本公開(kāi)大體上涉及多路徑放大器，并且具體地涉及補(bǔ)償多路徑功率放大器組件的放大器之間的耦合。
背景技術(shù)：
1、即使對(duì)于有經(jīng)驗(yàn)的工程師來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì)功率放大器也是具有挑戰(zhàn)性的。功率放大器的組件采用越來(lái)越小的尺寸或形狀因子，其中使用功率放大器的應(yīng)用被設(shè)計(jì)或修改為包括另外的功能性/特征，其中部署功率放大器的目標(biāo)裝置通常也在尺寸上減小，并且操作速度或頻率正在增加。無(wú)論是單獨(dú)考慮還是綜合考慮，上述因素都傾向于減少功率放大器的組件之間的隔離(例如，電隔離、物理空間/距離、熱隔離)的量，從而導(dǎo)致組件之間的耦合(例如，寄生耦合)的增加。耦合的增加經(jīng)常伴隨著性能(在效率、峰值功率、線(xiàn)性度等方面)的降級(jí)。
2、對(duì)于許多功率放大器，研究和調(diào)查已經(jīng)表明，耦合的影響在涉及組件(例如，晶體管)的導(dǎo)線(xiàn)/引線(xiàn)的電感耦合(例如，互電感)方面是最顯著的。因此，用于補(bǔ)償耦合的技術(shù)可以產(chǎn)生性能的改進(jìn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種放大器電路，包括：
2、第一放大器路徑，其包括第一輸入、第一晶體管，以及耦合在所述第一輸入與所述第一晶體管的第一端之間的第一導(dǎo)線(xiàn)；
3、第二放大器路徑，其包括第二輸入、第二晶體管，以及耦合在所述第二輸入與所述第二晶體管的第一端之間的第二導(dǎo)線(xiàn)；以及
4、平面電容器，其具有耦合到所述第一輸入的第一端和耦合到所述第二輸入的第二端，其中所述平面電容器被配置成補(bǔ)償所述第一導(dǎo)線(xiàn)和所述第二導(dǎo)線(xiàn)之間的耦合。
5、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述平面電容器由基板的第一導(dǎo)電層的叉指式圖案部分形成。
6、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述平面電容器包括連接到第一安裝焊盤(pán)的第一組電容器指形件和連接到第二安裝焊盤(pán)并與所述第一組電容器指形件叉指式交叉的第二組電容器指形件，其中所述第一安裝焊盤(pán)耦合到所述第一輸入，并且所述第二安裝焊盤(pán)耦合到所述第二輸入。
7、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述第一安裝焊盤(pán)和所述第二安裝焊盤(pán)位于所述基板的與所述第一導(dǎo)電層不同的第二導(dǎo)電層上，并且其中所述平面電容器利用導(dǎo)電通孔連接到所述第一安裝焊盤(pán)和所述第二安裝焊盤(pán)。
8、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述第一安裝焊盤(pán)和所述第二安裝焊盤(pán)位于所述第一導(dǎo)電層上。
9、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述放大器電路被包括作為裝置的一部分，其中所述裝置包括引線(xiàn)框架，并且其中所述平面電容器被包括作為所述引線(xiàn)框架的第一部分。
10、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述引線(xiàn)框架的第二部分包括第一輸入端和第二輸入端。
11、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述平面電容器包括連接到所述第一輸入端的第一組電容器指形件和連接到所述第二輸入端并與所述第一組電容器指形件叉指式交叉的第二組電容器指形件。
12、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述平面電容器、所述第一輸入端和所述第二輸入端由平面導(dǎo)電材料片形成。
13、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述平面電容器的值在0.5皮法拉(pf)至1.5pf的范圍內(nèi)，包括端值。
14、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述放大器電路是選自多爾蒂功率放大器、推挽放大器、平衡放大器和2-向上功率放大器的功率放大器。
15、根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種電路，包括：
16、射頻(rf)輸入節(jié)點(diǎn)；
17、rf輸出節(jié)點(diǎn)；
18、功率分離器，其被配置成將在所述rf輸入節(jié)點(diǎn)處接收的輸入rf信號(hào)分離并且將所述輸入rf信號(hào)的功率劃分為所述輸入rf信號(hào)的載波部分和所述輸入rf信號(hào)的峰值部分，其中所述載波部分穿過(guò)包括第一晶體管的第一路徑，并且所述峰值部分穿過(guò)包括第二晶體管的第二路徑；以及
19、第一電容器，其具有耦合到所述第一路徑的第一端和耦合到所述第二路徑的第二端，所述第一電容器補(bǔ)償所述第一路徑的第一線(xiàn)鍵合與所述第二路徑的第二線(xiàn)鍵合之間的寄生耦合。
20、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述第一電容器安置在所述功率分離器與所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每一個(gè)之間。
21、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述第一電容器、所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第一線(xiàn)鍵合和所述第二線(xiàn)鍵合被包括在裝置中，所述裝置被安裝在基板上。
22、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述電路是選自多爾蒂功率放大器、推挽放大器、平衡放大器和2-向上功率放大器的功率放大器。
23、本發(fā)明的這些和其它方面將根據(jù)下文中所描述的實(shí)施例顯而易見(jiàn)，且參考這些實(shí)施例予以闡明。
1.一種放大器電路，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器電路，其特征在于，所述平面電容器由基板的第一導(dǎo)電層的叉指式圖案部分形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的放大器電路，其特征在于，所述平面電容器包括連接到第一安裝焊盤(pán)的第一組電容器指形件和連接到第二安裝焊盤(pán)并與所述第一組電容器指形件叉指式交叉的第二組電容器指形件，其中所述第一安裝焊盤(pán)耦合到所述第一輸入，并且所述第二安裝焊盤(pán)耦合到所述第二輸入。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放大器電路，其特征在于，所述第一安裝焊盤(pán)和所述第二安裝焊盤(pán)位于所述基板的與所述第一導(dǎo)電層不同的第二導(dǎo)電層上，并且其中所述平面電容器利用導(dǎo)電通孔連接到所述第一安裝焊盤(pán)和所述第二安裝焊盤(pán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放大器電路，其特征在于，所述第一安裝焊盤(pán)和所述第二安裝焊盤(pán)位于所述第一導(dǎo)電層上。
6.根據(jù)在前的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的放大器電路，其特征在于，所述放大器電路被包括作為裝置的一部分，其中所述裝置包括引線(xiàn)框架，并且其中所述平面電容器被包括作為所述引線(xiàn)框架的第一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的放大器電路，其特征在于，所述引線(xiàn)框架的第二部分包括第一輸入端和第二輸入端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的放大器電路，其特征在于，所述平面電容器包括連接到所述第一輸入端的第一組電容器指形件和連接到所述第二輸入端并與所述第一組電容器指形件叉指式交叉的第二組電容器指形件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器電路，其特征在于，所述放大器電路是選自多爾蒂功率放大器、推挽放大器、平衡放大器和2-向上功率放大器的功率放大器。
10.一種電路，其特征在于，包括：