本發(fā)明涉及鍵合絲制備，具體涉及一種表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲及其制備方法。
背景技術(shù)：
1、集成電路中半導(dǎo)體封裝需要用到一種關(guān)鍵的材料-鍵合絲(bondingwires)，電子行業(yè)的快速發(fā)展，促進(jìn)了鍵合絲制造技術(shù)的快速發(fā)展。鍵合絲是一種直徑精細(xì)的高拉伸強(qiáng)度金屬絲，是集成電路、半導(dǎo)體分立器件和led發(fā)光管制造過(guò)程中必不可少的封裝內(nèi)引線，常見的有合金鍵合絲、銅鍵合絲、鋁鍵合絲、金鍵合絲等，鍵合絲需具備的特質(zhì)是耐腐蝕、傳導(dǎo)性、連接性好，鍵合速度快。
2、由于鍵合金絲價(jià)格偏高，導(dǎo)致封裝成本增加，銀合金線價(jià)格相對(duì)較低，但在led、cob及多引腳集成電路封裝技術(shù)中，需要有惰性氣體保護(hù)，但還是會(huì)出現(xiàn)氧化、材料偏硬、一焊點(diǎn)滑球、二焊點(diǎn)線尾過(guò)長(zhǎng)等缺陷，銀合金鍍金線雖然不需要惰性氣體保護(hù)，但由于基體材料銀是主體，在高溫高及高濕的環(huán)境下，極易產(chǎn)生電位遷移，造成封裝產(chǎn)品失效。因此，銀合金線及銀合金鍍金線均不太適合led、cob及多引腳集成電路封裝技術(shù)中。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲及其制備方法，所制備得到的復(fù)合鍵合絲具有優(yōu)異的力學(xué)性能。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取如下技術(shù)方案：
3、一種表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲的制備方法，包括如下步驟：
4、s1、將銅塊、銅-鈣合金片材、銅-鈰合金片材、銅-銦合金片材和銅-碳納米管片材置于下拉連鑄爐真空爐中，制備得到直徑為φ8.0mm的銅合金棒材；
5、s2、將銅合金棒材置于熱處理爐中先進(jìn)行保溫，經(jīng)第一次深冷處理后拉伸成直徑為φ1.0mm的線材，然后再次置于熱處理爐中進(jìn)行保溫，經(jīng)第二次深冷處理后拉伸成直徑φ0.1mm的線材，隨后拉伸成直徑φ0.03mm～φ0.08mm的絲材；
6、s3、將得到的絲材依次進(jìn)行表面清洗、鍍鈀、退火處理、活化處理、鍍金，隨后拉伸成直徑φ0.011mm～φ0.050mm的鍵合絲，即得到表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲。
7、優(yōu)選的，步驟s1中，銅-鈣合金片材中鈣的含量為0.1-0.8wt％，銅-鈰合金片材中鈰的含量為0.1-0.5wt％，銅-銦合金片材中銦的含量為0.1-0.5wt％。
8、優(yōu)選的，步驟s1中，銅-碳納米管片材的制備方法如下：將碳納米管和硝酸銅加入到去離子水中，超聲分散均勻后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去溶劑，得到前驅(qū)體粉末，然后在300-500℃下煅燒2-3h，隨后在氫氣氣氛、400-450℃下還原2-3h，得到碳納米管負(fù)載銅粉末；
9、將碳納米管負(fù)載銅粉末和銅粉攪拌混合均勻，壓制成片材，即得到銅-碳納米管片材。
10、優(yōu)選的，碳納米管和硝酸銅的質(zhì)量比為5-10:3-5，碳納米管負(fù)載銅粉末和銅粉的質(zhì)量比為1:40-60。
11、優(yōu)選的，步驟s1中，銅塊、銅-鈣合金片材、銅-鈰合金片材、銅-銦合金片材和銅-碳納米管片材的質(zhì)量比為100:0.1-0.3:0.1-0.3:0.1-0.3:0.1-0.5。
12、優(yōu)選的，步驟s2中，第一次深冷處理的溫度為-40℃～-120℃，處理時(shí)間為10-20s，第二次深冷處理的溫度為-30℃～-100℃，處理時(shí)間為5-10s。
13、優(yōu)選的，步驟s3中，鍍鈀層的厚度為1-2μm。
14、優(yōu)選的，步驟s3中，鍍金層的厚度為1-2μm。
15、本發(fā)明還提供由上述制備方法所制備得到的表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲。
16、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：
17、本發(fā)明先制備碳納米管負(fù)載銅粉末，然后將碳納米管負(fù)載銅粉末和銅粉混合均勻，壓制成片材，有效避免了碳納米管的團(tuán)聚，提升了復(fù)合鍵合絲的力學(xué)性能；同時(shí)通過(guò)采用2次深冷處理，能徹底消除熔鑄產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力，并使得所添加的鈣、鈰、銦、碳納米管與銅固溶更充分，晶體排列方向一致，使材料內(nèi)部粗大的晶體產(chǎn)生碎化，晶體排列方向更趨于一致，降低晶區(qū)和非晶區(qū)延伸差異，減少微裂痕的產(chǎn)生，增加了復(fù)合鍵合絲的均一性，所制備的復(fù)合鍵合絲具有優(yōu)異的延展性。
1.一種表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲的制備方法，其特征在于，步驟s1中，銅-鈣合金片材中鈣的含量為0.1-0.8wt％，銅-鈰合金片材中鈰的含量為0.1-0.5wt％，銅-銦合金片材中銦的含量為0.1-0.5wt％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲的制備方法，其特征在于，步驟s1中，銅-碳納米管片材的制備方法如下：將碳納米管和硝酸銅加入到去離子水中，超聲分散均勻后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去溶劑，得到前驅(qū)體粉末，然后在300-500℃下煅燒2-3h，隨后在氫氣氣氛、400-450℃下還原2-3h，得到碳納米管負(fù)載銅粉末；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲的制備方法，其特征在于，碳納米管和硝酸銅的質(zhì)量比為5-10:3-5，碳納米管負(fù)載銅粉末和銅粉的質(zhì)量比為1:40-60。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲的制備方法，其特征在于，步驟s1中，銅塊、銅-鈣合金片材、銅-鈰合金片材、銅-銦合金片材和銅-碳納米管片材的質(zhì)量比為100:0.1-0.3:0.1-0.3:0.1-0.3:0.1-0.5。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲的制備方法，其特征在于，步驟s2中，第一次深冷處理的溫度為-40℃～-120℃，處理時(shí)間為10-20s，第二次深冷處理的溫度為-30℃～-100℃，處理時(shí)間為5-10s。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲的制備方法，其特征在于，步驟s3中，鍍鈀層的厚度為1-2μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲的制備方法，其特征在于，步驟s3中，鍍金層的厚度為1-2μm。
9.如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述制備方法所制備得到的表面鍍鈀金的銅基復(fù)合鍵合絲。