技術特征：

1.一種柵氧化層電性厚度監(jiān)測結構，其特征在于，包括：間隔布置的第一mos結構和第二mos結構，其中，所述第一mos結構中，源漏區(qū)域上方形成第一極板，溝道區(qū)域上方形成第二極板，所述第二極板上的柵極與所述源漏區(qū)域具有第一重疊區(qū)域；

2.根據(jù)權利要求1所述的柵氧化層電性厚度監(jiān)測結構，其特征在于：

3.根據(jù)權利要求2所述的柵氧化層電性厚度監(jiān)測結構，其特征在于：

4.一種柵氧化層電性厚度監(jiān)測方法，應用于如權利要求1-3任一項所述的柵氧化層電性厚度監(jiān)測結構，其特征在于，包括：

5.根據(jù)權利要求4所述的柵氧化層電性厚度監(jiān)測方法，其特征在于，確定所述第一mos結構的第一總電容包括：

6.根據(jù)權利要求4所述的柵氧化層電性厚度監(jiān)測方法，其特征在于，確定所述第二mos結構的第二總電容包括：

7.根據(jù)權利要求4所述的柵氧化層電性厚度監(jiān)測方法，其特征在于，基于所述第一總電容、第一柵氧化層面積、第二總電容和第二柵氧化層面積，計算得到所述第一所述mos結構和所述第二mos結構柵氧化層電性厚度包括：

8.根據(jù)權利要求4所述的柵氧化層電性厚度監(jiān)測方法，其特征在于，基于所述第一總電容、第一柵氧化層面積、第二總電容和第二柵氧化層面積，計算得到所述第一所述mos結構和所述第二mos結構柵氧化層電性厚度包括：

9.一種柵氧化層電性厚度監(jiān)測裝置，應用于如權利要求1-3任一項所述的柵氧化層電性厚度監(jiān)測結構，其特征在于，包括：

10.一種計算機設備，包括存儲器和處理器，所述存儲器存儲有計算機程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)權利要求4至8中任一項所述的方法的步驟。

技術總結
本申請?zhí)峁┮环N柵氧化層電性厚度監(jiān)測結構、方法、裝置和計算機設備，結構包括：間隔布置的第一MOS結構和第二MOS結構，其中，第一MOS結構中，源漏區(qū)域上方形成第一極板，溝道區(qū)域上方形成第二極板，第二極板上的柵極與源漏區(qū)域具有第一重疊區(qū)域；第二MOS結構中，源漏區(qū)域上方形成第三極板，溝道區(qū)域上方形成第四極板，第四極板上的柵極與源漏區(qū)域具有第二重疊區(qū)域；沿溝道方向上，第一極板上任一點與第二極板之間的距離，與第三極板上對應點與第四極板之間的距離相同，第一重疊區(qū)域與第二重疊區(qū)域的面積相同，第二極板上的柵極區(qū)域與第四極板上的柵極區(qū)域相比，柵極寬度相同且柵極長度不同。通過本申請，可以計算得到精確的柵氧化層電性厚度。

技術研發(fā)人員：牛艷寧,繆仁杰,葉海濤,陳鑫,孫自旺
受保護的技術使用者：廣立微（上海）技術有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/6/30