，利用敏感元的“輻射熱效應(yīng)”進行紅外探測，其核心是具有...