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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • 基于玻璃回流工藝的TGV襯底制備方法及MEMS器件封裝方法與流程
    本發(fā)明涉及mems器件封裝,尤其是一種基于玻璃回流工藝的tgv襯底制備方法及mems器件封裝方法。微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystems,mems)是集微傳感器、微執(zhí)行器、微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微電源、微能源、信號(hào)處理和控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信...
  • 一種用于改良逾滲系統(tǒng)的納米橋的制備方法及其應(yīng)用與流程
    本發(fā)明屬于納米材料制備,具體涉及一種用于改良逾滲系統(tǒng)的納米橋的制備方法及其應(yīng)用。具有各種物理性質(zhì)的超靈敏探測(cè)器通常依賴于所用探測(cè)器結(jié)構(gòu)的高度非線性泛函數(shù)響應(yīng)。這種非線性變化通常發(fā)生在具有相變的系統(tǒng)中,比如逾滲結(jié)構(gòu),它可以在電介質(zhì)中隨機(jī)分布導(dǎo)電粒子而形成。當(dāng)導(dǎo)電粒子濃度達(dá)到臨界值時(shí),...
  • 一種溝槽圍合孔洞結(jié)構(gòu)及其在錐狀微納結(jié)構(gòu)加工中的應(yīng)用的制作方法
    本發(fā)明涉及微納加工,更具體地,涉及一種溝槽圍合孔洞結(jié)構(gòu)及其在錐狀微納結(jié)構(gòu)加工中的應(yīng)用。微納加工技術(shù)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代固體微納電子器件和真空微納電子器件的加工制造。微納加工技術(shù)主要包括“自上而下”和“自下而上”兩類技術(shù)方法。“自上而下”的微納加工方法主要以光刻技術(shù)為基礎(chǔ),利用刻蝕技...
  • 一種導(dǎo)電氧化物等離激元納米光學(xué)天線及其制備方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體微納加工,尤其是涉及一種導(dǎo)電氧化物等離激元納米光學(xué)天線及其制備方法。金屬納米結(jié)構(gòu)陣列(即所謂的金屬等離激元納米光學(xué)天線)與光相互作用所激發(fā)的表面等離激元以其優(yōu)異的光捕獲和電磁場(chǎng)聚集增強(qiáng)特性為其在表面等離子體光子學(xué)領(lǐng)域開(kāi)辟了廣闊的研究空間,并已廣泛應(yīng)用于提高太陽(yáng)能電池...
  • 快速殺菌大接觸表面的氧化銅納米晶須材料的制作方法
    本發(fā)明屬于材料科學(xué)領(lǐng)域,涉及一種可以實(shí)現(xiàn)快速殺菌并附著在金屬銅表面的氧化銅納米晶須結(jié)構(gòu)的制備方法。抗生素的不當(dāng)使用或過(guò)度使用以及細(xì)菌不可避免的進(jìn)化特性,會(huì)導(dǎo)致耐藥菌菌株的產(chǎn)生。例如:在發(fā)現(xiàn)青霉素之后的兩年內(nèi)就觀察到耐甲氧西林的金黃色葡萄球菌(mrsa)。由于耐藥菌株具有廣泛繁殖和快速進(jìn)化等...
  • 一種基于陽(yáng)極鍵合技術(shù)的MEMS壓電水聽(tīng)器及制備方法與流程
    本發(fā)明涉及傳感器,具體為一種基于陽(yáng)極鍵合技術(shù)的mems壓電水聽(tīng)器。水聽(tīng)器是一種用于接收水下聲音信號(hào)的設(shè)備,用來(lái)接收聲壓信號(hào)并將其轉(zhuǎn)換電信號(hào)。隨著傳感器的快速發(fā)展,聲音傳感器也迅速崛起,被應(yīng)用到日常生活、軍事、醫(yī)療、工業(yè)、領(lǐng)海、航天等中,并且成為現(xiàn)代社會(huì)發(fā)展所不能缺少的部分。傳統(tǒng)的壓...
  • 可防水的微機(jī)電芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本發(fā)明涉及微機(jī)電芯片封裝結(jié)構(gòu)領(lǐng)域,特別涉及一種可防水的微機(jī)電芯片封裝結(jié)構(gòu)?,F(xiàn)今的微機(jī)電芯片封裝結(jié)構(gòu)主要是利用一層保護(hù)膠體將設(shè)于腔室內(nèi)的芯片給包覆住,使芯片能夠抵抗從外界進(jìn)入腔室內(nèi)的水氣、灰塵或其他環(huán)境因素的干擾,但是這樣的做法會(huì)讓封裝工藝變得較為復(fù)雜。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于提供一種微...
  • 用于電容式傳感器設(shè)備的微機(jī)械構(gòu)件的制作方法
    本發(fā)明涉及一種用于電容式傳感器設(shè)備的微機(jī)械構(gòu)件和一種電容式傳感器設(shè)備。本發(fā)明也涉及一種用于電容式傳感器設(shè)備的微機(jī)械構(gòu)件的制造方法和一種用于制造電容式傳感器設(shè)備的方法。在de102009000403a1中說(shuō)明了一種微機(jī)械電容式壓力傳感器和一種用于制造這種壓力傳感器的方法。壓力傳感器具有構(gòu)造在...
  • 用于電容式傳感器設(shè)備或開(kāi)關(guān)設(shè)備的微機(jī)械構(gòu)件的制作方法
    本發(fā)明涉及一種用于電容式傳感器設(shè)備或開(kāi)關(guān)設(shè)備的微機(jī)械構(gòu)件。本發(fā)明還涉及一種電容式傳感器設(shè)備或開(kāi)關(guān)設(shè)備。此外,本發(fā)明涉及一種用于電容式傳感器設(shè)備或開(kāi)關(guān)設(shè)備的微機(jī)械構(gòu)件的制造方法。在us2014/0060169a1中說(shuō)明了一種電容式壓力傳感器,該電容式壓力傳感器具有直接或間接在襯底的襯底表面上...
  • 利用微流控芯片構(gòu)型和動(dòng)力學(xué)進(jìn)行光力測(cè)量和細(xì)胞成像的微流控芯片設(shè)備的制作方法
    本發(fā)明總體上涉及用于粒子分析以及流體中粒子或細(xì)胞成像的設(shè)備和方法,尤其涉及利用壓力、流體動(dòng)力學(xué)、電動(dòng)力學(xué)和光力(opticalforces)對(duì)流體進(jìn)行粒子成像的設(shè)備和方法。本發(fā)明針對(duì)一種微流控芯片,其中注入發(fā)生在垂直向上的方向上,流體小瓶位于芯片下方,以便在芯片通道的分析部處和該處之前最小化粒子沉...
  • 一種基于水冰的電子束誘導(dǎo)刻蝕工藝的制作方法
    本發(fā)明屬于微納加工制備領(lǐng)域,具體涉及無(wú)機(jī)/有機(jī)納米材料制備技術(shù),尤其涉及一種基于水冰的電子束誘導(dǎo)刻蝕技術(shù)。具有單層或多層原子厚度的二維(2d)材料因其與結(jié)構(gòu)有關(guān)的獨(dú)特電子和光學(xué)特性而受到廣泛關(guān)注,例如表現(xiàn)出金屬性質(zhì)的石墨烯。2d過(guò)渡金屬硫?qū)倩铮╰mdc)是新興的一類材料,它們具有直接的帶...
  • 一種圓片級(jí)薄膜封裝方法及封裝器件與流程
    本發(fā)明涉及微電子機(jī)械封裝,特別涉及一種圓片級(jí)薄膜封裝方法及封裝器件。微機(jī)械系統(tǒng)(micro-electro-mechanicalsystem,mems)傳感器通過(guò)縮小敏感結(jié)構(gòu)的尺寸來(lái)實(shí)現(xiàn)功能的高度集成??諝庾枇εc結(jié)構(gòu)特征尺寸有關(guān),在低速下宏觀尺度物體受到的空氣阻力一般可忽略不計(jì),但...
  • 制造電子設(shè)備的方法以及對(duì)應(yīng)的電子設(shè)備與流程
    相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2019年4月1日提交的意大利專利申請(qǐng)?zhí)?02019000004835的優(yōu)先權(quán)權(quán)益,其內(nèi)容在法律允許的最大范圍內(nèi)通過(guò)引用以其整體合并于此。本描述涉及電子設(shè)備。一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以被應(yīng)用于諸如微機(jī)電系統(tǒng)(mems)類型傳感器的傳感器?,F(xiàn)今,包括微機(jī)電系統(tǒng)(mem...
  • 一種在玻璃表面連續(xù)批量制作微納結(jié)構(gòu)的方法與流程
    本發(fā)明涉及光學(xué)微納元器件加工,更具體地說(shuō),涉及一種在玻璃表面連續(xù)批量制作微納結(jié)構(gòu)的方法。光學(xué)微納元器件是制造小型光電子系統(tǒng)的關(guān)鍵元件,其具有體積小、質(zhì)量輕和造價(jià)低等優(yōu)點(diǎn),并且能夠?qū)崿F(xiàn)普通光學(xué)元件難以實(shí)現(xiàn)的微小、陣列、集成、成像和波面轉(zhuǎn)換等新功能。在很多工程應(yīng)用領(lǐng)域,從現(xiàn)代國(guó)防科學(xué)技...
  • 基于異質(zhì)驅(qū)動(dòng)單元的微型熱力陣列及其制備方法與流程
    本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng),特別是涉及一種基于異質(zhì)驅(qū)動(dòng)單元的微型熱力陣列及其制備方法。微機(jī)電系統(tǒng)(mems)器件常用的主動(dòng)調(diào)控技術(shù)有靜電驅(qū)動(dòng)、壓電驅(qū)動(dòng)和熱驅(qū)動(dòng)等。靜電調(diào)控技術(shù)可實(shí)現(xiàn)對(duì)mems器件變形的調(diào)控,由于靜電吸合及動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)范圍限制等使其應(yīng)用受到制約。壓電驅(qū)動(dòng)是應(yīng)用非常普遍的驅(qū)動(dòng)方式...
  • 半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品及其制造方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品和制造方法,并且涉及包含具有標(biāo)記(mark)的透氣薄膜(air-permeablefilm)的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)、具有形成在物體的油墨層(inklayer)上的產(chǎn)品,以及用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法。示例性半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)可包含襯底(substrate)、位在襯底上...
  • 經(jīng)由前側(cè)溝槽的分段應(yīng)力去耦的制作方法
    本公開(kāi)總體上涉及半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法,并且更地,涉及具有應(yīng)力消除機(jī)構(gòu)的應(yīng)力敏感傳感器。微機(jī)電系統(tǒng)(mems)是微觀器件,具體地是具有運(yùn)動(dòng)部分的器件。一旦mems可以使用通常被用于制造電子器件的修改的半導(dǎo)體器件制造技術(shù)被制造,mems就變得實(shí)用。因此,mems可以作為集成電路的部...
  • 一種通過(guò)微結(jié)構(gòu)保護(hù)的疏水材料及其制備方法和應(yīng)用與流程
    本發(fā)明涉及疏水材料領(lǐng)域,尤其涉及一種通過(guò)微結(jié)構(gòu)保護(hù)的疏水材料,以及其制備方法和應(yīng)用。表面疏水技術(shù)是一門廣博精深和具有高實(shí)用價(jià)值的基礎(chǔ)研究技術(shù)。目前,疏水材料涂層已廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代生活和工業(yè)領(lǐng)域中的諸多方面。通過(guò)設(shè)計(jì)不同結(jié)構(gòu)、化學(xué)和物理特性的材料涂層,能夠提供固體材料表面新的附加功能,特別是現(xiàn)...
  • 一種MEMS傳感器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本實(shí)用新型屬于mems傳感器封裝,具體涉及一種mems傳感器封裝結(jié)構(gòu)。以mems加速度計(jì)、mems陀螺為代表的mems傳感器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于手機(jī)、汽車、姿態(tài)監(jiān)測(cè)、慣性監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域,其主要優(yōu)勢(shì)是體積小、功耗低,能夠滿足各種復(fù)雜情景的使用需求。目前國(guó)際上adi公司的mems傳感器以mems...
  • 一種防泄漏硅壓傳感器的制作方法
    本實(shí)用新型屬于傳感器,特別涉及一種硅壓傳感器。采用mems工藝制作而成的硅壓傳感器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、靈敏度高、高可靠性等特點(diǎn),廣泛用于各種環(huán)境下的壓力監(jiān)測(cè)和數(shù)據(jù)采集,根據(jù)市場(chǎng)應(yīng)用,部分傳感器需要具有絕對(duì)的氣密性要求,但由于傳感器殼體的注塑工藝或材料的冷熱收縮會(huì)出現(xiàn)配合間隙,導(dǎo)致氣體泄漏...
技術(shù)分類