本技術(shù)涉及半導(dǎo)體器件測試，尤其是涉及一種分立器件的工藝優(yōu)化方法、系統(tǒng)、終端及存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、分立器件（例如，晶體管、二極管、電阻、電容等）在電子電路中扮演著基礎(chǔ)性角色。分立器件測試并優(yōu)化是電子設(shè)計與制造過程中至關(guān)重要的一環(huán)，它能夠確保器件在最終應(yīng)用中能夠正常工作并符合設(shè)計要求。因此根據(jù)分立器件的測試結(jié)果對工藝進(jìn)行優(yōu)化能夠保證電路性能、可靠性以及安全性。

2、相關(guān)技術(shù)在進(jìn)行分立器件的測試，會通過測試數(shù)據(jù)來確定分立器件的質(zhì)量是否符合設(shè)計要求。若不符合，則會統(tǒng)計分立器件在各種測試之后的多項試驗參數(shù)。之后，使用多項試驗參數(shù)確定分立器件的缺陷，并針對缺陷進(jìn)行工藝上的改進(jìn)。

3、針對上述中的相關(guān)技術(shù)，優(yōu)化工藝的流程需要相關(guān)人員處理較多試驗參數(shù)，整個過程過于繁瑣復(fù)雜。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為了簡化分立器件的工藝優(yōu)化流程，本技術(shù)提供一種分立器件的工藝優(yōu)化方法、系統(tǒng)、終端及存儲介質(zhì)。

2、第一方面，本技術(shù)提供一種分立器件的工藝優(yōu)化方法，采用如下的技術(shù)方案：

3、一種分立器件的工藝優(yōu)化方法，包括：

4、在分立器件進(jìn)行測試的過程中，收集所述分立器件的時間戳數(shù)據(jù)和與所述時間戳數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)的溫度數(shù)據(jù)；

5、通過熱分析算法，對所述時間戳數(shù)據(jù)和所述溫度數(shù)據(jù)進(jìn)行整合，得到所述分立器件的物理特性，所述物理特性用于表示所述分立器件各處的溫度變化情況；

6、對所述物理特性進(jìn)行可視化處理，得到所述分立器件的溫度分布圖像；

7、根據(jù)所述溫度分布圖像和所述物理特性，生成工藝優(yōu)化意見。

8、通過采用上述技術(shù)方案，通過熱分析算法獲得分立器件的物理特性，并對物理特性進(jìn)行可視化處理，得到分立期間的溫度分布圖像。并從溫度分布圖像和物理特性中生成工藝優(yōu)化意見，簡化了工藝優(yōu)化的流程，提高了優(yōu)化工藝的效率。

9、可選的，根據(jù)所述溫度分布圖像，確定所述分立器件上溫度大于預(yù)設(shè)溫度上限值的第一高溫區(qū)域；

10、根據(jù)所述物理特性，計算所述分立器件上各處的溫度變化率；

11、根據(jù)所述溫度變化率，確定所述分立器件上所述溫度變化率大于預(yù)設(shè)變化率閾值的第二高溫區(qū)域；

12、根據(jù)所述第一高溫區(qū)域和所述第二高溫區(qū)域在所述分立器件中的位置，生成所述工藝優(yōu)化意見，所述工藝優(yōu)化意見用于指示在所述高溫區(qū)域上添加散熱結(jié)構(gòu)，所述高溫區(qū)域包括所述第一高溫區(qū)域和所述第二高溫區(qū)域。

13、通過采用上述技術(shù)方案，確定通過溫度分布圖像確定分立器件上的第一高溫區(qū)域和第二高溫區(qū)域，并針對兩種高溫區(qū)域提出工藝優(yōu)化意見，在高溫區(qū)域上添加散熱結(jié)構(gòu)，使分立器件的工藝得到優(yōu)化，既保證了分立器件的質(zhì)量，也提高了分立器件工藝的優(yōu)化效率。

14、可選的，在所述高溫區(qū)域位于所述分立器件內(nèi)部的情況下，確定所述分立器件上溫度小于預(yù)設(shè)溫度下限值的低溫區(qū)域；

15、計算所述低溫區(qū)域到所述高溫區(qū)域的實際距離；

16、根據(jù)所述實際距離在所述低溫區(qū)域中確定目標(biāo)低溫區(qū)域，所述目標(biāo)低溫區(qū)域到所述高溫區(qū)域的所述實際距離小于預(yù)設(shè)距離閾值；

17、規(guī)劃所述高溫區(qū)域到所述目標(biāo)低溫區(qū)域的路徑，生成所述散熱結(jié)構(gòu)的覆蓋區(qū)域；

18、根據(jù)所述覆蓋區(qū)域生成所述工藝優(yōu)化意見。

19、通過采用上述技術(shù)方案，通過散熱結(jié)構(gòu)將高溫區(qū)域內(nèi)的熱量傳遞到目標(biāo)低溫區(qū)域中，實現(xiàn)了高溫區(qū)域的降溫，保證了分立器件的產(chǎn)品質(zhì)量，而且提供了一種快速給出工藝優(yōu)化建議的方法，提高了工藝優(yōu)化的效率和簡便性。

20、可選的，在所述高溫區(qū)域與所述目標(biāo)低溫區(qū)域位于所述分立器件的不同層級的情況下，統(tǒng)計所述高溫區(qū)域和所述目標(biāo)低溫區(qū)域之間的器件元件；

21、獲取所述器件元件的形狀信息和位置信息；

22、根據(jù)所述形狀信息和所述位置信息，規(guī)劃所述高溫區(qū)域到所述目標(biāo)低溫區(qū)域的路徑，使路徑上的任意點(diǎn)與所述器件元件的距離大于預(yù)設(shè)距離下限值，得到所述覆蓋區(qū)域；根據(jù)所述覆蓋區(qū)域生成所述工藝優(yōu)化意見，所述工藝優(yōu)化意見用于指示在所述覆蓋區(qū)域上設(shè)置散熱結(jié)構(gòu)。

23、通過采用上述技術(shù)方案，根據(jù)部分器件的不同情況，設(shè)置不同種類的散熱結(jié)構(gòu)，提高了本方案的普適性，使其能夠應(yīng)用于多種類的分類器件，且不會對分立器件造成較大的影響，保證其能正常運(yùn)行。

24、可選的，在所述高溫區(qū)域與所述目標(biāo)低溫區(qū)域位于所述分立器件的同一功能區(qū)域的情況下，獲取所述高溫區(qū)域?qū)?yīng)的高溫?zé)嵩春退瞿繕?biāo)低溫區(qū)域?qū)?yīng)的低溫?zé)嵩矗?/p>

25、若所述高溫?zé)嵩磁c所述低溫?zé)嵩聪嗤?，則獲取所述高溫?zé)嵩吹臒嵩次恢?；根?jù)所述熱源位置生成所述工藝優(yōu)化意見，所述工藝優(yōu)化意見用于指示在所述熱源位置上添加散熱結(jié)構(gòu)；

26、若所述高溫?zé)嵩磁c所述低溫?zé)嵩床煌瑒t根據(jù)所述高溫?zé)嵩粗軅?cè)范圍的溫度分布，得到路徑起點(diǎn)；根據(jù)所述低溫?zé)嵩粗軅?cè)范圍的溫度分布，得到路徑終點(diǎn)；根據(jù)所述路徑起點(diǎn)和所述路徑終點(diǎn)，規(guī)劃所述覆蓋區(qū)域；根據(jù)所述覆蓋區(qū)域生成所述工藝優(yōu)化意見，所述工藝優(yōu)化意見用于指示在所述覆蓋區(qū)域上設(shè)置散熱結(jié)構(gòu)。

27、通過采用上述技術(shù)方案，根據(jù)高溫區(qū)域和目標(biāo)低溫區(qū)域的實際情況，設(shè)置不同的工藝優(yōu)化意見，使工藝優(yōu)化意見能夠適應(yīng)不同的情況，保證了工藝優(yōu)化意見的合理性和可執(zhí)行性。

28、可選的，在所述高溫?zé)嵩创嬖谥辽賰蓚€的情況下，獲取所述高溫?zé)嵩吹臏囟葌鲗?dǎo)路徑，并獲取所述溫度傳導(dǎo)路徑的實際溫度分布；

29、以第一高溫?zé)嵩礊闊嵩?，計算所述溫度傳?dǎo)路徑上的溫度傳導(dǎo)情況，得到所述溫度傳導(dǎo)路徑上的理論溫度分布；

30、計算所述實際溫度分布與所述理論溫度分布的相似度；

31、在所述相似度小于預(yù)設(shè)相似度閾值的情況下，比較所述實際溫度分布與所述理論溫度分布，得到目標(biāo)區(qū)域，所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)的所述實際溫度分布與所述理論溫度分布的溫度差值大于預(yù)設(shè)溫度閾值，且目標(biāo)區(qū)域的面積大于預(yù)設(shè)面積；

32、將最接近所述目標(biāo)區(qū)域的高溫?zé)嵩醋鳛榈诙邷責(zé)嵩矗?/p>

33、根據(jù)所述第一高溫?zé)嵩春退龅诙邷責(zé)嵩吹奈恢蒙伤龉に噧?yōu)化意見，所述工藝優(yōu)化意見用于指示在所述第一高溫?zé)嵩春退龅诙邷責(zé)嵩粗g設(shè)置隔熱結(jié)構(gòu)。

34、通過采用上述技術(shù)方案，在存在多個高溫?zé)嵩吹那闆r下，會在實際溫度分布與理論溫度分布的相似度小于預(yù)設(shè)相似度閾值的情況下，在第一高溫?zé)嵩春偷诙邷責(zé)嵩粗g設(shè)置隔熱結(jié)構(gòu)，以避免第一高溫?zé)嵩春退龅诙邷責(zé)嵩粗g的熱耦合，保證分立器件的質(zhì)量。

35、可選的，獲取第一測試環(huán)境下候選區(qū)域的第一溫度，以及第二測試環(huán)境下所述候選區(qū)域的第二溫度；

36、若所述第一溫度大于所述預(yù)設(shè)溫度上限值且所述第二溫度小于所述預(yù)設(shè)溫度上限值，則根據(jù)所述第一測試環(huán)境和所述第二測試環(huán)境的區(qū)別，生成所述候選區(qū)域的電路工作差異；

37、根據(jù)所述電路工作差異生成過熱原因；

38、按照所述過熱原因?qū)λ龇至⑵骷闹圃旃に囘M(jìn)行更新。

39、通過采用上述技術(shù)方案，依據(jù)不同預(yù)測環(huán)境下的電路工作差異，研判分立器件的過熱原因，并根據(jù)過熱原因?qū)に囘M(jìn)行更新。

40、第二方面，本技術(shù)提供一種分立器件的工藝優(yōu)化系統(tǒng)，采用如下的技術(shù)方案：

41、一種分立器件的工藝優(yōu)化系統(tǒng)，包括：

42、獲取模塊，用于獲取時間戳數(shù)據(jù)、溫度數(shù)據(jù)、預(yù)設(shè)溫度上限值、預(yù)設(shè)變化率閾值、預(yù)設(shè)溫度下限值、器件元件、形狀信息、位置信息、第一溫度和第二溫度；

43、存儲器，用于存儲上述中任一項的分立器件的工藝優(yōu)化方法的程序；

44、處理器，存儲器中的程序能夠被處理器加載執(zhí)行且實現(xiàn)上述中任一項的分立器件的工藝優(yōu)化方法。

45、通過采用上述技術(shù)方案，通過熱分析算法獲得分立器件的物理特性，并對物理特性進(jìn)行可視化處理，得到分立期間的溫度分布圖像。并從溫度分布圖像和物理特性中生成工藝優(yōu)化意見，簡化了工藝優(yōu)化的流程，提高了優(yōu)化工藝的效率。

46、第三方面，本技術(shù)提供一種智能終端，采用如下的技術(shù)方案：

47、一種智能終端，包括存儲器和處理器，存儲器上存儲有能夠被處理器加載并執(zhí)行上述中任一種方法的計算機(jī)程序。

48、第四方面，本技術(shù)提供一種計算機(jī)存儲介質(zhì)，能夠存儲相應(yīng)的程序，具有便于實現(xiàn)簡化分立器件的工藝優(yōu)化流程的特點(diǎn)，采用如下的技術(shù)方案：

49、一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，存儲有能夠被處理器加載并執(zhí)行上述任一種分立器件的工藝優(yōu)化方法的計算機(jī)程序。

50、綜上所述，本技術(shù)包括以下至少一種有益技術(shù)效果：

51、1、通過熱分析算法獲得分立器件的物理特性，并對物理特性進(jìn)行可視化處理，得到分立期間的溫度分布圖像。并從溫度分布圖像和物理特性中生成工藝優(yōu)化意見，簡化了工藝優(yōu)化的流程，提高了優(yōu)化工藝的效率；

52、2、確定通過溫度分布圖像確定分立器件上的第一高溫區(qū)域和第二高溫區(qū)域，并針對兩種高溫區(qū)域提出工藝優(yōu)化意見，在高溫區(qū)域上添加散熱結(jié)構(gòu)，使分立器件的工藝得到優(yōu)化，既保證了分立器件的質(zhì)量，也提高了分立器件工藝的優(yōu)化效率；

53、3、通過散熱結(jié)構(gòu)將高溫區(qū)域內(nèi)的熱量傳遞到目標(biāo)低溫區(qū)域中，實現(xiàn)了高溫區(qū)域的降溫，保證了分立器件的產(chǎn)品質(zhì)量，而且提供了一種快速給出工藝優(yōu)化建議的方法，提高了工藝優(yōu)化的效率和簡便性。