本申請涉及顯示和照明，更具體地，涉及一種薄膜及其制備方法、疊層器件。
背景技術：
1、隨著時代的發(fā)展，響應速度快、對比度高、功耗小的oled顯示面板正不斷占據(jù)中小尺寸顯示市場，替代原有的lcd顯示產品。目前，商用的oled產品主要通過蒸鍍法來實現(xiàn)，受到蒸鍍機、精細mask等的限制，大尺寸oled顯示面板普遍存在良率不高、成本高昂的情況。相較于蒸鍍法，溶液法卻不需要昂貴的真空設備，其更加有望于加速實現(xiàn)大尺寸oled顯示面板走向千家萬戶。因此，以噴墨打印為代表的溶液法技術路線得到了廣泛的關注。
2、然而，相較于蒸鍍法制備的oled，溶液法制備的oled的性能仍存在較大差距。在通過溶液法進行制備的過程中，由于使用的溶液具有酸性或堿性，而功能層的薄膜抗沖洗破壞能力較弱，所以容易產生化學刻蝕，從而影響發(fā)光器件的效率和壽命。
技術實現(xiàn)思路
1、本申請所要解決的技術問題是通過溶液法制備的發(fā)光器件效率和壽命較低。
2、為了解決上述技術問題，本申請?zhí)峁┮环N薄膜，采用了如下所述的技術方案：
3、一種薄膜，所述薄膜包括依次疊層設置的第一子層、緩沖層、第二子層，其中，所述緩沖層的材料為絕緣材料。
4、進一步的，所述絕緣材料包括聚合物材料，所述絕緣材料的電導率小于等于1×10-7s/m；
5、可選地，所述聚合物材料包括聚乙烯亞胺、聚乙氧基乙烯亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧化乙烯中的一種或多種；
6、和/或，所述第一子層為n-型半導體材料；
7、可選地，所述n-型半導體材料包括金屬氧化物、摻雜金屬氧化物、ii-vi族半導體材料、iii-v族半導體材料及i-iii-vi族半導體材料中的一種或多種；
8、其中，所述金屬氧化物選自zno、bao、tio2、sno2中的至少一種；所述摻雜金屬氧化物中的金屬氧化物選自zno、tio2、sno2中的至少一種，摻雜元素選自al、mg、li、in、ga中的至少一種；所述ii-vi族半導體材料選自zns、znse、cds中的至少一種；所述iii-v族半導體材料選自inp、gap中的至少一種；所述i-iii-vi族半導體材料選自cuins、cugas中的至少一種；
9、和/或，所述第二子層為p-型半導體材料；
10、可選地，所述p-型半導體材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、pedot、pedot:pss、pedot:pss摻有s-moo3的衍生物、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、四氰基醌二甲烷、酞菁銅、氧化鎳、氧化鉬、氧化鎢、氧化釩、硫化鉬、硫化鎢及氧化銅中的一種或多種。
11、進一步的，所述薄膜的總厚度范圍為30-70nm；
12、和/或，所述第一子層的厚度范圍為10-30nm；
13、和/或，所述緩沖層的厚度范圍為5-10nm；
14、和/或，所述第二子層的厚度范圍為15-30nm。
15、為了解決上述技術問題，本申請?zhí)峁┮环N薄膜的制備方法，采用了如下所述的技術方案：
16、一種薄膜的制備方法，所述制備方法的步驟包括：
17、提供包含第一前驅體材料的第一溶液、包含絕緣材料的第二溶液、包含第二前驅體材料的第三溶液；
18、將所述第一溶液設置成第一子層；
19、將所述第二溶液沉積在所述第一子層上，形成緩沖層；
20、將所述第三溶液沉積在所述緩沖層上，形成第二子層，得到所述薄膜。
21、進一步的，所述第一前驅體材料包括n-型半導體前驅體材料；
22、可選地，n-型半導體前驅體材料包括乙酰丙酮金屬鹽；
23、更可選地，所述乙酰丙酮金屬鹽包括乙酰丙酮鋅和乙酰丙酮鈦中的至少一種；
24、和/或，所述絕緣材料包括聚合物材料；
25、可選地，所述聚合物材料包括聚乙烯亞胺、聚乙氧基乙烯亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧化乙烯中的一種或多種；
26、和/或，所述第二前驅體材料包括p-型半導體前驅體材料；
27、可選地，所述p-型半導體前驅體材料包括磷鉬酸銨、鉬酸銨、偏鎢酸銨、六羰基鉬以及乙醇鎢中的一種或多種。
28、進一步的，所述第一溶液的濃度范圍為5-25mg/ml，所述第一溶液的溶劑包括甲醇、乙醇、丁醇以及乙腈中的至少一種；
29、和/或，所述第二溶液的濃度范圍為3-10mg/ml，所述第二溶液的溶劑包括甲醇、乙醇、丁醇以及乙腈中的至少一種；
30、和/或，所述第三溶液的濃度范圍為5-15mg/ml，所述第三溶液的溶劑包括甲醇、乙醇、丁醇以及乙腈中的至少一種。
31、進一步的，所述將所述第一溶液設置成第一子層的具體步驟包括：
32、將所述第一溶液設置成液膜，然后加熱干燥，形成所述第一子層；可選地，所述將所述第一溶液設置成第一子層的具體步驟中，加熱溫度為100-150℃，加熱時間為5-10min；
33、和/或，所述將所述第二溶液沉積在所述第一子層上，形成緩沖層的具體步驟包括：
34、將所述第二溶液沉積在所述第一子層上，然后加熱干燥，形成所述緩沖層；可選地，所述將所述第二溶液沉積在所述第一子層上，形成緩沖層的具體步驟中，加熱溫度為100-150℃，加熱時間為10-30min；
35、和/或，所述將所述第三溶液沉積在所述緩沖層上，形成第二子層的具體步驟包括：
36、將所述第三溶液沉積在所述緩沖層上，然后加熱干燥，形成所述第二子層；可選地，所述將所述第三溶液沉積在所述緩沖層上，形成第二子層的具體步驟中，加熱溫度為100-150℃，加熱時間為10-30min。
37、進一步的，所述薄膜的總厚度范圍為30-70nm；
38、和/或，所述第一子層的厚度范圍為10-30nm；
39、和/或，所述緩沖層的厚度范圍為5-10nm；
40、和/或，所述第二子層的厚度范圍為15-30nm。
41、為了解決上述技術問題，本申請還提供一種疊層器件，采用了如下所述的技術方案：
42、一種疊層器件，所述疊層器件包括電荷產生層，所述電荷產生層包括如上所述的薄膜，或所述電荷產生層由如上所述的薄膜的制備方法制備得到。
43、與現(xiàn)有技術相比，本申請主要有以下有益效果：
44、本申請?zhí)峁┑谋∧ぷ鳛榀B層器件的電荷產生層，在相同電流密度下，能夠成倍增加產生的光子數(shù)，有效提升了疊層器件的效率和壽命。
1.一種薄膜，其特征在于，所述薄膜包括依次疊層設置的第一子層、緩沖層、第二子層，其中，所述緩沖層的材料為絕緣材料，所述絕緣材料的電導率小于等于1×10-7s/m。
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述絕緣材料包括聚合物材料；
3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜的總厚度范圍為30-70nm；
4.一種薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法的步驟包括：
5.根據(jù)權利要求4所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述第一前驅體材料包括n-型半導體前驅體材料；
6.根據(jù)權利要求4所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述第一溶液的濃度范圍為5-25mg/ml，所述第一溶液的溶劑包括甲醇、乙醇、丁醇以及乙腈中的至少一種；
7.根據(jù)權利要求4所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述將所述第一溶液設置成第一子層的具體步驟包括：
8.根據(jù)權利要求4所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述薄膜的總厚度范圍為30-70nm；
9.一種疊層器件，所述疊層器件包括電荷產生層，其特征在于，所述電荷產生層包括權利要求1-3任一項所述的薄膜，或所述電荷產生層由權利要求4-9任一項所述的薄膜的制備方法制備得到。
10.根據(jù)權利要求9所述的疊層器件，其特征在于，所述疊層器件還包括依次疊層設置的陽極、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和陰極，其中，所述電荷產生層設置在所述第一發(fā)光層和所述第二空穴傳輸層之間，所述電荷產生層中的第一子層設置在靠近所述第一發(fā)光層一側，所述電荷產生層中的第二子層設置在靠近所述第二空穴傳輸層一側；