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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，特別涉及一種emib的mems傳感器及其制備方法。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進步發(fā)展，傳感器芯片的封裝技術(shù)經(jīng)歷了多次更新?lián)Q代。在這一過程中，emib(embedded?multi-die?interconnect?bridge，嵌入式多芯片互連橋)先進封裝技術(shù)逐漸在半...

本發(fā)明屬于微納制造，具體涉及一種生成傾斜納米結(jié)構(gòu)的電驅(qū)動壓印方法。、傾斜納米結(jié)構(gòu)憑借其獨特的不對稱幾何形態(tài)，突破了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的限制，在光學、電學、磁學和力學領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越性能，從光物質(zhì)相互作用的增強到能量轉(zhuǎn)換效率的提升，從表面功能調(diào)控到結(jié)構(gòu)力學優(yōu)化，為高性能器件開發(fā)奠定了基礎(chǔ)。傾斜納米結(jié)構(gòu)兼...

本發(fā)明涉及mems器件封裝領(lǐng)域，特別是涉及一種mems微振鏡器件的封裝結(jié)構(gòu)及激光雷達裝置。、當前多數(shù)廠商采用的金屬殼包裹mems器件的封裝方式，mems器件設(shè)置在殼體內(nèi)，pcb板置于殼體外部，探針穿過殼體和pcb板連接，mems器件通過金線與探針進行電氣連接。此種封裝結(jié)構(gòu)主要為加速度計等類...

本申請屬于封裝，具體地，本申請涉及一種mems封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法和電子設(shè)備。、mems麥克風憑借其性能穩(wěn)定的優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。但隨著電子設(shè)備不斷向輕薄化和小型化發(fā)展，對mems麥克風的尺寸也提出了更為嚴苛的要求。、相關(guān)技術(shù)中，常規(guī)的mems麥克風在基板上集成多個芯片以實現(xiàn)其...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種mems器件及其制造方法。、mems(micro-electro-mechanical?system，微機電系統(tǒng))器件(如電容傳感器、加速度計和陀螺儀等)的性能要求越來越高。例如對于電容傳感器，通過增大上極板(即質(zhì)量塊)的面積來提高靈敏度、減少雜散電容以及提高...

本發(fā)明涉及慣性測量，特別是涉及一種用于mems器件的加工方法及圓片級封裝的方法。、慣性mems器件是一種采用mems方法加工、能夠測量物體運動角速度、加速度等慣性物理量的器件或裝置，具有體積小、成本低、功耗低等優(yōu)點，在國防、慣性導(dǎo)航、工業(yè)控制等領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。慣性mems器件主要包括...

本發(fā)明涉及慣性測量，特別是涉及一種用于慣性mems器件的加工方法及圓片級封裝的方法。、慣性mems器件是一種采用mems方法加工、能夠測量物體運動角速度、加速度等慣性物理量的器件或裝置，具有體積小、成本低、功耗低等優(yōu)點，在國防、慣性導(dǎo)航、工業(yè)控制等領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。慣性mems器件主要...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，尤其涉及一種紅外傳感器及其制備方法。、非制冷紅外焦平面探測器主要以微機電技術(shù)(mems)制備的熱傳感器為基礎(chǔ)，大致可分為熱電偶、熱釋電、電阻微測輻射熱計等幾種類型；與熱釋電材料相比，電阻微測輻射熱計不需要調(diào)制器，降低了結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性；與熱電偶探測器相比，電阻微測輻射熱計的靈...

、半導(dǎo)體制造、半導(dǎo)體制造是使用多個步驟來構(gòu)建半導(dǎo)體器件的一系列高度復(fù)雜的過程。然而，最基本的是，它是用于形成所有微結(jié)構(gòu)器件的相同方法。、制造半導(dǎo)體器件(例如圖所示類型，并總體上由附圖標記表示)，首先通常包括在襯底上沉積薄膜。然后，在薄膜上沉積光致抗蝕劑層。使用照相曝光對光致抗蝕劑層進行圖案...

本發(fā)明涉及一種橋式懸浮膜紅外光源芯片及其制備方法、紅外光源及其組裝方法，屬于紅外光源設(shè)計。、紅外技術(shù)被廣泛應(yīng)用在光電子器件、空間監(jiān)控與偵查傳感器、戰(zhàn)場目標敵我識別裝置、紅外通信系統(tǒng)、工礦業(yè)生產(chǎn)安全系統(tǒng)、導(dǎo)彈告警系統(tǒng)、紅外醫(yī)療、污染監(jiān)視傳感器、生物材料物相無損檢測、高分辨率成像傳感器、多光譜...

本發(fā)明涉及集成電路制造，具體涉及一種改善mems可動部件吸合的止擋結(jié)構(gòu)及其制備方法。、mems器件中的可動部件，特別是可動間距過小或極板面積過大的結(jié)構(gòu)，常常會遇到吸合黏粘問題，對于部分敏感器件吸合問題是影響器件性能和可靠性的關(guān)鍵問題。圖(a)為mems可動部件示意圖，(b)為mems可動部...

本技術(shù)屬于半導(dǎo)體檢測，具體關(guān)于一種mems分離輔助裝置。、mems是微機電系統(tǒng)(micro?electro?mechanical?systems)的縮寫，具有微小的立體結(jié)構(gòu)，主要由傳感器、作動器(執(zhí)行器)和微能源三大部分組成，能夠處理各種輸入、輸出信號。、mems器件通常具有基底和設(shè)置于基...

本申請涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。、半導(dǎo)體集成電路(ic:integrated?circuit)或者微機電系統(tǒng)(mems：microelectro?mechanical?systems)等半導(dǎo)體器件通常需要復(fù)雜的制造工藝，這些制造工藝包括刻蝕、鍵合、沉積等。例如，在制造...

本申請涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。、半導(dǎo)體集成電路(ic:integrated?circuit)或者微機電系統(tǒng)(mems：microelectro?mechanical?systems)等半導(dǎo)體器件通常需要復(fù)雜的制造工藝，這些制造工藝包括刻蝕、鍵合、沉積等。例如，在制造...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，具體涉及一種mems器件的真空封裝方法及mems器件。、目前，梳齒型mems慣性器件較成熟的晶圓級真空封裝技術(shù)為：將已加工完成的晶圓蓋帽，利用鍵合材料通過鍵合機與襯底進行晶圓級真空鍵合，而鍵合機的真空度通常較低，一般為.pa以上，無法實現(xiàn)更高真空度的封裝，從而影響...

本申請涉及非球面陣列，尤其涉及一種硅基小球陣列的制備方法和納米壓印裝置的應(yīng)用。、隨著現(xiàn)代通信系統(tǒng)向小型化、輕量化和集成化方向持續(xù)發(fā)展，構(gòu)成模組系統(tǒng)的元件也日益呈現(xiàn)微型化與陣列化趨勢。作為通信模組系統(tǒng)中的關(guān)鍵元器件，非球面陣列在傳感、成像、光源等領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。其主流制備方法包括熱...

本公開涉及氣密結(jié)構(gòu)體及其制造方法、以及氣密保持用基底樹脂組合物。、近年來，在保持了氣密性的中空結(jié)構(gòu)內(nèi)具有mems(micro?electro?mechanicalsystem，微機電系統(tǒng))等微細結(jié)構(gòu)體的例子有增加傾向。中空結(jié)構(gòu)內(nèi)是與外部隔斷的空間，收納在空間內(nèi)的微細結(jié)構(gòu)體與外部環(huán)境隔離而被...

本申請涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種mems慣性器件的制備方法及mems慣性器件。、慣性技術(shù)是導(dǎo)航定位、制導(dǎo)控制、穩(wěn)瞄穩(wěn)像、姿態(tài)測量的核心技術(shù)，慣性陀螺儀和加速度計的技術(shù)狀態(tài)是表示慣性技術(shù)的基礎(chǔ)。以陀螺儀為例，mems（micro-electro-mechanical?systems，微機電系...

本發(fā)明涉及傳感器，尤其涉及一種具有d結(jié)構(gòu)的mems紅外光源及其制備方法。、在ndir（非色散紅外，non-dispersive?infrared）氣體檢測中，需要使用紅外光源，紅外光源作為檢測的核心組件，其可靠性、穩(wěn)定性至關(guān)重要；紅外光源的可靠性越高，其構(gòu)成的氣體檢測傳感器的使用壽...

本發(fā)明涉及微機電系統(tǒng)，特別是涉及一種混合驅(qū)動的mems器件及其制備方法。、mems(micro?electromechanical?system，即微機電系統(tǒng))是一種將微機械結(jié)構(gòu)與電子電路集成在微米尺度上的技術(shù)，通過半導(dǎo)體工藝(如光刻、蝕刻)制造，具有微型化、低功耗和高靈敏度等特點，廣泛應(yīng)...