1.一種芯片垂直方向上制備磁通聚集器的方法，其特征在于，所述方法用于增強具有垂直各向異性的磁敏感單元的靈敏度，所述方法包括：
2.如權利要求1所述的芯片垂直方向上制備磁通聚集器的方法，其特征在于，所述在所述磁敏感單元頂部制備出與所述第一磁通聚集單元對稱設置的第二磁通聚集單元包括：
3.如權利要求1所述的芯片垂直方向上制備磁通聚集器的方法，其特征在于，所述在所述磁敏感單元頂部制備出與所述第一磁通聚集單元對稱設置的第二磁通聚集單元包括：
4.如權利要求3所述的芯片垂直方向上制備磁通聚集器的方法，其特征在于，所述鍵合的方式包括直接鍵合、熱壓鍵合或粘合劑鍵合。
5.一種芯片垂直方向上制備磁通聚集器的方法，其特征在于，所述方法用于增強具有面內型磁敏感單元的傳感器的靈敏度，所述方法包括：
6.如權利要求5所述的芯片垂直方向上制備磁通聚集器的方法，其特征在于，所述在所述第四磁通聚集單元上方制備出第二磁通聚集單元包括：
7.如權利要求5所述的芯片垂直方向上制備磁通聚集器的方法，其特征在于，所述在所述第四磁通聚集單元上方制備出第二磁通聚集單元包括：
8.如權利要求5所述的芯片垂直方向上制備磁通聚集器的方法，其特征在于，所述平面型的第三磁通聚集單元和第四磁通聚集單元為喇叭型、梯形或t型。
9.一種芯片垂直方向上制備的磁通聚集器，其特征在于，所述磁通聚集器包括：設置在硅襯底中的第一磁通聚集單元、設置在硅襯底頂部的磁敏感單元、以及以所述磁敏感單元為中心，與所述第一磁通聚集單元對稱設置的第二磁通聚集單元，所述磁通聚集器利用如權利要求1-4任一項所述的方法制備而成。
10.一種芯片垂直方向上制備的磁通聚集器，其特征在于，所述磁通聚集器包括：設置在硅襯底中的第一磁通聚集單元，設置在硅襯底頂部的磁敏感單元、第三磁通聚集單元及第四磁通聚集單元，與所述磁敏感單元為中心，與第一磁通聚集單元對稱設置的第二磁通聚集單元，所述磁通聚集器利用權利要求5-8任一項所述的方法制備而成。