本技術(shù)涉及顯示，更具體地，涉及一種薄膜及其制備方法、光電器件及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、n型半導(dǎo)體材料材料一般在醇類溶劑中使用水熱法合成納米顆粒，以便于與油溶性的量子點(diǎn)形成交叉溶劑，以防止互相溶解，但是也導(dǎo)致n型半導(dǎo)體材料材料表面吸附有一定的羥基，而對(duì)量子點(diǎn)形成誘導(dǎo)的界面激子猝滅，對(duì)發(fā)光不利，而且在倒置器件結(jié)構(gòu)中，羥基還會(huì)導(dǎo)致量子點(diǎn)墨水鋪展不佳，成膜差問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，本技術(shù)實(shí)施例提供一種薄膜的制備方法，采用了如下所述的技術(shù)方案：

2、一種薄膜的制備方法，所述方法包括如下步驟：

3、提供預(yù)制膜層；

4、施加第一溶劑于所述預(yù)制膜層，得到薄膜；

5、其中，所述第一溶劑為與醇類溶劑互溶的溶劑。

6、進(jìn)一步地，所述預(yù)制膜層的材料包括n型半導(dǎo)體材料，所述n型半導(dǎo)體材料連接有羥基；和/或，

7、所述第一溶劑選自酮類溶劑、烷烴溶劑、芳香烴溶劑和醚類溶劑中的至少一種；和/或，

8、所述醇類溶劑的結(jié)構(gòu)通式為：r-(oh)n，

9、其中，r選自取代或未取代的c1～c20烷基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～20的芳基中的一種，n選自1～3的整數(shù)。

10、進(jìn)一步地，在所述施加第一溶劑于所述預(yù)制膜層的步驟之后，得到薄膜之前還包括步驟：對(duì)施加有所述第一溶劑的所述預(yù)制膜層進(jìn)行能量處理；和/或，

11、所述施加第一溶劑于所述預(yù)制膜層的步驟之前，還包括：采用還原性氣體對(duì)所述預(yù)制膜層進(jìn)行氣氛處理；和/或，

12、所述施加第一溶劑于所述預(yù)制膜層的步驟包括：將所述預(yù)制膜層浸泡于所述第一溶劑中。

13、進(jìn)一步地，所述能量處理包括超聲處理和uv光照處理中的至少一種；所述超聲處理的振動(dòng)頻率為25～40hz；和/或，所述超聲處理的時(shí)長為5～20min；所述uv光照處理的功率為10～30kw；和/或，所述uv光照處理的時(shí)長為1～5min；和/或，

14、所述還原性氣體包括氫氣、一氧化碳、硫化氫中的至少一種；和/或，

15、所述采用還原性氣體對(duì)所述預(yù)制膜層進(jìn)行氣氛處理的步驟中，對(duì)所述預(yù)制膜層進(jìn)行熱處理，其中，所述熱處理的溫度為50～120℃，所述熱處理的時(shí)間為1～10min；和/或，

16、所述浸泡的時(shí)長為5～30min；和/或，所述第一溶劑的體積為50～200ml。

17、進(jìn)一步地，所述得到薄膜的步驟之后，還包括：

18、對(duì)所述薄膜進(jìn)行干燥處理，其中，所述干燥處理的真空度為10-4pa至10-3pa，干燥時(shí)間為10～30min。

19、進(jìn)一步地，所述第一溶劑的沸點(diǎn)為50℃～150℃；和/或，

20、所述第一溶劑選自丙酮、環(huán)己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯、石油醚、環(huán)辛烷、正辛烷、乙基環(huán)己烷、環(huán)戊烷、乙苯、甲酸乙酯、丁酮中的至少一種；和/或，

21、所述醇類溶劑選自甲醇、乙醇、異丙醇、丙醇、丁醇、異丁醇、仲丁醇、叔丁醇、戊醇、2-甲基-1-丁醇、異戊醇、仲戊醇、3-戊醇、叔戊醇、3-甲基-2-丁醇、新戊醇、己醇、4-甲基-2-戊醇、2-己醇、2-乙基丁醇、2-甲基戊醇、2-甲基-2-戊醇、2-甲基-3-戊醇、3-乙基-3-戊醇、3-己醇、4-甲基-1-戊醇、3,3-二甲基-2-丁醇、庚醇、2-庚醇、3-庚醇、2-甲基-3-己醇、辛醇、2-辛醇、2-乙基己醇、2,5-二甲基-2,5-己二醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇、4-甲基-3-庚醇、3,5,5-三甲基己醇、壬醇、2-壬醇、3-壬醇、2,6-二甲基-4-庚醇、癸醇、十一醇、5-乙基-2-壬醇、十二醇、三甲基壬醇、十四醇、十五醇、十六醇、十七醇、十八醇、環(huán)戊醇、環(huán)己醇、苯甲醇、丙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、2-甲基-2-丙二醇、二甘醇、三甘醇、四甘醇、聚乙二醇、新戊二醇、1,5-戊二醇、甲氧基乙醇、乙氧基乙醇、丙氧基乙醇、丁氧基乙醇、異丁氧基乙醇、乙二醇、甘油、2-甲基-2,4-戊二醇中的至少一種；和/或，

22、所述n型半導(dǎo)體材料包括第一摻雜型金屬氧化物顆粒、第一非摻雜型金屬氧化物顆粒、iib-via族半導(dǎo)體材料、iiia-va族半導(dǎo)體材料及ib-iiia-via族半導(dǎo)體材料中的一種或幾種，所述第一非摻雜型金屬氧化物顆粒的材料包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5、al2o3中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括al、mg、li、mn、y、la、cu、ni、zr、ce、in、ga中的一種或幾種，所述iib-via族半導(dǎo)體材料包括zns、znse、cds中的一種或幾種，所述iiia-va族半導(dǎo)體材料包括inp、gap中的一種或幾種，所述ib-iiia-via族半導(dǎo)體材料包括cuins、cugas中的一種或幾種。

23、為了解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種薄膜，采用了如下所述的技術(shù)方案：

24、一種薄膜，所述薄膜采用如上所述的薄膜的制備方法制備得到。

25、為了解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種光電器件，采用了如下所述的技術(shù)方案：

26、一種光電器件，所述光電器件包括層疊設(shè)置的第一電極、電子功能層以及第二電極；

27、所述電子功能層包括采用如上所述的薄膜的制備方法制備得到的薄膜，或者，所述電子功能層包括如上所述的薄膜。

28、進(jìn)一步地，所述第一電極和所述第二電極的材料分別獨(dú)立地選自金屬材料、碳材料以及金屬氧化物中的至少之一，所述金屬材料包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一種或多種；所述碳材料包括石墨、碳納米管、石墨烯以及碳纖維中的一種或多種；所述金屬氧化物包括摻雜或非摻雜金屬氧化物，所述摻雜金屬氧化物包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的一種或多種，或者包括摻雜或非摻雜透明金屬氧化物之間夾著金屬的復(fù)合電極，所述復(fù)合電極包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的至少一種；和/或，

29、所述第二電極和所述電子功能層之間還設(shè)有量子點(diǎn)發(fā)光層，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的材料包括單一結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)及核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)中的至少一種，單一結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的材料、核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的核材料及核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的殼層材料分別選自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一種，所述核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的殼層包括一層或者多層，其中，ii-vi族化合物包括但不限于是cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete以及hgznste中的一種或多種，iv-vi族化合物包括但不限于是sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete以及snpbste中的一種或多種，iii-v族化合物包括但不限于是gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas以及inalpsb中的一種或多種，i-iii-vi族化合物包括但不限于是cuins2、cuinse2及agins2中的至少一種；和/或，

30、所述光電器件還包括設(shè)于所述第二電極和所述量子點(diǎn)發(fā)光層之間的空穴注入層，所述空穴注入層的材料選自pedot：pss、hatcn、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、cupc、過渡金屬氧化物、過渡金屬硫化物、過渡金屬錫化物、摻雜石墨烯、非摻雜石墨烯、氧化鎳、氧化鉬、氧化鎢、氧化釩中的至少一種；和/或，

31、所述光電器件還包括設(shè)于所述第二電極和所述量子點(diǎn)發(fā)光層之間的空穴傳輸層，所述空穴傳輸層的材料選自tfb、pvk、poly-tpd、pfb、dntpd、tcata、tcca、cbp、tpd、npb、npd、pedot：pss及其衍生物、tapc、mcc、c60、中的至少一種；和/或，

32、所述光電器件還包括設(shè)于所述電子功能層和所述第一電極之間的電子注入層，所述電子注入層的材料選自yb、氟化釔、li、lif、naf、csco3、cs、kbh4或kh中的至少一種。

33、為了解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種顯示裝置，采用了如下所述的技術(shù)方案：

34、一種顯示裝置，包括如上所述的光電器件。

35、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)實(shí)施例主要有以下有益效果：施加與醇類溶劑互溶的第一溶劑于預(yù)制膜層，可以優(yōu)化膜層性能，提高其他膜層在該薄膜上的成膜均勻性。