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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • 一種高諧振頻率的大孔徑振鏡及制備方法與流程
    本發(fā)明涉及振鏡,具體涉及一種高諧振頻率的大孔徑振鏡及制備方法。許多微機(jī)電系統(tǒng)(mems)設(shè)備已成功開發(fā),例如微加速度計(jì)、微壓力傳感器、麥克風(fēng)和數(shù)字微鏡設(shè)備(dmd);由于其體積小,性能高且成本低。mems制造技術(shù)是一種微米分辨率的光刻工藝,包括生成光掩模,掩模對準(zhǔn),沉積和蝕刻等步驟...
  • 一種基于旋轉(zhuǎn)桿單元的負(fù)泊松比結(jié)構(gòu)的制作方法
    本發(fā)明涉及機(jī)械超材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),具體涉及一種基于旋轉(zhuǎn)桿單元的負(fù)泊松比結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)材料相比,負(fù)泊松比材料具有獨(dú)特的力學(xué)性能,如拉伸時膨脹,壓縮時收縮,其在抗剪承載力、抗斷裂性、能量吸收和壓陷阻力等方面也更有優(yōu)勢。負(fù)泊松比材料表現(xiàn)出的輕質(zhì)、高阻尼、吸聲、隔熱等物理特性,在功能材料中扮演重...
  • 一種多頻CMUT器件的制造方法及多頻CMUT器件與流程
    本申請涉及超聲傳感器制造,具體而言,涉及一種多頻cmut器件的制造方法及多頻cmut器件。超聲探頭在超聲成像中,起著關(guān)鍵作用;超聲傳感器則是超聲探頭的關(guān)鍵部件,早期的超聲傳感器,一般采用鋯鈦酸鉛陶瓷(pzt),隨著技術(shù)的發(fā)展,電容性微機(jī)械加工超聲傳感器(cmut)由于有頻帶寬、易于...
  • 一種新型鐵電渦旋態(tài)納米島陣列的制備方法與流程
    本發(fā)明涉及鐵電材料,特別是涉及一種新型鐵電渦旋態(tài)納米島陣列的制備方法。在大數(shù)據(jù)時代的背景下,傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片尺寸已經(jīng)接近量子極限,難以進(jìn)一步發(fā)展,這推動了人們探尋新型半導(dǎo)體電子材料體系下的存儲器件以滿足人類日益增長的存儲需求。其中,鐵電材料體系下的鐵電存儲器是一種新型存儲器。在鐵電材...
  • 一種柔性電子器件、微結(jié)構(gòu)柔性電極及其制備方法與流程
    本發(fā)明屬于柔性電子器件用的微結(jié)構(gòu)柔性電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和微組裝,具體涉及一種柔性電子器件、微結(jié)構(gòu)柔性電極及其制備方法。柔性電子器件在可穿戴、電子皮膚、人機(jī)接口和人工智能等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛力,因此也吸引了國內(nèi)外大批專家學(xué)者的研究。對于具有多對i/o口的器件(如三維力柔性傳感器),目前使...
  • 一種MEMS陀螺儀的冷壓焊真空封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本實(shí)驗(yàn)新型屬于mems封裝領(lǐng)域,涉及一種mems器件級的真空封裝。mems技術(shù)開辟了微型化、集成化的新和產(chǎn)業(yè),而其封裝好壞關(guān)系到器件性能的優(yōu)劣,同時封裝成本過高也會降低mems器件的市場競爭力。目前mems封裝主要采用圓片級封裝、多芯片封裝和系統(tǒng)封裝。mems真空封裝是使mems器...
  • 用于低應(yīng)力MEMS封裝的粘接結(jié)構(gòu)和封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本實(shí)用新型涉及低應(yīng)力mems封裝,尤其涉及一種針對慣性傳感器的低應(yīng)力mems封裝的三維粘接結(jié)構(gòu)和封裝結(jié)構(gòu),以及用于實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力mems封裝的粘接結(jié)構(gòu)的集成制造方法。mems慣性傳感器件對封裝工藝過程中硅芯片中產(chǎn)生的應(yīng)力很敏感,這與存在應(yīng)力時的芯片翹曲有關(guān)。在芯片貼片封裝工藝中,一般有...
  • 一種基于窗口式基板的無引線MEMS芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝,尤其是一種基于窗口式基板的無引線mems芯片封裝結(jié)構(gòu)。目前,隨著自動駕駛以及5g技術(shù)的發(fā)展,rf-mems技術(shù)的應(yīng)用越來越普及,rf-射頻就是射頻電流,它是一種高頻交流變化電磁波的簡稱,所謂rf-mems是用mems技術(shù)加工的rf產(chǎn)品。rf-mems技術(shù)可...
  • 用于低溫操作的金屬磁性存儲器裝置及其操作方法與流程
    相關(guān)申請本申請要求2018年12月6日提交的第16/212,132號美國非臨時專利申請的優(yōu)先權(quán),所述非臨時專利申請的整個內(nèi)容以引用的方式并入本文中。本公開大體上涉及磁性存儲器裝置的領(lǐng)域,且確切地說涉及金屬磁性存儲器裝置,例如具有至少一個輔助層的磁阻隨機(jī)存取存儲器(mram)裝置;及其操作方法。背景...
  • 具有輔助層的自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM及其操作方法與流程
    相關(guān)申請本申請要求2018年12月6日提交的美國非臨時申請序列號16/212,257、16/212,342和16/212,420的優(yōu)先權(quán),前述申請的全部內(nèi)容以引用方式并入本文。本公開總體上涉及磁存儲設(shè)備領(lǐng)域,并且特別涉及具有輔助層的自旋轉(zhuǎn)移矩(stt)磁阻隨機(jī)存取存儲器(mram)設(shè)備及其操作方法...
  • 一種二維材料超精密加工方法與流程
    本發(fā)明屬于二維材料超精密加工,具體涉及一種多場下的二維材料超精密加工方法。以石墨烯為代表的二維材料是指在一個維度上尺寸減小到單原子厚度,而另外兩個維度上尺度相對較大的材料。由于特有的原子層結(jié)構(gòu),不同的二維材料具有力學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)等一系列優(yōu)異的性能。二維材料在工程、材料和能源等...
  • 一種RF MEMS開關(guān)的制造和封裝方法與流程
    本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)(mems)領(lǐng)域,尤其涉及一種rfmems開關(guān)的制造和封裝方法。rfmems是mems(微機(jī)電系統(tǒng))與rf(射頻)技術(shù)相結(jié)合的一門新技術(shù),mems器件具有體積小、易集成、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),可代替?zhèn)鹘y(tǒng)無線通信系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件。rfmems不僅可以以器件的方式應(yīng)用于電路,例...
  • 一種基于石墨烯的微型分子光鑷的制作方法
    本發(fā)明涉及分析測試儀器,具體涉及一種基于石墨烯的微型分子光鑷。近年來,隨著互聯(lián)網(wǎng)和網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)傳輸業(yè)務(wù)的飛速發(fā)展,生產(chǎn)生活中的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)增長,電路的微型化和高度集成化逐漸成為工程師的努力方向。然而,隨著器件越做越小,傳統(tǒng)的電學(xué)器件串?dāng)_大、損耗高以及散熱嚴(yán)重等問題逐漸凸顯出來。相對于電...
  • 微機(jī)電系統(tǒng)傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法、及電子設(shè)備與流程
    本發(fā)明涉及系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu),特別涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法、及電子設(shè)備。微機(jī)電系統(tǒng)傳感器因其具有尺寸小、頻響特性好、噪音低等特點(diǎn)得到廣泛應(yīng)用。其中mems聲學(xué)傳感器或氣壓傳感器的封裝結(jié)構(gòu)通常開設(shè)有通孔,以感應(yīng)外界聲音或氣壓變化,但是在使用過程中,由于通孔是直接裸露...
  • 一種基于仿生微結(jié)構(gòu)的復(fù)合式柔性壓力傳感器及其制備方法與流程
    本發(fā)明屬于柔性電子和傳感器領(lǐng)域,具體涉及一種基于仿生微結(jié)構(gòu)的復(fù)合式柔性壓力傳感器及其制備方法。隨著柔性電子器件不斷發(fā)展,為了滿足智能時代的需求,世界范圍內(nèi)已經(jīng)開發(fā)了多種柔性壓力傳感器,用以檢測不同量級的壓力。柔性壓力傳感器結(jié)構(gòu)簡單、超薄且質(zhì)量非常小,還具有可變特性和良好的穩(wěn)定性,從而在電子...
  • 用于序列判定的方法和系統(tǒng)與流程
    交叉引用本申請要求于2017年10月26日提交的美國臨時專利申請?zhí)?2/577,450的權(quán)益,該申請通過引用整體并入本文。闡明整個人類基因組這一目標(biāo)引起了對用于小規(guī)模和大規(guī)模應(yīng)用的快速核酸(例如,dna)測序技術(shù)的興趣。隨著對人類疾病遺傳基礎(chǔ)知識的增加,高通量dna測序已被用于各種各樣的臨...
  • 微機(jī)電部件及其制造方法與流程
    本發(fā)明涉及微機(jī)電部件及其制造方法。本發(fā)明旨在應(yīng)用于布置在cmos電路上的微機(jī)電部件(mems部件)。使用各種微機(jī)械制造方法,特別是使用犧牲層制造mems部件。后者通常由二氧化硅制成。為了確保mems部件的后面可移動性,必須局部去除犧牲層(釋放工藝)。在二氧化硅的情況下,這可以通過使用氫氟酸...
  • 一種散熱效果好的MEMS芯片的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本實(shí)用新型涉及mems芯片封裝,具體為一種散熱效果好的mems芯片的封裝結(jié)構(gòu)。mems芯片是基于微機(jī)電工藝制作的傳感器,由于其良好的性能、極小的體積從而得到廣泛的應(yīng)用?,F(xiàn)有技術(shù)中,在封裝mems芯片的時候,首先將液態(tài)膠材涂布在基板上,然后將各個mems芯片擺放在液態(tài)膠材上,經(jīng)過高溫...
  • 一種用于MEMS芯片的堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本實(shí)用新型涉及一種封裝結(jié)構(gòu),特別涉及一種用于mems芯片的堆疊封裝結(jié)構(gòu)。mems全稱microelectromechanicalsystem,微機(jī)電系統(tǒng),是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級,是一個獨(dú)立的智能系統(tǒng)。主要由傳感器、動作器(執(zhí)行器)和微能源三大...
  • 一種便于鑲嵌的MEMS芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本實(shí)用新型涉及一種封裝結(jié)構(gòu),特別涉及一種便于鑲嵌的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)。mems全稱microelectromechanicalsystem,微機(jī)電系統(tǒng),是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級,是一個獨(dú)立的智能系統(tǒng)。主要由傳感器、動作器(執(zhí)行器)和微能源三大...
技術(shù)分類